Способ обработки фторопластовых изделий

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Владельцы патента RU 2368981:

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций. Сущность изобретения: способ предусматривает обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев. Обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода

(Н₂О₂) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н₂О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук. Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.

Известны способы обработки, сущность которых состоит в удалении различных загрязнений и удаление резистивных слоев в: щавелевой кислоте, калие двухромовокислом и натрие двухромовокислом [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление загрязнений и резистивных слоев.

Целью изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Поставленная цель достигается использованием раствора, в состав которого входят следующие основные компоненты: серная кислота (H₂SO₄), перекись водорода (H₂O₂) в соотношении 1:1 при температуре обработки - 140±5°С. Затем проводят отмывку во второй ванне с теплой деионизованной водой при температуре, равной 65÷70°С, в течение 5 минут. Далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч. Время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.

Сущность способа заключается в том, что с фторопластовых изделий полностью происходит удаление загрязнений и резистивных слоев в растворе, содержащем следующие компоненты: серная кислота (H₂SO₄) и перекись водорода (H₂O₂).

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что обработка в кислотах

(H₂SO₄) и перекиси водорода (H₂O₂) позволяет очистить фторопластовые изделия от различных загрязнений и резистивных слоев, внесенных технологическими процессами, так как состояние изделий влияет на качество последующих операций.

Раствор включает следующие соотношения компонентов

H₂SO₄: H₂O₂=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку ведут в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода (H₂O₂) в соотношении 3:1 при температуре Т=100°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (H₂O) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.

H₂SO₄:H₂O₂=3:1 при температуре Т=100±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 10 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄:H₂O₂=2,5: 1 при температуре Т=110±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 8 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄:H₂O₂=2:1 при температуре Т=120±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 7 штук.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄:H₂O₂=1:1 при температуре Т=130±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 6 штук.

ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄: H₂O₂=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных растворов обработки фторопластовых изделий является раствор, состоящий из следующих компонентов: серная кислота (H₂SO₄), перекись водорода (H₂O₂) в следующих соотношениях

H₂SO₄:H₂O₂=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Таким образом, обработку фторопластовых изделий от резистивного слоя и различных загрязнений после фотолитографии дает возможность подготовить фторопластовые изделия с определенной чистотой для дальнейших технологических операций.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980, 327 с.

Способ обработки фторопластовых изделий, включающий обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев, отличающийся тем, что обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода (Н₂O₂) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 мин, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н₂О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 мин, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 мин в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п.

Способ подготовки поверхности подложек // 2367056

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии.

Способ обработки кварцевой оснастки // 2366032

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Способ получения наноструктурированных кремниевых подложек // 2364983

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств.

Способ травления пленки алюминия (al) // 2363069

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .

Способ травления пленок нитрида кремния si3n4 // 2359358

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния.

Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида // 2359357

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.

Способ обработки поверхности кремниевых пластин // 2352021

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.

Способ снятия фоторезиста // 2352020

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к снятию фоторезиста в процессе формирования защитной пленки из полиимида структуры мощного транзистора.

Способ производства полупроводниковой подложки, полупроводниковая подложка для солнечных установок и раствор для травления // 2340979

Способ обработки кристаллов кремния // 2376676

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния

Раствор для обработки карбид-кремниевой трубы // 2377690

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах

Способ обработки кремниевой оснастки // 2383965

Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства

Способ и устройство отмывки и сушки подложек // 2386187

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов

Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства // 2386188

Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства // 2386189

Способ получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении // 2388109

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики

Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния // 2392689

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления

Устройство для плазмохимической обработки материалов // 2395134

Изобретение относится к технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, связанной с травлением и выращиванием структур на поверхности материалов, в т.ч

Коррозионный кислотный раствор для получения поликремниевой текстуры и способ приготовления поликремниевой текстуры // 2400862

Изобретение относится к получению поликремниевой текстуры для солнечных элементов