Термоэлемент устройства для рефлексотерапии

Изобретение используется в медицинской технике, в частности в устройствах для рефлексотерапии. Термоэлемент устройства для рефлексотерапии выполнен в виде полупроводникового кристалла, установленного с возможностью контроля температуры по падению напряжения на нем. Полупроводниковый кристалл представляет собой диодную сборку из двух или более диодов, один из которых выполнен с возможностью использования для измерения температуры по падению напряжения на нем при пропускании стабилизированного тока в прямом направлении, а другие - с возможностью поддержания температуры при пропускании тока через них. Использование изобретения позволяет увеличить точность поддержания температуры термоэлемента. 1 ил.

 

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к устройствам для стимулирования активных точек кожи.

Известны термоэлементы для воздействия на активные точки различной конструкции, в том числе включающий резистивный нагревательный элемент, где резистивный нагревательный элемент выполнен в виде колпачка переменной толщины, который соединен вершиной с размещенным внутри него штыревым проводником, а также множество конструктивных разновидностей этого колпачка. Регистрационный номер заявки 2000108780/14 от 2002.01.20.

Известно устройство для рефлексотерапии (прототип), содержащее корпус с установленными в нем последовательно соединенными источником питания, генератором, формирователем импульсов с регулируемой длительностью, регулятором тока импульсов нагрева, термоэлементом, отличающееся тем, что в качестве термоэлемента использован бескорпусный транзистор, между базой и эмиттером которого включен ограничитель температуры, выход которого подключен или ко второму входу формирователя импульсов с регулируемой длительностью или ко второму входу регулятора тока импульсов нагрева. Регистрационный номер заявки 97118295 от 1999.09.10.

Недостатками прототипа являются отсутствие контроля температуры термоэлемента и, следовательно, низкая точность поддержания его температуры.

Как известно, температура полупроводникового кристалла зависит не только от пропускаемого через его элементы (диод, транзистор, резистор и т.д.) тока, но еще от многих других факторов, в частности от температуры окружающей среды, в сильной степени от места и состояния кожи человека, с которой контактирует полупроводниковый кристалл, и т.д. Приближенная косвенная оценка температуры термоэлемента может быть опасной для прибора (термоэлемент может выйти из строя из-за перегрева), а еще опаснее для пациента - он может получить ожог. Кроме того, лечебный эффект обычно достигается только при определенной конкретной температуре термоэлемента. Поэтому необходимо знать температуру кристалла в каждый момент времени с высокой степенью точности, особенно тогда, когда он находится в контакте с кожей человека.

С целью увеличения точности поддержания температуры термоэлемента в качестве термоэлемента предлагается использовать полупроводниковый кристалл (диодную сборку), содержащий в себе два или более изолированных диода. Один из диодов выполняет роль термодатчика (температура кристалла определяется по падению напряжения на диоде при пропускании через него стабилизированного тока в прямом направлении), а другой - нагревателя (кристалл нагревается при пропускании тока через второй диод также в прямом направлении). Кроме диодной сборки в качестве термоэлемента могут быть использованы и более сложные полупроводниковые кристаллы, а именно транзисторная сборка или кристаллы интегральных микросхем без подложки.

Пример использования термоэлемента приведен на чертеже. Предлагаемый термоэлемент 3 содержит два диода, отрицательные выводы которых объединены и соединены с «Землей», положительный вывод одного из них соединен с положительным выводом регулируемого источника питания 4, а положительный вывод другого - с положительным выводом генератора тока 2 и положительным выводом вольтметра 1. Отрицательные выводы источника питания 4, вольтметра 1 и генератора тока 2 объединены и соединены с «Землей».

Температура предлагаемого термоэлемента определяется по величине падения напряжения на одном из диодов полупроводникового кристалла, измеряемой вольтметром 1, при пропускании через него стабилизированного тока в прямом направлении от генератора тока 2. Термоэлемент нагревается путем пропускания электрического тока от источника питания 4 через другой диод полупроводникового кристалла, а его температура регулируется путем подбора величины этого тока.

Таким образом, один и тот же полупроводниковый кристалл выполняет двойную функцию и данная система оказывается системой с обратной связью. За счет этого повышается точность поддержания температуры кристалла. Причем обратная связь может осуществляться разными известными способами - оператором, электрической схемой с обратной связью, программным способом с помощью компьютера. В заявке приведен наиболее простой способ осуществления обратной связи - управление током нагрева кристалла оператором. Наиболее удобным и перспективным является использование данного термоэлемента в комплексе с персональным компьютером, который будет поддерживать заданную температуру в автоматическом режиме. Для этого достаточно использовать вольтметр и источник питания с возможностью управления от компьютера либо аналого-цифровой преобразователь (вместо вольтметра) и цифроаналоговый преобразователь (вместо источника питания), управляемые компьютером. С помощью компьютера можно задать разные законы изменения температуры кристалла от времени (синусоидальный, пилообразный и т.д.), что может оказаться наиболее эффективным для лечения пациента. Кроме того, данная система позволяет количественно оценить поток тепла, проходящего через активную точку.

Термоэлемент устройства для рефлексотерапии, выполненный в виде полупроводникового кристалла, установленного с возможностью контроля температуры по падению напряжения на нем, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл представляет собой диодную сборку из двух или более диодов, один из которых выполнен с возможностью использования для измерения температуры по падению напряжения на нем при пропускании стабилизированного тока в прямом направлении, а другие - с возможностью поддержания температуры при пропускании тока через них.