Способ обработки кремниевой оснастки

Авторы патента:

H01L21/306 - обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление (для образования диэлектрических пленок H01L 21/31; последующая обработка диэлектрических пленок H01L 21/3105)

Владельцы патента RU 2383965:

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства. Сущность изобретения: в способе обработки кремниевой оснастки обработку проводят в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов 18:2,5:1, при комнатной температуре в течение 20±10 минут, с последующей промывкой в деионизованной воде 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса.

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов.

Известны травители для обработки кремния, сущность использования которых состоит в удалении примесей и различных загрязнений [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и длительность процесса.

Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса обработок.

Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кремниевых кассет и лодочек происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фторид аммоний - NH₄F, фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - Н₂O в соотношении 18:2,5:1. Длительность обработки составляет 20±10 минут. После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.

Сущность способа заключается в том, что кремниевые кассеты и лодочки подвергаются обработке в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 20±10 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH₄F:HF:H₂O

19,5:2,8:1

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±10 минут.

После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH₄F:HF:Н₂O

19:2,5:1

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25±10 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH₄F:HF:H₂O

18:2,5:1

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±10 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

Способ согласно изобретению, см. пример 3, обеспечивает полное удаление окислов и различных загрязнений с кремниевой оснастки после высокотемпературных операций, уменьшение длительности и качества обработки кремниевой оснастки.

Литература

1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 86-88 с.

Способ обработки кремниевой оснастки, включающий обработку кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку проводят при соотношении компонентов фторида аммония (NH₄F), фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (Н₂О) соответственно 18:2,5:1 при комнатной температуре, длительность составляет 20±10 мин, далее промывка в деионизованной воде 30±10 мин.

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для проведения высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Способ обработки кристаллов кремния // 2376676

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. .

Способ обработки фторопластовых изделий // 2368981

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.

Устройство плазменной обработки // 2368032

Изобретение относится к устройствам генерации технологической плазмы и может быть использовано для проведения процессов осаждения, травления, окисления, имплантации (неглубоких слоев), сжигания органических масок на различных подложках в области электроники, наноэлектроники, при производстве медицинских инструментов, сенсорных устройств т.п.

Способ подготовки поверхности подложек // 2367056

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам подготовки поверхности полупроводниковых подложек к операциям фотолитографии.

Способ обработки кварцевой оснастки // 2366032

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Способ получения наноструктурированных кремниевых подложек // 2364983

Изобретение относится к процессам химической обработки полупроводниковых пластин и может быть использовано для создания кремниевых подложек с наноразмерной структурой, применимых в качестве эмиттеров ионов в аналитических приборах и для создания светоизлучающих устройств.

Способ травления пленки алюминия (al) // 2363069

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .

Способ травления пленок нитрида кремния si3n4 // 2359358

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам травления пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является нитрид кремния.

Способы обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида // 2359357

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к подготовке поверхности кремниевых пластин перед нанесением полиимида.

Способ и устройство отмывки и сушки подложек // 2386187

Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов

Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства // 2386188

Изобретение относится к химической очистке поверхности кварцевой оснастки, используемой в полупроводниковой технологии для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ обработки кварцевой оснастки полупроводникового производства // 2386189

Способ получения кремниевой микроканальной мембраны в монолитном обрамлении // 2388109

Изобретение относится к области мембранных технологий и индустрии наносистем и может быть использовано в производстве микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики

Способ реактивного ионного травления слоя нитрида титана селективно к алюминию и двуокиси кремния // 2392689

Изобретение относится к микроэлектронике, методам и технологическим приемам контроля и анализа структур интегральных схем, к процессам сухого плазменного травления

Устройство для плазмохимической обработки материалов // 2395134

Изобретение относится к технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, связанной с травлением и выращиванием структур на поверхности материалов, в т.ч

Коррозионный кислотный раствор для получения поликремниевой текстуры и способ приготовления поликремниевой текстуры // 2400862

Изобретение относится к получению поликремниевой текстуры для солнечных элементов

Способ удаления органических остатков с пьезоэлектрических подложек // 2406785

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления интегральных пьезоэлектрических устройств - фильтров, резонаторов, линий задержки на поверхностных акустических волнах

Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур // 2408950

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к реакторам для высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки полупроводниковых структур

Способ получения кремниевой микроканальной матрицы // 2410792

Изобретение относится к области мембранных технологий и может быть использовано для производства микро- и нанофлюидных фильтров, биосенсорных устройств, приборов медицинской диагностики, а также при изготовлении элементов электронно-оптических преобразователей и рентгеновской оптики