Устройство для ориентации полупроводниковыхтриодов

 

Союз Советских

Социзлистических

Республик

Зависимое от авт. свидегельства №

21, 11/О2

3 а явлено 25.XI 1.1965 (№ 1045347/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28,IX,1967. Ьюллетень ¹ 20

Дата опубликования описания 11.XII.1967

1К Ь" Oll

Ксзтитет по делом изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

I(621.382.3-229.6 (О88,8) Автор изобретения

Л. H. Петров

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОРИЕНТАЩИИ ПОЛУ11РОВОДИ ИКОВЫХ

ТРИОДОВ

Предмет изобретения

Предложенное устройство для ориентации полупроводниковых приборов может быть использовано при автоматизации ряда трудоемких операций, например, рихтовки выводов транзисторов.

Известны устройства, позволяющие ориентировать полупроводниковые приборы с помощью ролика и паза фасонного сечения или технологических выступов или впадин на саoiI приборе. Однако известные устройства обладают тем основным недостатком, что изза сравнительно малого допуска (порядка

5 — -б класса точности) на расстояние между выводами устройство с роликом не позволяет ориентировать приборы, у которых допуск па

ВТо расстояние ггиже 7 K;IBccB I Q IHocTH. OpHснтация с помощью технологических выступов или впадин»B приборе усложняет технологикз IIi. производства.

Предло?кенное устройство устраняет эти недостатки за счет использования лабиринтового устройства.

Йа фиг. 1 показан общий вид устройства; на фиг. 2 — поперечный разрез вибролотка.

Устройство состоит из вибролотка 1, закрытого щечками 2, ?. В зоне ориентации щечки имеют фасонный профиль, сюда же введены две регулируемые по длине иглы 4. Ориента5 ция прибора осуществляется следующим образом. Прибор 5 при движении скользит по вибролотку 1 верхней частью баллона (вверх выводами, положение а). Попав в зону

opHcnTBllHH, прибор клиновидным выступом 6

10 нодталкивается к иголкам 4, которые, упираясь в выводы, разворачивают прибор (по.п?жение б). Таким образом, из лабиринта прибор может выйти только в одном положешш (положение в).

;: стройство для ориентации полупроводниковых триодов, содержащее вибролоток с фа20 сонным пазом и иглы, îT гггчаюгчееся тем, что, с целью увеличения надежности ориентации, зона ориентации выполнена в виде лабиринта, образованного клиновидным выступом на фасонном пазу. вибролотка, а иглы

25 выполнены регулируемыми по длине.

203077

Заказ 3834у6 Тираж 535 Подписное

ЦНИИГ1И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель В. М. 1ришин

Редактор А. М. Соловьева Техред Л, Я. Бриккер

Корректоры: Л. В. Наделяева и В. В. Крылова

Устройство для ориентации полупроводниковыхтриодов Устройство для ориентации полупроводниковыхтриодов 

 

Похожие патенты:

Г-. . .' • ' . // 192296

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх