Способ обработки кристаллов кремния

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. Сущность изобретения: в способе обработки кристаллов кремния после высокотемпературных операций обработку кристаллов кремния проводят в травителе, состоящем из азотной кислоты

-НМО3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -СН3СООН, в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 минут, по окончании проводится промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени 25±5 минут, процент выхода годных кристаллов составляет 98%. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработки.

 

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.

Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.

Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO3, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CH3COOH в соотношении компонентов

Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO3, а замедлителем является уксусная кислота -CH3COOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов:

Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.

Способ обработки кристаллов кремния, включающий обработку кристаллов кремния после высокотемпературных операций в травителе, состоящем из азотной кислоты HNO3, фтористоводородной кислоты HF и уксусной кислоты СН3СООН, отличающийся тем, что в качестве травителя используют травитель, в состав которого входят: азотная кислота (HNO3), фтористоводородная кислота (HF) и уксусная кислота (СН3СООН) в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 мин, по окончании промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени равной 25±5 мин, процент выхода годных кристаллов составляет 98%.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора.
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах
Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления

Изобретение относится к технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, связанной с травлением и выращиванием структур на поверхности материалов, в т.ч

Изобретение относится к получению поликремниевой текстуры для солнечных элементов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств - фильтров, резонаторов, линий задержки на поверхностных акустических волнах
Наверх