Способ обработки минералов из группы амфиболов при изготовлении массажеров из этих минералов

Изобретение относится к области обработки минералов, в частности для обработки минералов из группы амфиболов, используемых для изготовления массажеров. Техническим результатом является повышение целебных свойств минералов из группы амфиболов при использовании их при изготовлении массажеров. Способ включает размещение заготовки минерала требуемой геометрической формы в вакуумной камере с последующим воздействием на всю поверхность заготовки сканирующим импульсным лазерным излучением при плотности потока лазерного излучения q=1,5×102÷2,0×102 Вт/см2, длительности лазерного импульса 1÷3 мс с частотой повторения импульсов 1÷5 Гц, при скорости сканирования лазерного излучения 0,2÷1 мм/с.

 

Изобретение относится к области обработки минералов, в частности для обработки минералов из группы амфиболов, используемых для изготовления массажеров.

Известно, что ряд минералов из группы амфиболов (тремолит нефрит, жадеит, лазурит, агат и др.) используются как поделочный материал для изготовления различных украшений, а отдельные из них, например нефрит, используется как лечебное средство в виде бус, колец и изделий различных геометрических форм.

Особое место с точки зрения наличия лечебных свойств занимает нефрит. Этот минерал является природным аккумулятором тепла. Своей поверхностью он поглощает тепло, накапливает его, преобразует в инфракрасное излучение и через короткое время начинает излучать ИК-лучи, благотворно влияющие на организм человека.

Данное свойство объясняется волокнистой структурой и высокой теплоемкостью этого материала.

Эти свойства минерала используются в нефритовых массажерах, описанных на сайте «нефритовые массажеры».

Однако повышение эффективности воздействия на организм за счет продолжительности времени отдачи энергии ИК-излучения является важной задачей.

Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, заключается в повышении целебных свойств минералов из группы амфиболов при использовании их при изготовлении массажеров.

Ни в патентных источниках, ни в литературе не обнаружены технические решения, направленные на повышение целебных свойств минералов из группы амфиболов.

Поставленная задача решается за счет того, что способ обработки минералов из группы амфиболов при изготовлении массажеров из этих минералов включает размещение заготовки минерала требуемой геометрической формы в вакуумной камере с последующим воздействием на всю поверхность заготовки сканирующим импульсным лазерным излучением при плотности потока лазерного излучения q=1,5×102÷2,0×102 Вт/см2, длительности лазерного импульса 1÷3 мс с частотой повторения импульсов 1÷5 Гц, при скорости сканирования лазерного излучения 0,2÷1 мм/с.

Способ обработки минералов осуществляется следующим образом.

Заготовку минерала требуемой формы (преимущественно в виде параллелепипеда) размещают в вакуумной камере с давлением 10-2÷10-3 Торр с предварительной очисткой поверхности заготовки. Для обработки поверхности используют импульсный лазер, работающий в миллисекундном режиме (лазер ИТЛ-1001) с длительностью импульса 1÷3 мс и частотой следования импульсов 1÷5 Гц при плотности потока лазерного излучения q=1,5×102÷2,0×102 Вт/см2.

Обработка поверхности осуществляется сканирующим по поверхности заготовки лазерным излучением со скоростью сканирования 0,2÷1 мм/с.

Выбор параметров импульсного лазерного облучения (плотность потока лазерного излучения, длительность импульса, частота следования импульса) обеспечивает сохранение поверхностной структуры до температуры 700-1000°C. В противном случае происходит разложение структуры с выделением воды. Указанные длительность импульса и частота следования импульсов обеспечивают температурные режимы на поверхности минерала, позволяющие претерпевать изменения кристаллической структуры и, как следствие этого, изменение физических свойств поверхности минерала.

Изменения кристаллической структуры выражаются в том, что под действием теплового лазерного излучения меняются межатомные или межионные расстояния, происходят сильные изменения во взаимной поляризации структурных единиц, удерживаемых в решетке электростатическими силами.

Происходит образование хаотично ориентированных пучков и связок, обуславливающих получение аморфно-кристаллической структуры поверхности минерала, что в конечном итоге повышает аккумуляцию тепловой энергии и продолжительность времени отдачи минералом ИК-излучения.

Предложенная технология обработки минералов из группы амфиболов позволяет увеличить продолжительность времени отдачи ИК-излучения в 1,25÷1,43 раза по сравнению с временем отдачи необработанных минералов, что повышает их целебные свойства.

Способ обработки минералов из группы амфиболов при изготовлении массажеров из этих минералов включает размещение заготовки минерала требуемой геометрической формы в вакуумной камере с последующим воздействием на всю поверхность заготовки сканирующим импульсным лазерным излучением при плотности потока лазерного излучения q=1,5×102÷2,0×102 Вт/см2, длительности лазерного импульса 1÷3 мс с частотой повторения импульса 1÷5 Гц, при скорости сканирования лазерного излучения 0,2÷1 мм/с.



 

Похожие патенты:

Настоящее изобретение относится к суспензии, содержащей совокупность абразивных зерен и связующее вещество. Суспензия, содержащая совокупность абразивных зерен и связующее вещество, отличается тем, что гранулометрическая фракция D40-D60 указанной совокупности абразивных зерен содержит более 15 об.% и менее 80 об.% зерен, имеющих округлость менее 0,85, при этом процентили D40 и D60 представляют собой процентили интегральной кривой гранулометрического состава размеров зерен, соответствующие размерам зерен, которые позволяют отделять фракции, которые составляют 40 об.% и 60 об.%, соответственно, зерен, имеющих наибольшие размеры; и указанные абразивные зерна представляют собой более 25% и менее 46% от массы указанной суспензии.
Группа изобретений относится к устройствам, в частности плунжерным парам и насосам-дозаторам на их основе, а также к изготовлению устройств и их частей, в частности к способу обработки цилиндрических поверхностей деталей из кристалла на основе α-модификации оксида алюминия, в частности лейкосапфира.

Изобретение относится к обработке алмазов в бриллианты с паллетой и может найти применение при обработке алмазного сырья. .
Изобретение относится к области добычи и обработки ископаемых смол, в частности янтаря, и может быть использовано в процессе промышленной очистки янтаря. .

Изобретение относится к обработке алмазов в бриллианты с калеттой и может найти применение при обработке алмазного сырья. .
Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья, преимущественно мелких фракций, и получению крупноформатных янтарных изделий и заготовок. .

Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы.

Изобретение относится к технологии обработки кристаллов алмаза и может быть использовано в алмазообрабатывающей промышленности. .

Изобретение относится к технологии обработки алмаза, в частности к его термохимической обработке. .

Предназначено для использования в ювелирной промышленности. Способ огранки бриллианта заключается в том, что площадку бриллианта выполняют в виде конуса с углом образующей конуса к плоскости рундиста. Огранка бриллианта выполнена со следующими параметрами: диаметр бриллианта D, общая высота H=0,61D, размер основания конуса d=0,52D, толщина рундиста r=0,04D, высота верха с рундистом h1=0,22D, высота низа до рундиста h2,=0,39D, угол наклона граней верха к плоскости рундиста 23,5°, угол наклона граней низа к плоскости рундиста 38,5°, угол наклона образующей конуса к плоскости рундиста 17°. Обеспечивается увеличение цветовой игры бриллианта путем увеличения ширины разложения цветового спектра и увеличения дисперсионного эффекта. 1 ил.

Группа изобретений касается структурного блока, имеющего в качестве линии инициирования разлома лазерный трек, который состоит из углублений, полученных от лазерного луча, для подготовки последующего разделения этого структурного блока на отдельные конструктивные элементы. Тем самым обеспечивается то, что при разделении на отдельные части разлом всегда происходит вдоль этого лазерного трека, предотвращаются разломы, отклоняющиеся от лазерного трека, и после разламывания формируются ровные и не имеющие осыпаний края излома. Причем расстояние между двумя расположенными рядом углублениями от лазера меньше или равно диаметру этих углублений от лазера, соответственно измеренному на поверхности структурного блока. При этом лазерный трек скомбинирован с выемкой в отдельном конструктивном элементе. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способу механической обработки алмазов с использованием алмазного абразивного порошка. Техническим результатом является высококачественная обработка алмазов механическим способом в любой кристаллографической ориентации с использованием алмазного абразивного порошка, включая напряженные и низкосортные алмазы. Способ включает воздействие на алмаз инструментом с зернами абразивного алмазного порошка. Причем воздействие инструмента на алмаз проводят в режиме генерации в объем алмаза упругих когерентных волн из области контакта инструмента с алмазом. При этом скорость и ускорение движения зерен абразивного алмазного порошка являются периодическими функциями времени, а при воздействии инструмента на алмаз режимы взаимного движения инструмента и алмаза разработаны таким образом, чтобы локальные напряжения в приповерхностном слое алмаза от воздействия движущихся зерен абразивного алмазного порошка заведомо не превышали величины ~1,0·1012 Па. 10 з.п. ф-лы, 13 ил.

Изобретение относится к области механической обработки алмазов и может быть использовано, например, в ювелирной промышленности. Обработку проводят по естественным природным граням алмаза с формированием поверхностей, имеющих трехмерную поверхностную конфигурацию, включая поверхности второго порядка: цилиндрические, сферические, конусообразные, параболические и т.п. На поверхности алмаза частично сохраняют природную морфологию и рельеф исходного алмаза. Приведены различные схемы формирования сферических поверхностей в виде шарового пояса и сферических треугольников. Формирование поверхностных конфигураций второго прядка проводят с применением угла полного внутреннего отражения. Осуществляют формирование искаженных изображений световых потоков и внутренних дефектов. В результате обеспечивается возможность использования при изготовлении изделий природных алмазов не только ювелирного, но и производственно-технического назначения, а также синтетических алмазов, что расширяет функциональные возможности способа изготовления и повышает эффективность переработки алмазов различной сложной формы. 8 з.п. ф-лы, 10 ил.

Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано в ювелирной промышленности при механической обработке кристаллов. Способ осуществляют путем циклического и периодического движения инструмента с зернами абразива относительно кристалла. На поверхности кристалла задают кристаллографическое направление, относительно которого выбирают симметричные кристаллографические направления, и ориентируют кристалл относительно инструмента по заданному кристаллографическому направлению. Движение инструмента осуществляют с обеспечением перемещения упомянутых зерен с разными линейными скоростями, являющимися периодической функцией времени, которые задают из условия образования волн упругих деформаций в объеме кристалла по упомянутым выбранным симметричным кристаллографическим направлениям на его поверхности. Разность линейных скоростей движения зерен абразива по выбранным кристаллографическим направлениям задают с обеспечением вихревого пучка энергии упругих деформаций с угловым моментом в приповерхностной области кристалла. В результате повышается эффективность обработки кристаллов при снижении трудозатрат на их огранку и обеспечивается возможность создания новых видов ювелирных изделий. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.
Изобретение относится к области абразивной обработки трущихся поверхностей сапфировых деталей, предназначенных для плунжерных пар, являющихся составными частями, в частности, насосных и/или дозирующих устройств, и может быть использовано в фармацевтической, пищевой, химической, парфюмерной, косметической, машиностроительной и других областях промышленности. Способ включает использование заготовок из искусственно выращенного кристалла на основе α-Al2O3 и механическую обработку поверхности полученных заготовок алмазным инструментом в присутствии охлаждающих жидкостей с последовательным убыванием величины зерна абразива инструмента. Механическая обработка включает последовательные стадии, а именно: грубое шлифование поверхности заготовок, среднее шлифование поверхности заготовок до значений шероховатости поверхности Rz=10-20 мкм и по меньшей мере одну последующую финишную безабразивную обработку поверхности заготовок ультразвуковыми колебаниями с частотой 21-23 кГц до шероховатости поверхности Ra=0,020-0,025 мкм. В результате снижаются коэффициент трения трущихся поверхностей деталей, трудоемкость работ и время изготовления при увеличении твердости и микротвердости их поверхностного слоя. 7 з.п. ф-лы, 3 пр.

Изобретение относится к обработке янтарного сырья. Устройство для удаления окисной корки с янтаря и его обработки содержит электрический генератор ультразвуковой частоты, акустический преобразователь, соединенный с электрическим генератором, волновод с инструментом, соединенный с преобразователем, нагревательный элемент и источник питания для нагревательного элемента. Нагревательный элемент установлен на волноводе с рабочим инструментом. Обеспечивается ускорение очистки сырья от корки без потерь основного сырья. 2 ил.
Изобретение относится к технологии обработки алмазов, а именно к методам придания им заданной геометрической формы, и востребовано в промышленности для производства электроники. Способ бесконтактной обработки поверхности алмаза включает нагрев алмаза до температуры чуть ниже температуры графитизации алмаза с последующим бесконтактным воздействием на локальный участок поверхности алмаза точечным источником энергии, с помощью которого повышают температуру поверхности алмаза на локальном участке выше температуры графитизации. Способ позволяет получить алмаз, поверхность которого будет иметь наноразмерный рельеф (поры, шероховатая поверхность, каналы, борозды и им подобные структуры), что обеспечивает расширение функциональных возможностей применения алмаза, при увеличении производительности процесса и снижении энергозатрат на его обработку. 3 пр.
Изобретение относится к технологии обработки алмазных кристаллов и алмазных материалов. Техническим результатом является понижение уровня опасности при использовании в технологическом процессе газообразного водорода. Способ обработки алмазных кристаллов и алмазных материалов путем контактирования в присутствии водорода с металлическим инструментом-шаблоном, способным при нагревании растворять алмаз с образованием углерода. Предварительно металлический инструмент-шаблон насыщают водородом для компактного и безопасного его хранения в инструменте-шаблоне и выделения в зоне обработки с образованием с углеродом газообразного соединения. При этом обработку ведут в защитной атмосфере при температуре растворения углерода алмаза в материале инструмента-шаблона и выделения водорода из инструмента-шаблона. 5 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано для разделения полупроводниковых пластин на круглые кристаллы. Способ включает формирование фаски алмазным лезвийным инструментом и вырезку кристаллов из пластины, которые выполняют одним инструментом. При этом фаску формируют главной режущей кромкой инструмента, расположенной наклонно к поверхности пластины, поворачивают инструмент относительно неподвижной вершины, устанавливая главную режущую кромку перпендикулярно поверхности пластины, и выполняют вырезку кристалла вспомогательной режущей кромкой. Главная режущая кромка выполнена длиной 2,00 мм, вспомогательная – длиной 0,05-0,15 мм и расположена под углом 90° к главной, а дополнительная – длиной не более 2.00 мм и расположена под углом 120-170° к вспомогательной режущей кромке. Изобретение направлено на повышение качества и точности кристаллов, изготовленных одним инструментом на одном станке. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.
Наверх