Способ изготовления полупроводниковой структуры


H01L21/3221 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2646942:

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°С, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов. Затем наращивают пленку кремния на кремниевой подложке и формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии. Обработка тыльной стороны подложки ионами сурьмы обеспечивает геттерирование дефектов, что повышает качество структур и процент выхода годных. 1 табл.

 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Известен способ изготовления транзисторных диффузионных структур с пониженной плотностью дефектов и уменьшенными токами утечки, путем разделения формируемой диффузионной области на несколько подобластей, которые изготавливаются отдельно друг от друга, а затем электрически соединяются одна с другой [Патент США №5285101, МКИ H01L 29/72]. В таких структурах из-за не технологичности процесса формирования областей ухудшаются параметры структур и повышается дефектность.

Известен способ изготовления структур путем создания аморфной Si-пленки в контакте с плоским графитовым основанием, содержащий на своей поверхности точечные выступы, которые располагаются на фиксированном расстоянии друг от друга [Заявка №2165620 Япония, МКИ H01L 21/20]. После этого структуры подвергают отжигу при температуре 500-700°C, для роста твердой фазы. Кристаллические зерна растут в двух противоположных направлениях, соприкасаются друг с другом, в результате чего образуются проводящие границы между зернами. Затем структура окисляется. Размер зерен поликристаллического кремния определяется величиной расстояния между выступами на поверхности графитового основания, которые выполняют функции затравки для твердофазного роста.

Недостатками этого способа являются:

- повышенная плотность дефектов;

- низкая технологическая воспроизводимость;

- значительные утечки.

Задача, решаемая изобретением: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Задача решается тем, что на тыльной стороне кремниевой подложки формируют легированную сурьмой скрытого слоя имплантацией ионов Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°C, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния КДБ -10 с ориентацией (111), на тыльной стороне подложки проводят обработку ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2. В последующем проводят термообработку при температуре 800°C в течение 4-6 часов. Затем наращивают пленку кремния на кремниевой подложке и формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии. Обработка тыльной стороны подложки ионами сурьмы обеспечивает геттерирование дефектов.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты исследований представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 21,4%.

Технический результат: снижение дефектности в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры путем обработки тыльной стороны кремниевой подложки ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°C с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов позволяет повысить процент выхода годных приборов, улучшить их качество и надежность.

Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий процессы нанесения кремниевой пленки на подложку, термообработки, окисления, отличающийся тем, что подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°C, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам.

Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов.

Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами. Технический результат - упрощение процесса изготовления микроэлектронных узлов, увеличение плотности упаковки компонентов, улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла.

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп.

Использование: для создания поворотного устройства позиционирования. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит кольцевой магнитопровод, генерирующий магнитное поле по кольцевому воздушному зазору, по меньшей мере три якоря, каждый из которых включает в себя множество катушек, по меньшей мере частично расположенных в кольцевом воздушном зазоре, и каждый из которых выполнен с возможностью генерирования силы левитации в направлении левитации, ортогональном кольцевому магнитопроводу, и движущей силы в направлении приведения в движение вдоль кольцевого магнитопровода, причем упомянутые якоря расположены в различных угловых положениях вдоль упомянутого кольцевого магнитопровода, и контроллер для подачи токов на упомянутые якоря для индивидуального управления генерированием силы левитации и/или движущей силы посредством упомянутых якорей для осуществления вращательного движения и/или движения качания, и/или поступательного движения упомянутого кольцевого магнитопровода.

Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде. В отверстие многоместной кассеты предварительно вставляют вспомогательную стеклянную втулку и загружают соединяемые детали сборки полупроводникового прибора, выполненные в виде полупроводниковых кристаллов, теплоотводов и выводов.

Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.

Изобретение относится к устройству и способу удаления покрытия с подложки. Устройство, предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки, имеющей неоднородности вдоль своей окружности, содержит сопло для подачи струи растворителя, приемный элемент для удержания, позиционирования, скольжения и/или регулирования ориентации подложки, поворотный силовой привод для обеспечения поворота приемного элемента и линейный силовой привод и/или линейную направляющую для обеспечения скольжения приемного элемента относительно сопла.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, используемому в процессах обработки пластин полупроводников. Способ переворота подложек включает установку первого подложкодержателя с посадочными местами, в которых расположены подложки, на поворотный стол при помощи механизма загрузки, сверху на первый подложкодержатель устанавливается второй подложкодержатель, и они фиксируются между собой, далее производят переворот стола, затем выгружают подложкодержатели механизмом выгрузки с последующим разъединением подложкодержателей таким образом, что пластины остаются на втором держателе подложек для последующей обработки и нанесения слоев на вторую сторону подложек.

Использование: для создания регенеруемого биосенсора. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя изготовление подложки биосенсора с массивом нанопроволок, формирующих фотонный кристалл, подготовку поверхности подложки для модификации аффинными молекулами, активацию поверхности аффинными молекулами, специфичными к целевым аналитам, присутствие целевых аналитов выявляют добавлением специфичных к ним детектирующих молекул, несущих на себе флуоресцентную метку, выбранную таким образом, чтобы максимум флуоресценции метки совпадал по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла, приводя к увеличению интенсивности флуоресценции метки на этой длине волны, после чего поверхность биосенсора регенерируют для повторных использований.

Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращенных методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечки и устойчивых к тиристорному эффекту.
Изобретение относится к технологии производства бездислокационных пластин полупроводникового кремния, вырезаемых из монокристаллов, выращиваемых методом Чохральского, и применяемых для изготовления интегральных схем и дискретных электронных приборов.

Изобретение относится к способу изготовления оптических приборов, в частности полупроводниковых оптоэлектронных приборов, таких как лазерные диоды, оптические модуляторы, оптические усилители, оптические коммутаторы и оптические детекторы.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для очистки полупроводниковых структур от ростовых и технологических микродефектов.

Изобретение относится к микроэлектронике. .

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано при создании структур "кремний на диэлектрике", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию дестабилизирующих факторов.

Настоящее изобретение относится к области технологий отображения жидкокристаллическими устройствами и, в частности, к способу изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния, включающему: выращивание буферного слоя и затем слоя аморфного кремния на подложке; нагрев слоя аморфного кремния до температуры выше комнатной и выполнение предварительной очистки поверхности слоя аморфного кремния; использование отжига эксимерным лазером (ELA) для облучения слоя аморфного кремния, предварительно очищенного на предыдущем этапе, чтобы преобразовать аморфный кремний в поликремний. Настоящее изобретение также предлагает систему для изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния. Путем совершенствования системы для изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния и способа предварительной очистки настоящее изобретение уменьшает неравномерность толщины слоя аморфного кремния и неравномерность слоя поликремния, получаемого на последующем этапе облучения эксимерным лазером. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°С, с последующей термообработкой при температуре 800°C в течение 4-6 часов. Затем наращивают пленку кремния на кремниевой подложке и формируют полупроводниковые приборы по стандартной технологии. Обработка тыльной стороны подложки ионами сурьмы обеспечивает геттерирование дефектов, что повышает качество структур и процент выхода годных. 1 табл.

Наверх