Диэлектрический метод диагностики электронных состояний в кристаллах силленитов

Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии. При соответствующей стартовой подготовке образцов и выборе частоты регистрации, основанном на информации о частотных спектрах, могут быть определены ключевые параметры примесных центров в кристаллах силленитов. Изобретение обеспечивает возможность оценки параметров, характеризующих оптоэлектронные свойства силленитов, по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при разных температурах. 4 ил.

 

Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии.

Интерес к кристаллам силленитов обусловлен уникальным сочетанием их физических свойств: удобством синтеза кристаллических образцов большого размера, высокой оптической прозрачностью в видимом и ближнем ИК-диапазонах, рекордно высоким темновым сопротивлением, большой фоточувствительностью, наличием ярких электрооптических эффектов и, наконец, большой естественной оптической активностью. Все это позволяет использовать данные соединения в качестве активных сред для записи, обработки и хранения оптической информации, включая высокоинформативную голографическую запись [1].

Известен способ измерения фотоэлектрических параметров, заключающийся в измерении скорости релаксации объемных фазовых голограмм [2]. При этом непосредственно измеряемой величиной является дифракционная эффективность объемной голограммы, записанной в образце за счет диффузионного или дрейфового механизма. В отсутствие внешнего поля процесс релаксации голограммы происходит по экспоненциальному закону с характерным временем τ s c = τ M ( 1 + K 2 L D 2 ) , где К - пространственная частота записанной голограммы, τM - время максвелловской релаксации, LD - диффузионная длина переноса носителей заряда. В присутствии внешнего поля процесс релаксации приобретает осциллирующий характер с частотами колебаний ωscw=(τMKL0)-1, ωdr=КµЕ0, где L0 - дрейфовая длина носителей заряда в электрическом поле с напряженностью Е0. Измерение характерных времен и частот релаксационных процессов позволяет определить удельную фотопроводимость, время максвелловской релаксации и дрейфовую подвижность носителей заряда. Недостаток данного метода - очень узкая применимость.

Известен способ определения фотопроводимости и времени ее релаксации, при котором поверхность полупроводника освещается амплитудно-модулированным пучком света [3]. К образцу прикладывается постоянное напряжение от внешнего источника. Отклик материала регистрируется в виде фототока, возникающего в объеме кристалла. По амплитуде сигнала в области низких частот модуляции и по виду амплитудно-частотной характеристики определяются величина оптически индуцированной электропроводности и время релаксации фотопроводимости. Недостатком способа является то, что величина удельной фотопроводимости не измеряется непосредственно, а рассчитывается с учетом геометрических размеров образца и условий освещения, что вносит дополнительную погрешность.

Цель изобретения - создание метода оценки параметров, характеризующих оптоэлектронные свойства силленитов, по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при разных температурах.

Технический результат изобретения достигается путем предварительной обработки кристаллов, исключающей искажение данных, а также за счет разработанной математической модели, позволяющей определить значения оптоэлектронных параметров путем сравнения теории с экспериментом.

Исследования проводились на единообразно подготовленных к опытам образцах BSO (что обеспечивало надежную воспроизводимость результатов), выращенных методом Чохральского, имевших размеры 10×10×1 мм и обладавших темповым удельным сопротивлением порядка 1013 Ом · м.

Алгоритм подготовки сводился к тому, что образец вначале нагревался от комнатной температуры до температуры +150°С с целью опустошения ловушек различного типа, присутствующих в кристалле, после чего охлаждался до исходной температуры -70°С, затем освещался в течение 20 минут фотоактивным светом (λ=470 нм) фиксированной интенсивности и выдерживался в темноте после выключения подсветки в течение 20 минут для исключения возможного влияния на результаты измерений активности сверхмелких ловушек. После этого проводились измерения при медленном (5,2°С/мин) нагревании образца от -70°С до +150°С.

Измерения величины термостимулированных токов (ТСТ) производились на диэлектрическом спектрометре марки «Alpha-Beta Impedance Analizer» фирмы Novocontrol Technologies на двух частотах: 10 Гц и 100 Гц. Температура образца Т при измерениях ТСТ изменялась от -70°С до +150°С с постоянной скоростью 5,2°С/мин. Кроме того, производились измерения температурных и частотных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь, а также действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости образцов в частотном диапазоне 10-2 Гц до 105 Гц.

В процессе исследований образец помещался между обкладками простейшего конденсатора. Измерялась амплитуда тока через образец Io при подаче на него синусоидального напряжения U(t) и разность фаз φ между колебаниями U(t) и I(t). С помощью конвертора эти данные с применением разработанных фирмой Novocontrol Technologies компьютерных программ преобразовывались в данные о физических характеристиках образца. При анализе экспериментальных данных использовались результаты выполняемого диэлектрическим спектрометром расчета проводимости и электрической емкости образца согласно следующей последовательности. На начальном этапе вычислялись значения действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости согласно выражениям:

|ε′|=Iotgφ/[(1+tg2φ)1/2ωCoUo] и |ε′′|=|ε′|/tgφ,

где ω - частота регистрации, Со - емкость пустой измерительной ячейки. Это позволяет на последующем этапе вычислять величину максвелловского времени релаксации τ:

τ=RxCx=|ε′|/|ε′′|ω,

где Rx - электрическое сопротивление, Rx=τ/Со|ε′|; Сх - электрическая емкость образца, Сх=τ/Rx.

Перечень фигур

Фиг. 1а, б. Температурные зависимости проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь образцов BSO на частотах 100 Hz (а) и 10 Hz (б) соответственно.

Фиг. 2а, б. Низкочастотные части образцов BSO диэлектрических спектров при температуре 0°С, полученные как до, так и после фотоактивной засветки, соответственно.

Фиг. 3а, б, в. Схема уровней локальных центров в BSO, включающая два уровня ловушек tr1 и tr2 (из которых уровень tr2 расположен глубже tr1), а также глубокий уровень рекомбинации R.

Фиг. 4. Определение энергии ионизации примесных центров в кристаллах BSO методом ТСТ с помощью диэлектрического спектрометра.

Так как при измерении ТСТ на частотах 10 Гц и 100 Гц реализуются малые концентрации свободных электронов n(t) в зоне проводимости, при которых максвелловское время релаксации τМ велико и находится в диапазоне от десятков до сотен секунд, то приведенные на фиг. 1а и 1б результаты измерений ТСТ отражают неискаженное значение n(t). Об этом свидетельствует также сравнение диэлектрических спектров фиг. 2а и 2б, полученных как до, так и после фотоактивной засветки. Эти рисунки показывают, что только для низких частот, меньших 1 Гц, наблюдается вызванное засветкой изменение ДС спектров в связи с уменьшением максвелловского времени, обусловленное ростом n(t) при засветке образца.

Известно, что кристалл ВSO является высокоомным фотопроводником, электрооптические свойства которого позволяют за счет поперечного электрооптического эффекта непосредственно наблюдать эволюцию области пространственного заряда в объеме кристалла [4], а именно в [4] наблюдалось изменение ширины области пространственного заряда в условиях предварительного освещения кристалла BSO светом, генерирующим свободные носители, и последующего приложения к нему тянущего электрического поля после выключения генерирующего света. Также в запрещенной зоне кристаллов BSO имеются как уровни ловушек, так и глубоких центров рекомбинации [1, 5, 6]. Исходя из наличия двух максимумов ТСТ, для интерпретации результатов используется схема (фиг. 3), включающая два уровня ловушек tr1 и tr2 (из которых уровень tr2 расположен глубже tr1), а также глубокий уровень рекомбинации R.

В соответствии с алгоритмом проведения нашего эксперимента предварительный прогрев образца до 150°С приводит к полному опустошению ловушек и рекомбинации электронов с дырками на R-центрах. Охлаждение образца в темноте до температуры -70°С и его выдерживание в темноте при этой температуре создает предпосылки для унификации условий эксперимента и обеспечения воспроизводимости результатов.

При последующем освещении при низких температурах (-70°С) образца BSO фотоактивным светом (λ=470 нм) фиксированной интенсивности в течение 20 минут электроны в рамках предлагаемой схемы переходят с R-центров через зону проводимости на ловушки, заполняя их - фиг. 3а. Последующая выдержка образца в темноте фиксирует метастабильное квазиравновесное состояние, так что концентрация электронов в зоне проводимости очень мала. Поэтому при приложении внешнего переменного напряжения регистрируемый ток также мал. Однако при повышении температуры с постоянной скоростью b=5,2°С/мин постепенно ионизируются мелкие tr1 ловушки, генерируя носители заряда в зоне проводимости, что приводит к появлению ТСТ.

При той температуре, при которой kT близко к энергии ионизации (Ei1) tr1-ловушек, возникает начальный подъем ТСТ. Для данного типа ловушек дрейф свободных электронов во внешнем электрическом поле сопровождается, по данным электрооптических измерений [4], эффективным перезахватом электронов на ловушки и слабым рекомбинационным процессом - фиг. 3б. Этим в электрооптических экспериментах обеспечивается режим расширения области пространственного заряда, что характерно для сильного перезахвата электронов ловушками в условиях слабой рекомбинации. При этом tr2-ловушки остаются неактивированными. При дальнейшем повышении температуры рекомбинационные процессы, несмотря на эффективный перезахват, опустошают tr1-центры и обуславливают спад ТСТ и образование низкотемпературного максимума ТСТ. После этого мелкие ловушки tr1 оказываются полностью опустошенными.

При дальнейшем повышении температуры определящую роль играют процессы ионизации электронов с глубоких tr2-ловушек, которые формируют высокотемпературный максимум ТСТ. Однако для этих ловушек, в отличие от tr1, перезахват носителей незначителен - фиг. 3в. Это установлено в электрооптических экспериментах [4], в которых наблюдалось сужение области пространственного заряда в данном температурном интервале.

В соответствии с приведенной физической моделью для описания результатов применяется следующая система кинетических дифференциальных уравнений (1). Она отражает изменение со временем концентрации электронов в зоне проводимости n(t) и степени заполнения электронами ловушек данного типа ntr(t) при фиксированной температуре Т и начальных условиях n(0)=n0 и ntr(0)=ntr0

где А=1/τT - вероятность термической ионизации ловушек, В=1/τtr - вероятность захвата свободного электрона ловушкой, С=1/τR - вероятность рекомбинации свободных электронов с дырками на R-центрах рекомбинации.

В предельном случае сильного перезахвата носителей, когда рекомбинациоными процессами можно пренебречь, то есть В>>С (τR>>τtr), система уравнений (1) для начального участка ТСТ-максимума упрощается, сводясь к стационарному случаю, и ее решение имеет вид:

где 1/τTTexp(-Ei/kT).

Формула (2) не применима при сравнительно высоких для этого максимума температурах, когда равновесие нарушается в сторону рекомбинации, поэтому она не описывает максимум ТСТ и его спад.

В другом предельном случае, а именно в случае отсутствия перезахвата и сильной рекомбинации С>>В (τR<<τtr), система уравнений (1) также упрощается и позволяет (с учетом выражения t=(T-To)/b, b - скорость нагрева) получить выражение для концентрации электронов в зоне проводимости, определяющих величину тока через образец, в виде

В общем случае система (1) также имеет аналитическое решение для n(t) в предположении, что вероятности 1/τtr, 1/τT, 1/τR не зависят от времени.

Фиг. 4 иллюстрирует результат определения Ei по начальным (по Т) участкам двух максимумов ТСТ. Низкотемпературный максимум 1 отвечает случаю сильного перезахвата электронов мелкими ловушками tr1, слабой рекомбинации электронов на R-центрах, то есть случаю заполненных электронами и неактивных при относительно низкой температуре глубоких ловушек tr2. Для низкотемпературного максимума 1 из (2) при логарифмировании получается lnn1(T)=-Eitr1/kT+ln[τtr1ωTntr1(0)].

Использование координат Аррениуса приводит к линеаризации начального участка. По тангенсу угла наклона линейного участка определяется энергия ионизации мелких ловушек Ei1=0.35 эВ. Высокотемпературный максимум 2 отвечает случаю термической ионизации глубоких ловушек tr2 с последующей рекомбинацией электронов с дырками на R-центрах, отсутствию повторного захвата на tr2-ловушки электронов и полностью термически опустошенных мелких ловушек tr1. Для него на начальном (по Т) участке при логарифмировании получается lnn2(Т)=-Ei2/kT+ln[τRωTntr2(0)]. В координатах Аррениуса также определена энергия ионизации ловушек Ei2=0.53 эВ. Указанные методы определения Ei по наклону линеаризованного начального участка ТСТ-максимума согласуются с методами, описанными в работе [7].

Зная уровни «отсечки» на оси ординат lnn1(T) и lnn2(T) при 1/kT -> 0, можно оценить соотношение вероятностей 1/τT, 1/τR захвата электронов мелкими ловушками tr1 и R-центрами рекомбинации: из выражений (2) и (3) следует lnn1(T)-lnn2(T)=ln[τtr1ωTntr1(0)]-ln[τRωTntr2(0)=2.4, откуда τtr1R=3. При этом принималось во внимание отношение степени начального заполнения электронами tr1 и tr2 ловушек предварительной засветкой образца ntr1(0)/ntr2(0)=3, что определялось по отношению площадей под максимумами ТСТ 1 и 2. Параметр τtr1R важен для характеристики оптоэлектронных свойств силленитов, так как непосредственно отражает соотношение интегральных способностей примесных центров к захвату носителей.

Таким образом, примененный метод диэлектрической спектроскопии позволяет оценить максвелловское время релаксации высокоомных полупроводниковых кристаллов по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь. Кроме того, при соответствующем выборе частоты регистрации, основанном на информации о частотных спектрах, могут быть определены ключевые параметры примесных центров в кристаллах силленитов. Разработан алгоритм стартовой подготовки образцов, исключающий искажение данных при использовании кристаллов силленитов в качестве датчиков физических величин.

Источники:

1. Osugi Y., Minemoto T. Increase the size of Bil2Si020 real-time hologram for three-dimensional display. Optical Review, Vol. 3, No. 6B (1996), pp. 552-555.

2. М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. - С.-Петербург: Наука, 1992. - 320 с.

3. С.М. Рыбкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. - М.: Физматгиз, 1963. - 496 с.

4. Набиуллина Л.А., Шадрин Е.Б. Магниторезонансные свойства монокристаллов Bi12SiO2O: Fe // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. 2012. №147. С. 63-72.

5. Петров М.Р., Степанов С.И., Хоменко А.В. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации. Л.: Наука, 1983. 270 с.

6. Ильинский А.В., Кастро Р.А., Набиуллина Л.А., Пашкевич М.Э., Шадрин Е.Б. Магнитооптические эффекты в недопированных кристаллах силиката висмута // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки. 2013. №4-1(182). С. 9-20.

7. Бордовский Г.А., Кастро Р.А. Фотоиндуцированные изменения оптических и контактных свойств халькогенидных стекол // Оптика и спектроскопия. 2001. Т. 90. Вып. 6. С. 884-886.

Диэлектрический метод диагностики электронных состояний в кристаллах силленитов, характеризующий оптоэлектронные свойства силленитов, по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при разных температурах, отличающийся тем, что образец предварительно нагревался от комнатной температуры до температуры +150°C с целью опустошения ловушек различного типа, присутствующих в кристалле, после чего охлаждался до исходной температуры -70°C, затем освещался в течение 20 минут фотоактивным светом λ=470 нм фиксированной интенсивности и выдерживался в темноте после выключения подсветки в течение 20 минут для исключения возможного влияния на результаты измерений активности сверхмелких ловушек, после этого проводились измерения при медленном 5,2°C/мин нагревании образца от -70°C до +150°C и полученные экспериментальные данные обрабатывались с помощью разработанной математической модели, позволяющей определить значения оптоэлектронных параметров путем сравнения теории с экспериментом.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для проведения ускоренных испытаний и получения сравнительной оценки надежности металлической разводки при производстве интегральных схем.

Изобретение относится к электронной технике, к области производства и эксплуатации интегральных схем, может быть использовано для проведения комплекса мероприятий по подготовке образцов изделий радиоэлектронной аппаратуры, к проведению испытаний на стойкость, к воздействию ионизирующего излучения космического пространства.

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС.

Использование: для климатических испытаний готовых полупроводниковых приборов при одновременном измерении их электрических параметров. Сущность изобретения заключается в том, что термокамера содержит корпус, в котором размещена рабочая камера, вентилятор, узел очистки рециркуляционного воздуха, установленный в нагнетательном патрубке и выполненный в виде соосно соединенных суживающегося диффузора с винтообразными канавками на внутренней поверхности и расширяющегося сопла, в котором размещено осушивающее устройство в виде емкости, вентилятор снабжен приводом с регулятором скорости вращения, соединенным с выходами регулятора температуры и регулятора давления, и датчиками температуры и давления, подсоединенными соответственно к регулятору температуры и давления, каждый из которых содержит блок сравнения и блок задания, выпрямитель, который на входе подключен к регулятору скорости в виде блока порошковых электромагнитных муфт привода вентилятора, при этом на внутренней поверхности расширяющегося сопла выполнены винтообразные канавки, узел очистки рециркуляционного воздуха снабжен сеткой, выполненной из биметалла, установленной после внутренней круговой канавки на входе в суживающийся диффузор и соединенной с накопителем загрязнений, при этом на наружной поверхности корпуса расположен тонковолокнистый базальтовый материал, выполненный в виде витых пучков по высоте корпуса.

Изобретение относится к испытательной технике, применяемой при прочностных испытаниях (в частности, к испытаниям на прочность электронных плат (ЭП) при изготовлении).

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к модификации электрофизических свойств полупроводниковых транзисторных структур. Способ включает определение критериальных параметров приборов, облучение в пассивном режиме ограниченной выборки однотипных полупроводниковых приборов слабым ИЭМП с варьируемыми параметрами, включая амплитуду импульса, его длительность и частоту следования, обработку экспериментальных данных статистическими методами путем сравнения критериальных параметров полупроводниковых приборов до и после облучения ИЭМП, по результатам которой выявляют положительный эффект модификации и производят повторное облучение необработанных полупроводниковых приборных структур при оптимальных для этого типа приборных структур режимах генерации ИЭМП.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраковку по определенным критериям, последующее проведение старения светодиодов при определенных условиях, повторное проведение упомянутых измерений при первоначальных условиях, кроме одного, с окончательной отбраковкой ненадежных светодиодов.

Изобретение относится к нанотехнологии и может применяться при изготовлении планарных двухэлектродных резистивных элементов запоминающих устройств. Способ получения резистивного элемента памяти включает в себя создание проводящих электродов на непроводящей подложке, напыление в зазор между электродами металлической пленки и последующий термический отжиг пленки.

Изобретение относится к области микроэлектроники. Технический результат направлен на повышение достоверности определения типа и количества загрязняющих примесей на поверхности полупроводниковых пластин после плазмохимического травления и определения оптимального значения длительности времени травления.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов силовой электроники и может быть использовано для контроля их качества. Способ заключается в том, что нагрев мощного МДП-транзистора осуществляют греющей мощностью, модулированной по гармоническому закону, для чего через транзистор пропускают последовательность импульсов греющего тока постоянной амплитуды, постоянным периодом следования и изменяющейся по гармоническому закону длительностью.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров компонентов наноэлектроники, таких как нанотранзисторы, нанорезисторы и др.. Сущность: способ заключается в пропускании через объект измерения последовательности импульсов греющего тока с постоянным периодом следования и длительностью, изменяющейся по гармоническому закону, измерении в паузах температурочувствительного параметра - напряжения на объекте при пропускании через него измерительного тока и определении изменения температуры объекта, вызванной модуляцией греющей мощности.

Изобретение относится к технике измерения электрофизических параметров полупроводниковых диодов и может быть использовано на выходном и входном контроле их качества.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых интегральных схем (ИС). Сущность: из партий ИС методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий (не менее 10 от каждой партии) и измеряют значение информативного параметра.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к способам отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN, излучающих в видимом диапазоне длин волн. Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN включает проведение измерений при комнатной температуре в любой последовательности падений напряжения в прямом и обратном направлениях и плотностей тока на светодиодах, отбраковку по определенным критериям, последующее проведение старения светодиодов при определенных условиях, повторное проведение упомянутых измерений при первоначальных условиях, кроме одного, с окончательной отбраковкой ненадежных светодиодов.

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к методам измерения эксплуатационных параметров полупроводниковых источников света, и может быть использовано в их производстве, как для отбраковки потенциально ненадежных источников света, так и для контроля соблюдения режимов выполнения сборочных операций.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятии - изготовителе радиоаппаратуры.

Изобретение относится к технике измерения предельных параметров мощных биполярных транзисторов и может использоваться на входном и выходном контроле их качества.

Изобретение относится к электротехнике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС) как логических, так и аналоговых. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке проводят измерение критического напряжения питания (КНП) до и после электротермотренировки (ЭТТ) продолжительностью до 100 ч и после термического отжига продолжительностью 4-10 ч при температуре, максимально допустимой для данного типа ИС, затем находят коэффициент М и по его значению разделяют ИС по надежности. M = Е К Р Э Т Т − Е К Р Н А Ч Е К Р Э Т Т − Е К Р о т ж , где Е К Р Н А Ч ,   Е К Р Э Т Т ,     Е К Р о т ж - значения КНП до ЭТТ, после ЭТТ и после отжига соответственно.

Изобретение относится к контролю качества и надежности интегральных схем (ИС), как логических, так и аналоговых, и может быть использовано как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и микроэлектроники. Использование: для термотренировки тонких пленок, нанесенных на диэлектрическую основу. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает очистку поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном для обезжиривания поверхности, помещают изделия в камеру конвекционной печи так, чтобы у атмосферы был доступ к проводниковому слою платы, производят термотренировку изделий в атмосфере воздуха при температуре процесса 100-170°С в течение 85-340 ч, по окончании термотренировки проверяют платы на адгезию липкой лентой с клеевым слоем, производят очистку поверхности плат методом протирки спиртом или ацетоном от остатков клеевого слоя на платах, проводят внешний осмотр изделий с помощью микроскопа на предмет отслоения проводникового слоя. Технический результат: обеспечение возможности выявления потенциально ненадежных металлизированных тонкопленочных структур и скрытых дефектов микрополосковых плат по параметру межслоевой адгезии проводников методом термотренировки. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области инновационных технологий и может быть использовано для определения параметров кристаллов силленитов, определяющих эффективность перспективных технических систем, и их экспресс-характеризации методами диэлектрической спектроскопии. При соответствующей стартовой подготовке образцов и выборе частоты регистрации, основанном на информации о частотных спектрах, могут быть определены ключевые параметры примесных центров в кристаллах силленитов. Изобретение обеспечивает возможность оценки параметров, характеризующих оптоэлектронные свойства силленитов, по результатам измерений частотных зависимостей проводимости, комплексной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь при разных температурах. 4 ил.

Наверх