Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол

Изобретение относится к материалам для волоконной оптики и касается разработки способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона. Техническим результатом изобретения является снижение загрязняющих примесей в составе стекол. Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол включает загрузку компонентов шихты в реактор, при этом в качестве компонентов шихты используют халькогены и другие исходные веществ -макрокомпоненты стекла, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизацию и охлаждение. При этом в качестве компонентов шихты, наряду с халькогенами, используют летучие иодиды элементов. Синтез стеклообразующих соединений ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией, при управляемой скорости нагрева и выводе из реактора йода, образующегося при химическом превращении исходных йодидов, и возвращении в зону реакции непрореагировавших йодидов элементов до достижения заданного макросостава расплава. 1 пр., 1 табл.

 

Заявляемое изобретение относится к материалам для волоконной оптики и касается разработки способа получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, которые могут быть использованы для изготовления волоконных световодов, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона. К тугоплавким халькогенидным стеклам относятся стекла с температурой стеклования выше 250°С, содержащие германий, сурьму, селен, серу, при концентрации йода не более 5-15% ат.

Халькойодидные стекла относятся к наиболее перспективным стеклам для волоконной оптики среднего ИК-диапазона. Это обусловлено их высокой прозрачностью в спектральном ИК-диапазоне 5-12 мкм.

В традиционных способах получения халькойодидных стекол исходными веществами служат элементы - макрокомпоненты стекла как компоненты шихты, плавлением которой синтезируют стеклообразующий расплав требуемого состава (см., например, Виноградова Г.З. - Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Изд-во «Наука». М, 1984, с.86, 100, 106).

Известный способ включает загрузку компонентов шихты в реактор, в заданных количествах, его вакуумирование, синтез стеклообразующего расплава в запаянном вакуумированном реакторе, его гомогенизацию и отверждение в стекло. Взвешивание исходных элементов даже в защитной атмосфере, последующее их измельчение и загрузка в реактор приводят к появлению на их поверхности оксидов и воды. Полное их удаление при вакуумировании реактора с шихтой не достигается, в том числе и из-за высокой летучести йода. Более того, способ не позволяет получать чистые халькойодидные стекла, в состав которых входят тугоплавкие элементы, например Ge (температура плавления 937°С). Синтез германийсодержащих халькойодидных стекол ведут при высокой температуре, порядка 800-900°С в течение длительного времени, что приводит к сильному загрязнению стекол материалом аппаратуры.

Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения тугоплавких высокочистых халькойодидных стекол заданного состава.

Эта задача решается за счет того, что в известном способе получения особо чистых халькойодидных стекол, включающем загрузку компонентов шихты в реактор, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизацию и охлаждение, согласно заявляемому изобретению, в качестве шихты, наряду с халькогенами, используют летучие иодиды элементов, синтез стеклообразующего расплава ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией, при управляемой скорости нагрева и выводе из реактора йода, образующего при химическом превращении исходных йодидов и возвращением в реакционную зону непрореагировавших иодидов, до достижения заданного содержания йода в расплаве.

Новым в способе является то, что в качестве компонентов шихты стеклообразующих соединений, наряду с халькогенами, используют летучие иодиды элементов в стеклообразующем соединении. Температуры плавления иодидов значительно ниже температур плавления простых веществ, например, температуры плавления германия и йодида германия составляют 937°С и 146°С, соответственно, температуры плавления сурьмы и йодида сурьмы составляют 631°С и 178°С, соответственно. Иодиды элементов реагируют с халькогенами при более низкой температуре, чем элементы. Это позволяет снизить температуру синтеза стеклообразующих соединений, продолжительность гомогенизации расплава и тем самым снизить возможность загрязнения стеклообразующего расплава материалом аппаратуры. В сравнении с прототипом, максимальная температура на всех этапах процесса на 150-250°С ниже температуры синтеза стекол из элементов.

Новым в способе является то, что, синтез стеклообразующего расплава ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией. При этом синтез ведут при управляемой скорости нагрева и вывода из реактора йода, образующегося при химическом превращении исходных йодидов, и возвращении в реакционную зону непрореагировавших йодидов, до достижения заданного содержания йода в расплаве. Это обеспечивает получение халькойодидных стекол заданного макросостава.

Селективное удаление йода из стеклообразующего расплава с одновременным сохранением в нем макрокомпонентов решается за счет того, что синтез ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией. При проведении синтеза в таком аппарате для полного разделения йодидов германия и сурьмы от йода массообменная секция должна обеспечивать эффективность разделения, обеспечиваемого 2-3 теоретическими ступенями разделения.

Упомянутые признаки являются существенными, т.к. каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи - разработки способа получения тугоплавких высокочистых халькойодидных стекол заданного состава. При этом максимальная температура на всех этапах процесса на 200-300°С ниже температуры синтеза стекол из элементов, что значительно снижает загрязняющее действие материала реактора.

Получены стекла систем Ge-S-I, Ge-Se-I, Ge-Se-Те-I, Ge-Sb-S-I, Ge-Ga-Те-I, Ge-Sb-Se-I. Содержание примесей по данным лазерной масс-спектрометрии: Si≤1·10-4 мас.%, содержание Fe, K, Ca-(2÷5)·10-5 мас.%, содержание примесей переходных элементов ниже предела обнаружения (см. таблицу). Содержание примеси водорода в форме Ch-Н, где Ch - атом халькогена, по данным ИК-спектроскопии, составляет (3÷5)·10-5% мол.

Пример.

В реактор, выполненный из кварцевого стекла, загружают йодид германия, йодид сурьмы и серу в количествах 259,4 г, 89,76 г и 34,44 г, соответственно. Реактор с упомянутым содержимым помещают в печь резистивного нагрева. При нагревании пар, находящийся над расплавом, поступает в разделительную секцию. Ее температура обеспечивает конденсацию йода в жидкость, которая течет вниз по секции. Часть жидкого йода, обогащенного йодидами германия, в виде флегмы стекает обратно в реактор, а часть йода отбирают в приемник. При этом происходит эффективное отделение йодидов германия и сурьмы от йода, образующегося при химическом превращении упомянутых йодидов. Синтез стеклообразующих соединений ведут при контролируемой скорости нагрева расплава и селективном удалении йода. В процессе синтеза температуру реакционной камеры поднимают ступенчато или плавно. Отбор йода ведут до достижения заданного макросостава расплава. Масса отобранного йода, в данном случае для получения стекла системы Ge-Sb-S-I с содержанием йода 10% ат., составляет 283 г. После этого реактор охлаждают, вакуумируют, отпайкой отделяют от основной системы и ведут гомогенизацию полученного расплава. Температура синтеза не превышает 650°С. После гомогенизации реактор извлекают из печи и отверждают расплав в стекло. Отжиг стекла проводят для снятия механических напряжений.

Содержание примесей в полученных стеклах составляет: Si≤1.8·10-4 мас.%, Fe, K, Ca-(2÷5)·10-5 мас.%, переходных элементов - ниже предела обнаружения (см. таблицу). Температура на всех этапах процесса не превышает 650°С, в то время как в прототипе эта температура составляет 800-900°С. В сравнении с прототипом, максимальная температура на всех этапах процесса на 150-250°С ниже температуры синтеза стекол из элементов.

Таблица.
Содержание примесей в полученных халькойодидных стеклах
Элемент Концентрация, ppm wt. Элемент Концентрация, ppm wt.
C ≤3.0 Mg <0.05
Al <0.04 K 0.5
Si 1-1.8 Ca 0.5
Ti <0.2 V <0.5
Cr <0.1 Mn <0.1
Fe 0.3 Co <0.1
Ni <0.1 Cu <0.2
Zn <0.3 As ≤7.5
Те <1.3 Sn <1.3
Bi <1.0 W <2.7

Способ получения особо чистых тугоплавких халькойодидных стекол, включающий загрузку компонентов шихты в реактор, при этом в качестве компонентов шихты используют халькогены и другие исходные вещества - макрокомпоненты стекла, синтез стеклообразующего расплава, его гомогенизацию и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве компонентов шихты, наряду с халькогенами, используют летучие йодиды элементов, синтез стеклообразующих соединений ведут в реакторе, соединенном с разделительной секцией, при управляемой скорости нагрева и выводе из реактора йода, образующегося при химическом превращении исходных йодидов, и возвращении в зону реакции непрореагировавших йодидов элементов до достижения заданного макросостава расплава.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к волоконной оптике и касается разработки способа получения халькогенидных стекол системы As-S с низким содержанием примеси кислорода в виде гидроксильных групп, молекулярной воды, диоксида углерода и может быть использовано для получения волоконных световодов, применяемых в оптике и приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона.
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в приборостроении. .
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в приборостроении. .
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. .
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. .

Изобретение относится к оптическим фторидным стеклам, прозрачным в ИК-области спектра, используемым в качестве перспективных материалов для ИК-оптики: ИК-пропускающие сердцевины оптических волокон, элементы оптических устройств, рабочих тел лазеров в различных оптических усилителях, планарных волноводах и в светотрансформирующих устройствах.

Изобретение относится к теллургалогенидным стеклам, прозрачным в инфракрасной области спектра. .
Изобретение относится к волоконной оптике и касается разработки способа получения сульфидно-мышьяковых стекол для сердцевины и оболочки одномодовых и малоапертурных многомодовых световодов, используемых в оптике и приборах для ближнего и среднего ИК-диапазона.

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых преимущественно в оптоэлектронике. .

Изобретение относится к фторидным оптическим стеклам, обладающим способностью к люминесценции в диапазоне 1000-1700 нм при возбуждении излучением с длинами волн в пределах 400-1100 нм

Изобретение относится к технологии получения фторидных хлор- и бромсодержащих стекол с широким ИК-диапазоном пропускания и повышенной прозрачностью. Способ получения фторидных стекол включает плавление шихты из исходных компонентов в инертной атмосфере в платиновом или углеродном тигле с последующим выливанием расплава в металлическую литьевую форму и охлаждение расплава в форме. В шихту из смеси галогенидов, выбранных из ряда: HfF4; BaF2; BaCl2; LaF3; AlF3; InF3; NaF; NaBr дополнительно вводят 2÷3 мол.% предварительно высушенного при температуре до 100°C гидрофторида бария. Шихту загружают в тигель, который помещают в ампулу из кварцевого стекла, нагревают в токе инертного газа до температуры разложения гидрофторида и выдерживают в течение 20÷40 мин. Затем тигель накрывают графитовой пробкой, а зазор между пробкой и стенкой тигля заполняют порошком стекла того же состава, после чего в верхней части ампулы размещают металлическую литьевую форму. Ампулу герметизируют, промывают инертным газом и помещают в двухзонную печь сопротивления. Тигель нагревают до температуры на 250÷350°C выше температуры плавления шихты и выдерживают в течение 30÷50 минут, после чего температуру снижают на 120÷160°C, а форму, находящуюся в верхней части ампулы, нагревают во второй зоне печи сопротивления до температуры на 35÷45°C ниже температуры стеклования. Затем расплав охлаждают, а полученное стекло извлекают из формы. Предложенный способ позволяет получить фторидные хлор- или бромсодержащие стекла с малой концентрацией кислородсодержащих примесей и исключить испарения тяжелых галогенов. и 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил., 3 пр.

Изобретение относится к химии, а именно к производству высокочистых стекол, которые могут быть использованы для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводников, применяемых в оптике и оптоэлектронных приборах ближнего и среднего ИК-диапазона. Задачей, на решение которой направленно заявляемое изобретение, является разработка способа получения высокочистых халькойодидных стекол, позволяющего уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры. Сущность предлагаемого способа получения высокочистых халькойодидных стекол заключается в том, что компоненты шихты постоянно поступают в проточный плазмохимический реактор, инициирование реакции взаимодействия халькогена и летучих йодидов производят плазменным разрядом, синтез стеклообразующих соединений проводят в условиях неравновесной плазмы высокочастотного емкостного разряда при пониженном давлении. Техническим результатом изобретения является снижение загрязняющих примесей в составе стекол. 2 табл., 2 пр.

Изобретение относится к производству высокочистых халькогенидных стекол для изготовления оптических элементов, световодов и широкозонных полупроводниковых устройств. Изобретение позволяет исключить загрязнение получаемого халькогенидного стекла за счет неполного разложения исходных веществ, а также уменьшить количество примесей, поступающих из материалов аппаратуры. Способ получения халькогенидных стекол включает загрузку исходных веществ, содержащих мышьяк и серу, в проточный плазмохимический реактор, инициирование реакции взаимодействия мышьяка и серы высокочастотным плазменным разрядом в условиях неравновесной плазмы при пониженном давлении с образованием шихты халькогенидного стекла и получение самого халькогенидного стекла. В качестве исходных веществ используют элементарные мышьяк As и серу S, а в качестве транспортного и плазмообразующего газа используют инертный газ. Получение самого халькогенидного стекла проводят путем отпайки реактора и установки его в качающуюся печь, плавления и гомогенизации стеклообразующих соединений и охлаждения их. Устройство содержит плазмохимический реактор и систему откачки. Реактор изготовлен в виде проточной кварцевой трубки, снабженной плазмообразующей системой и системой диагностики, а система напуска выбранной газовой смеси включает особо чистые кварцевые резервуары с загрузочными кварцевыми емкостями для твердотельных мышьяка и серы. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области получения фторидных стекол с широким диапазоном пропускания. Технический результат изобретения заключается в получении оптически прозрачных стекол без кислородсодержащих примесей с расширенным диапазоном пропускания от 0,21 мкм до 7,5 мкм для фторцирконатного стекла и от 0,225 мкм до 8 мкм для фторгафнатного стекла. Шихту из смеси фторидов металлов, выбранных из ряда: фторид металла IV группы; BaF2; LaF3; AlF3; NaF, плавят в атмосфере сухого аргона при температуре 850÷950°С в течение 30÷60 минут и затем охлаждают. Перед плавлением шихту обрабатывают фторирующим агентом - дифторидом ксенона при температурах его реагирования с кислородсодержащими примесями с последующим удалением газообразных продуктов реакции в вакууме. В качестве фторида металла IV группы используют либо ZrF4, либо HfF4. Обработку шихты фторирующим агентом проводят при температуре 300÷350°С в течение 3÷5 часов. Удаление газообразных продуктов реакции в вакууме проводят при температуре 100÷150°C. Полученное стекло дополнительно отжигают при 250÷270°C в течение 2÷3 часов во избежание растрескивания. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к халькогенидным стеклам. Технический результат изобретения - снижение температуры синтеза стекол. Халькогенидное стекло содержит, мас.%: As 30,0-35,0; S 40,0-50,0; Na 20,0-25,0. 1 табл.
Изобретение относится к особо чистым стеклам для инфракрасной оптики. Технический результат – снижение содержания оптически активных примесей. Германий, серу, йод загружают в реактор, плавят и подвергают закалке стеклообразующий расплав. В качестве источника йода используют йодид германия(IV). Из шихты получают промежуточные сплавы. Целевой стеклообразующий расплав получают термическим разложением промежуточных сплавов в двухсекционном реакторе в режиме динамического вакуума при управляемой скорости нагрева и выводе йодида германия(IV) из промежуточных сплавов при их разложении до достижения заданного макросостава стеклообразующего расплава. 2 пр.

Изобретение относится к легкоплавким высокопреломляющим халькогенидным стеклам. Халькогенидное стекло содержит мышьяк, сурьму, йод, серу, бром при следующем соотношении компонентов, мол %: мышьяк 8-15; сурьма 1-4; йод 3-25; бром 1-6; сера - остальное. Обеспечивается смещение коротковолнового края поглощения стекла в видимую область электромагнитного излучения и расширение диапазона пропускания стекла. 2 табл.

Изобретение относится к легкоплавким высокопреломляющим халькогенидным стеклам. Халькогенидное стекло содержит мышьяк, сурьму, йод, серу, бром при следующем соотношении компонентов, мол %: мышьяк 8-15; сурьма 1-4; йод 3-25; бром 1-6; сера - остальное. Обеспечивается смещение коротковолнового края поглощения стекла в видимую область электромагнитного излучения и расширение диапазона пропускания стекла. 2 табл.

Изобретение относится к плазмохимии. Может быть использовано при производстве полупроводниковых и оптических элементов для микроэлектроники, оптики и нанофотоники. Исходный теллур нагревают до температуры 600-680°С с получением газообразной фазы теллура. Взаимодействуют с помощью высокочастотного плазменного разряда в условиях неравновесной плазмы углеродсодержащие гетеровключения газообразной фазы теллура с перемещаемым со скоростью 15 мл/мин плазмообразующим газом, в качестве которого используют водород или смесь водорода с инертным газом. Соотношение теллур:транспортный газ в парогазовой смеси составляет 1:50. Летучие гидриды углеродсодержащих гетеровключений удаляют. Высокочистый теллур осаждают на внутренней поверхности ресивера, нагреваемого внешним нагревательным элементом ресивера до температуры 430-480°С. Рабочее давление поддерживают равным 1,9 тор. Способ уменьшает количество углеродсодержащих примесей при повышении выхода чистого теллура. 1 ил.
Наверх