Раствор для обработки карбид-кремниевой трубы

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Техническим результатом изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений. Сущность изобретения: удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF, соляная кислота - НСl и деионизованная вода - Н2О в соотношении 1:1:3,5. Длительность обработки составляет 20±5 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30±5 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

 

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Известны способы обработки изделий в различных травителях при высоких температурах [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с карбид-кремниевой трубы.

Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF, соляная кислота - НСl и деионизованная вода - Н2О в соотношении 1:1:3,5. Длительность обработки составляет 20±5 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30±5 минут.

HF:НСl:Н2O

1:1:3,5

Сущность способа заключается в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты, соляной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги, которую следует приложить к мокрой внутренней поверхности трубы. В случае покраснении индикаторной бумаги следует повторить обработку. После чего установить трубу в шкаф и выдержать при комнатной температуре не менее 12 часов.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

HF:НСl:Н2О

1:1:5,0

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 40±5 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

ПРИМЕР 2. Способ обработки осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

HF:НСl:Н2O

1:1:4,0

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±5 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 3. Способ обработки осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

HF:НСl:Н2O

1:1:3,5

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±5 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и качество обработки карбид-кремниевой трубы.

Источники информации

1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1980, стр. 88-89.

Раствор для обработки карбид-кремниевой трубы, включающий обработку карбид-кремниевой трубы перед проведением высокотемпературных процессов в растворе, состоящем из фтористоводородной кислоты, соляной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что в качестве раствора используют раствор, в состав которого входят фтористоводородная кислота - HF, соляная кислота - НСl и деионизованная вода - Н2О в соотношении компонентов 1:1:3,5 при комнатной температуре, длительность обработки 20±5 мин, далее осуществляют промывку в деионизованной воде в течение 30±10 мин, качество обработки определяют с помощью индикаторной бумаги.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.
Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.
Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления

Изобретение относится к технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, связанной с травлением и выращиванием структур на поверхности материалов, в т.ч

Изобретение относится к получению поликремниевой текстуры для солнечных элементов
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств - фильтров, резонаторов, линий задержки на поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к реакторам для высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки полупроводниковых структур
Наверх