Кассета для групповой обработки полупроводниковб1х пластин

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Кл, 2lg, 11/02

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено ОЗ.Х|.1966 (№ 1110864/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.Х.1967. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 20.XII.1967

МПК Н 01!

УДК 621.382.3.002.2 (088.8) Хомитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Е. И. Аверкин, Н. П. Замбровский, И. Д. Пельцман, Л, М, Элиосов и Т.И. Нежинский

Заявитель

КАССЕТА ДЛЯ ГРУППОВОЙ ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

1

Известные устройства для групповой обработки полупроводниковых пластин представляют собой кассеты прямоугольной формы с пазами для вертикального расположения заготовок. При выполнении операций, связанных с вращением заготовок, например сушки на центрифуге производится перекладка заготовок из кассеты в специальное устройство, фиксирующее их при вращении. При этом не исключена возможность загрязнения заготовок, что в полупроводниковом производстве недопустимо. Кроме того, сама перекладка, производимая, как правило, в герметичных скафандрах является трудоемкой операцией.

Предлагасмая кассета для групповой обработки изделий дисковой формы выполнена в виде цилиндра с радиальными пазами для фиксации заготовок, что позволяет производить как обработку изделий в жидких средах, так и сушку на центрифуге без перекладки. Из каждой пары пазов один выполнен по образующей конуса, что позволяет обрабатывать в одном устройстве изделия различного диаметра, На чертеже показана предлагаемая кассета в плане и сечение по А — А.

Обрабатываемые изделия 1 располагают в радиальные пазы кассеты, представляющей

5 собой цилиндр 2. Один из каждой пары пазов выполнен по образующей конуса 8, благодаря чему пластины любого диаметра находятся в устойчивом положении. Кассету устанавливают на шпиндель центрифуги.

10 Кассета может быть использована, например, для обработки кремниевых или германиевых пластин в производстве полупроводниковых приборов.

Предмет изобретения

Кассета для групповой обработки полупроводниковых пластин, отличающаяся тем, что, 20 с пелью обработки пластин различных диаметров и фиксации их в кассете, она выполнена в виде цилиндра с радиальными пазами, причем в каждой паре пазов один выполнен по образующей конуса.

203788

Составитель В. В. Шведова

Техред Т. П. Курилко Корректоры: А. П. Татаринцева и Г. И. Плешакова

Редактор Н. Громов

Заказ 3879/9 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Кассета для групповой обработки полупроводниковб1х пластин Кассета для групповой обработки полупроводниковб1х пластин 

 

Похожие патенты:

Г-. . .' • ' . // 192296

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх