Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления



Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления
Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления
Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления
Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления
Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металло-оксида методом электростатического напыления
C01P2006/16 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2646415:

Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть") (RU)

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием. В качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм. Заземляют твердую подложку, в качестве которой используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл. Подают напыляемый материал через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала. Прикладывают разность потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой. Полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой. Проводят термическую обработку при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин. Изобретение позволяет упростить получение мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида, повысить адгезию пленки к поверхности подложки, повысить КПД солнечного элемента при использовании такой пленки в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.

 

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно к способам получения мезопористых наноструктурированных тонкопленочных материалов на основе металлооксидов на твердой подложке методом электростатического напыления и может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, а также сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов и др.

Разработка новых технологий получения мезопористых наноструктурированных тонкопленочных материалов на основе металлооксидов приобрело в последнее время большое значение в связи с открывшимися возможностями их использования для создания солнечных элементов нового поколения.

Солнечные элементы (СЭ) на основе сенсибилизированных красителями мезопористых наноструктурированных пленок металлооксидов, МО СЭ (международное английское название - nanocrystalline mesoscopic dye-sensitized solar cell, DSSC), в последние годы привлекают все больший интерес исследователей в связи с их потенциальной перспективой стать главным конкурентом традиционным СЭ на основе кремния. Однако получение качественных мезопористых наноструктурированных пленок металлооксидов на твердой подложке для высокоэффективных МО СЭ является до настоящего времени сложной проблемой.

Известен способ получения мезопористых металлооксидов или их смесей золь-гель методом с использованием оксохлорида циркония ZrOCl2⋅8H2O и тетраэтилортосиликата Si(OEt)4 в водно-этанольной среде в присутствии азотной кислоты. Расчетное количество ZrOCl2⋅8H2O растворяли в воде, добавляли этиловый спирт, Si(OEt)4 и HNO3. Смесь нагревали на водяной бане при температуре 60°С в течение 1-3 ч, полученные гели высушивали и отжигали до получения оксидов. В.Н. Витер «Золь-гель синтез мезопористых смешанных оксидов ZrO2-SiO2». Журнал прикладной химии, 2010, т. 83, вып. 2, с. 198-202.

Недостатками данного метода являются, во-первых, наличие многоступенчатой стадии предварительной подготовки исходных растворов и, во-вторых, получение мезопористых оксидных систем этим способом возможно только в виде порошков ксерогелей, что ограничивает область их практического использования.

Для получения мезопористых наностуктурированных пленок металлооксидов на твердых подложках используют различные методы нанесения золь-гель дисперсии оксида металла. В настоящее время для получения качественных пленок наибольшее распространение получили методы скрин-принтинга или "screen-printing method". Н. Abdullah, М.Z. Razali, М.A. Yarmo, "Preparation of Titanium Dioxide Paste for Dye Sensitized Solar Cells (DSSCs)", Advanced Materials Research, 2010, v. 139-141, p. 153-156, и ручной способ нанесения медицинской бритвой, "doctor-blade method". S. Sarker, N.C. Nath, M.M. Rahman, S.S. Lim et al. "TiO2 paste formulation for crack-free mesoporous nanocrystalline film of dye-sensitized solar cells". J. Nanosci. Nanotechnol. 2012, v. 12(7), p. 5361-62012.

Известен также способ получения тонких мезопористых пленок диоксида кремния на стеклянной подложке золь-гель методом для применения в качестве просветляющих покрытий с низким показателем преломления 1,25-1,34. Пленкообразующий раствор готовился на основе тетраэтоксисилана, изопропилового спирта, поливинилбутираля или поливилинацетата и соляной кислоты. Покрытия получали на подложках из стекла при следующем режиме: стекла с покрытием оставляли при комнатной температуре в течение 12 ч, затем стекла с покрытием помещали в термостат при температуре 150°С и нагревали со скоростью 5 г/мин до температуры 500°С, при этой температуре выдерживали в течение 5-6 ч. Б.Б. Троицкий, В.Н. Денисова, М.А. Новикова и др. «Получение тонких просветляющих покрытий на основе мезопористого диоксида кремния золь-гель методом в присутствии карбоцепных полимеров, статических сополимеров. Журнал прикладной химии, 2008, т. 81, вып. 8, с. 1365-1369.

Недостатками данного способа являются многоступенчатость и длительность процесса, а также необходимость использования на начальных стадиях растворов, содержащих органические добавки и наполнители, что требует их последующего устранения в процессе отжига.

Известен способ получения мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана на твердой подложке золь-гель методом путем нанесения на подложку водосодержащей композиции, содержащей порошок наночастиц диоксида титана, стабилизатор и порообразующий полимер, с последующими сушкой при комнатной температуре и кальцинированием при температуре 400-600°С. Для приготовления водосодержащей композиции сначала порошок диоксида титана смешивают со стабилизатором и подвергают ультразвуковому дезагрегированию, затем добавляют порообразующий полимер и водный раствор ПАВ, полученную пасту гомогенизируют ультразвуком. RU 2326818 C1, C01G 23/047, 20.06.2008.

Недостатком данного способа является многоступенчатость и длительность процесса.

Наиболее близким к предложенному по технической сущности и достигаемому техническому результату является способ получения мезопористых наноструктурированных металлооксидных пленок на твердых подложках путем напыления раствора, включающего органические или неорганические соединения металла, методом электростатического напыления (electrostatic spray deposition, ESD) - ЕР 2314734 A1, C23C 18/12, 27.04.2011. Способ включает стадию приготовления раствора-прекурсора на основе металлсодержащего соединения и порообразующего полимера, стадию нанесения раствора-прекурсора на твердую подложку методом электростатического напыления и стадию термической обработки полученной пленки для разложения соединения металла до оксида и выжигания порообразующего полимера.

Главными недостатками способа являются наличие многоступенчатого процесса подготовки сложного исходного раствора, содержащего помимо металлсодержащего соединения и порообразующего полимера, необходимого для формирования заданной морфологии металлооксидной пленки, различные органические и неорганические добавки и необходимость последующего удаления органических ингредиентов из сформированной пленки в процессе сложно контролируемой термической обработки.

Технической задачей предлагаемого изобретения является разработка способа получения мезопористой наноструктурированной пленоки металлооксидов на твердой подложке методом электростатического напыления сухих порошков металлооксидов, который позволит избежать многоступенчатого процесса подготовки исходного раствора, необходимости сложного контроля меняющихся режимов термической обработки (проводимой в способе-аналоге для выжигания органических ингредиентов из получаемой пленки) и обеспечит требуемое для СЭ качество мезоструктурной морфологии металлооксидной пленки, высокую адгезию пленки к поверхности подложки и хороший электрический контакт между отдельными наночастицами в объеме полученной пленки. Заявляемый способ обеспечивает получение на подложках мезопористых наноструктурированных пленок металлооксидов заданной толщины в пределах от 10 до 100 мкм.

Технический результат от реализации изобретения заключается в упрощении способа получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида и повышении значения КПД солнечного элемента при использовании ее в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов.

Решение поставленной задачи и технический результат достигаются предлагаемым способом получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления, включающим помещение напыляемого материала в контейнер с выпускным отверстием, заземление твердой подложки, подачу напыляемого материала через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала и приложение разности потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой, а также термическую обработку, в котором, согласно изобретению, в качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм, полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой, а термическую обработку проводят при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин.

В качестве твердой подложки используют стекло, кварц и керамику с токопроводящими покрытиями или металл.

Принципиальным отличием предлагаемого способа получения мезопористых наноструктурированных пленок металлооксидов от известного является отказ от использования для нанесения на твердую подложку предварительно приготовленного раствора, включающего металлсодержащее соединение и частицы полимера нано- и микроразмера (от 50 нм до 5 мкм, предпочтительно от 50 нм до 500 нм) с добавками различных химических ингредиентов. В результате по предлагаемому способу сухой порошок наночастиц металлооксида непосредственно наносят на твердую подложку, что исключает долговременную и энергоемкую стадию подготовки раствора-прекурсора и проведение длительного (в течение суток) перемешивания, чтобы исключить процесс агломерации частиц порообразующего полимера.

Метод электростатического напыления основан на способности частиц напыляемого материала приобретать заряд в электростатическом поле и притягиваться к подложке при приложении разности потенциалов. Использование этого метода для нанесения потока заряженных наночастиц металлооксида на твердую подложку с последующей обработкой раствором уксусной кислоты методом распыления и термообработкой позволяет получать гомогенные мезопористые наноструктурированные пленки заданной толщины от 10 до 100 мкм с высокой адгезией к подложке. Обработка раствором уксусной кислоты значительно улучшает адгезию пленки и закрепляет ее на подложке, а термообработка позволяет завершить структурирование мезопористой пленки.

Нанесение порошка нанокристаллического металлооксида на проводящие подложки проводилось с использованием электростатического ручного пистолета-распылителя «СТАРТ-50» (Россия) и воздушного компрессора. Расстояние от края ствола пистолета-распылителя до поверхности образца составляло 10-20 см в зависимости от размера образца. В процессе нанесения пистолет-распылитель располагался перпендикулярно к поверхности образца или под небольшим углом относительно нормали к его поверхности. Толщина получаемой мезопористой наноструктурированной пленки контролировалась по времени проведения процесса нанесения. При завершении процесса нанесения нанокристаллического порошка полученная на подложке пленка металлооксида обрабатывалась в 10%-ном растворе уксусной кислоты, и затем подложку с пленкой подвергали термообработке при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин.

Полученные пленки диоксида титана показали хорошую адгезию к покрытым проводящими слоями поверхностям стеклянных, кварцевых и керамических подложек, а также к металлическим подложкам. Морфология полученных пленок соответствовала параметрам, получаемым при использовании традиционных методов нанесения пленок диоксида титана из растворов.

Примеры осуществления изобретения по получению и применению мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана.

Пример 1

В качестве подложки были использованы образцы стекла ТЕС-8 (Pilkington) размером 5×5 см с нанесенным на одну из сторон стекла проводящим покрытием FTO (Fluoride-doped Tin Oxide) с удельным поверхностным сопротивлением не более 10 Ω/см2. В качестве напыляемого материала был выбран чистый порошок нанокристаллического диоксида титана (Aeroxide Р-25), содержащий наночастицы со средним размером 25 нм, который помещали в пистолет-распылитель «СТАРТ-50». В процессе напыления пистолет располагали на расстоянии 10 см от подложки под небольшим углом относительно нормали к ее поверхности. Напыление проводили в течение примерно 1 мин. Толщина полученной пленки диоксида титана составила ~10,4 мкм. Сразу по завершении процесса напыления пленка диоксида титана обрабатывалась 10%-ным раствором уксусной кислоты путем распыления раствора на поверхность из мелкодисперсного распылителя. Далее стеклянная подложка с нанесенной пленкой подвергалась термообработке в воздушной атмосфере при температуре 400°С в течение 40 мин.

Пример 2

Аналогично примеру 1 мезопористую наноструктурированную пленку диоксида титана получали из коммерческого порошка диоксида титана (Aeroxide Р-25) со средним размером наночастиц 25 нм, который наносили на стеклянные подложки ТЕС-8 (Pilkington) размером 10×10 см в течение 5 мин. Пистолет-распылитель «СТАРТ-50» располагали на расстоянии 20 см от подложки перпендикулярно к ее поверхности. Толщина полученной пленки диоксида титана составила ~20,7 мкм. Поверхность полученной пленки обрабатывалась путем распыления на нее 10%-ного раствора уксусной кислоты из мелкодисперсного распылителя. Последующая термообработка проводилась при температуре 450°С в течение 30 мин. Результаты микроскопического исследования разреза полученной пленки показали, что адгезия к стеклянной подложке и морфология пленки соответствуют параметрам, получаемым при использовании традиционных методов нанесения из растворов. На фиг. 1 приведена фотография стеклянных проводящих подложек размером 10×10 см с нанесенной мезопористой наноструктурированной пленкой диоксида титана. На фиг. 2 представлена микрофотография разреза пленки толщиной ~20,7 мкм, полученной на стеклянной подложке методом электроосаждения.

Пример 3

Аналогично примеру 2 мезопористую наноструктурированную пленку диоксида титана получали из коммерческого порошка диоксида титана (Aeroxide Р-25) со средним размером наночастиц 25 нм на металлической подложке, в качестве который была использована медная фольга толщиной ~300 мкм размером 3×3 см. Процесс нанесения осуществлялся в течение 1,5 мин. Пистолет-распылитель «СТАРТ-50» располагали на расстоянии 10 см от подложки перпендикулярно к ее поверхности. Толщина полученной пленки диоксида титана составила ~12 мкм. Поверхность полученной пленки обрабатывалась путем распыления на нее 10%-ного раствора уксусной кислоты из мелкодисперсного распылителя. Последующая термообработки проводилась в течение 35 мин при температуре 430°С. Результаты микроскопического исследования разреза полученной пленки показали, что адгезия к металлической подложке и морфология пленки соответствуют параметрам, получаемым при использовании традиционных методов нанесения из растворов.

Пример 4. Применение полученных мезопористых наноструктурированных пленок на основе диоксида титана в качестве фотоэлектродов для солнечных элементов

Мезопористые наноструктурированные пленки на основе диоксида титана, полученные по предложенному нами методу электроосаждения, были использованы в качестве фотоэлектродов для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов (МО СЭ).

На фиг. 3 приведена фотография приготовленных таким образом солнечных элементов типа МО СЭ площадью 0,5 см2.

Измерение КПД преобразования солнечной энергии в электрическую в МО СЭ, сконструированных с использованием мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана толщиной около 10 мкм, которые были изготовлены предложенным способом электроосаждения нанопорошков диоксида титана, осуществлялось с использованием измерительного комплекса Keithley SCS-4200. На фиг. 4 приведена фотография дисплея Keythley SCS-4200 с изображением измеренной вольт-амперной характеристики солнечного элемента МО СЭ.

Расчет эффективности (КПД) МО СЭ проводился с использованием измеренных параметров вольт-амперной характеристики, которые в цифровом виде отображаются в левом нижнем углу дисплея измерительного комплекса по окончании процесса измерения: ток короткого замыкания (ISC), напряжение холостого хода (VOC) и фактора заполнения (FF). Для представленной на фиг. 4 кривой соответствующие значения составили:

ток короткого замыкания (ISC) = 1,29 × 10-2 А = 12,9 мА;

напряжение холостого хода (VOC) = 7,1 × 10-1 В = 0,71 В;

фактор заполнения (FF) = 6,16 × -1 = 0,616.

При расчете КПД солнечного элемента учитывалась площадь образца, равная S=0,5 см2, и интенсивность освещения образца имитатором солнечного излучения, которая составляла значение Pin=100 мВт/см2.

КПД солнечного элемента (η) в процентах вычислялся по принятой в фотовольтаике формуле (1), как произведение величины тока короткого замыкания (ISC), напряжения холостого хода (VOC) и фактора заполнения (FF), деленное на мощность падающего солнечного излучения (Pin) и площадь образца S:

КПД (η) элемента МО СЭ, вычисленное с использованием приведенной выше формулы на основе измеренных значений параметров вольт-амперной характеристики, приведенной на фиг. 4, составил величину 11,3%:

η (%)=(12,9×0,71×0,616)/(100×0,5)×100%=11,3%.

Значение КПД в 11,3% для МО СЭ является достаточно высоким и превышает известные из литературных данных величины (в большинстве работ менее 10%) для аналогичных по конструкции элементов МО СЭ с электродами на основе мезопористых наноструктурированных пленок диоксида титана, полученными с использованием традиционных технологий нанесения на подложку.

1. Способ получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления, включающий помещение напыляемого материала в контейнер с выпускным отверстием, заземление твердой подложки, подачу напыляемого материала через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала и приложение разности потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой, термическую обработку, отличающийся тем, что в качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм, полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10%-ной уксусной кислотой, а термическую обработку проводят при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве твердой подложки используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл.



 

Похожие патенты:

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом относится к солнечной энергетике, в частности к способам изготовления фотопреобразователей на трехкаскадных эпитаксиальных структурах GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенных на германиевой подложке.

Изобретение относится к технологиям преобразования солнечной энергии в электрическую. Перовскитная солнечная ячейка представляет собой слоистую структуру, включающую, по меньшей мере, три слоя: два проводящих слоя - р-проводящий и n-проводящий, а также размещенный между ними светопоглощающий слой, при этом один из проводящих слоев выполнен пористым, а светопоглощающий слой имеет перовскитную структуру общей структурной формулой АВХ3, где в качестве А используют Cs+, или СН3МН3+, или (NH2)2CH+, в качестве В используют Pb2+ или Sn2+, в качестве X используют I-, или Br-, или Cl-.

Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД). Предложен способ изготовления фотопреобразователя путем формирования в pin-структуре i-слоя на основе арсенида индия InGaAs между слоями GaAs и AlGaAs на подложках GaAs, при давлении 4⋅10-7-10-8 Па, температуре 600-800°С и скорости роста 2 Å/с.

Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД). Предложен способ изготовления фотопреобразователя путем формирования в pin-структуре i-слоя на основе арсенида индия InGaAs между слоями GaAs и AlGaAs на подложках GaAs, при давлении 4⋅10-7-10-8 Па, температуре 600-800°С и скорости роста 2 Å/с.

Изобретение относится к оптоэлектронным приборам, в частности к нанотехнологиям солнечно-слепых фотодетекторов ближнего ультрафиолетового излучения (БУФИ) на основе 1D наноструктурированного оксида цинка.

Настоящее изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, имеющего долговременную надежность и высокую эффективность, причем упомянутый способ включает в себя: этап нанесения пастообразного электродного вещества на просветляющую пленку, сформированную на стороне светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки, имеющей по меньшей мере pn-переход, причем упомянутое электродное вещество содержит проводящий материал; и этап обжига электрода, включающий в себя локальную термообработку для подачи тепла так, что обжигают по меньшей мере часть проводящего материала посредством облучения лазерным лучом только участка с нанесенным электродным веществом, и термообработку всего объекта для нагревания полупроводниковой подложки целиком до температуры ниже 800°C.

Способ изготовления солнечного элемента включает в себя формирование с высокой производительностью просветляющей пленки, содержащей нитрид кремния, причем упомянутая просветляющая пленка обладает превосходным пассивирующим эффектом.

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводникового фотоприемника (ФП) и может быть использовано при создании матричных ФП различного назначения. Способ изготовления матричного ФЧЭ на основе GaAs, в котором согласно изобретению базовую область МФЧЭ после гибридизации с БИС мультиплексором утоньшают от 500 мкм до 20-40 мкм с помощью ХМП, включающего обработку пластины МФЧЭ вращающимся полировальником, утоньшение проводят сначала ХМП от толщины 500 мкм до 40-50 мкм полирующим составом, содержащим (10,0÷45,0) г/л водного раствора гипохлорита натрия и (0,5÷3,0) г/л водного раствора гидроокиси натрия, а затем проводят с помощью ХМП утоньшение базовой области до толщины 20-40 мкм в полирующем составе, содержащем в качестве комплексообразователя винную кислоту при концентрации 7,0÷70,0% об., окислителя - пероксид водорода при концентрации 7,0÷70,0% об., смазки - этиленгликоль при концентрации 5,0÷15,0% об., остальное - деионизованная вода.

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей.
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к оптоэлектронике, а именно к электропроводящим оптически прозрачным покрытиям на основе оксида индия и олова.

Изобретение относится к устройству для покрытия изделий из стекла пленкой химического соединения на основе оксида металла или смеси оксидов металлов. Упомянутое устройство содержит секцию кожуха для покрытия, образующую внутреннюю камеру с входным отверстием и выходным отверстием, нагнетатель, расположенный во внутренней камере, для переноса воздуха от входного отверстия в направлении выходного отверстия и инжектор, который выполнен с возможностью подачи химического соединения во внутреннюю камеру, при этом инжектор расположен по меньшей мере частично во внутренней камере далее по потоку от нагнетателя и на расстоянии от стороны нагнетания лопасти вентилятора нагнетателя.

Изобретение относится к обработке поверхности эмалированных стальных изделий и может быть использовано в производстве эмалированных стальных изделий, применяемых в химической, фармацевтической, пищевой, нефтяной, газовой промышленности и строительстве.

Изобретение относится к тонкопленочной технологии получения мультиферроиков, а именно получению прозрачных наноразмерных пленок феррита висмута, которые обладают свойствами мультиферроика при комнатной температуре, так как температура Кюри BiFeO3 830°С, а температура антиферромагнитного перехода 370°С, и может быть использовано в производстве магнитооптических устройств записи, хранения и обработки информации.

Изобретение относится к способам ангобирования строительных и отделочных материалов, в частности стеклокремнезита. Способ ангобирования стеклокремнезита включает измельчение и рассев беложгущейся глины, плазменное напыление покрытия на поверхность стеклокремнезита и контроль качества, при этом производят усреднение беложгущейся глины и добавление к ней боя стекла, прошедшего измельчение, рассев и усреднение при массовом соотношении 1:1 соответственно, подачу предварительно подготовленной механической смеси в порошковый питатель и плазменное напыление смеси при мощности плазмотрона 6,0 кВт и расходе плазмообразующего газа 0,4 м3/мин.
Изобретение относится к стекольной промышленности и может быть использовано при производстве различных стеклянных изделий, например, бутылки, листового стекла, а также при производстве изделий из керамики.

Настоящее изобретение относится к низкоэмиссионному стеклу и способу его получения. Низкоэмиссинное стекло содержит низкоэмиссионный слой и слой диэлектрика, сформированный на низкоэмиссионном слое, причем указанное стекло обладает эмиссионной способностью от 0,01 до 0,3 и коэффициентом пропускания в видимой области спектра 80% или более.

Изобретение относится к способу формирования покрытия и покрытию из диоксида титана, содержащему кристаллы с размером кристаллитов менее 35 нм. .
Изобретение относится к области разработки и эксплуатации электрообогреваемых стеклоизделий, представляющих собой прозрачные элементы кабины различных видов транспортных средств.

Изобретение может быть использовано в производстве строительных материалов на известковой или цементной основе, асфальта. Способ восстановления шестивалентного хрома в оксидных твердых материалах включает смешивание оксидного твердого материала, содержащего Cr(VI), с углеродсодержащим соединением.

Изобретение может быть использовано при изготовлении металлооксидных солнечных элементов, сенсоров, систем запасания энергии, катализаторов. Для получения мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида методом электростатического напыления напыляемый материал помещают в контейнер с выпускным отверстием. В качестве напыляемого материала используют сухой нанокристаллический порошок диоксида титана со средним размером частиц 25 нм. Заземляют твердую подложку, в качестве которой используют стекло, кварц, керамику с токопроводящим покрытием или металл. Подают напыляемый материал через выпускное отверстие с образованием потока напыляемого материала. Прикладывают разность потенциалов между выпускным отверстием и твердой заземленной подложкой. Полученную пленку диоксида титана подвергают обработке 10-ной уксусной кислотой. Проводят термическую обработку при температуре 400-450°С в течение 30-40 мин. Изобретение позволяет упростить получение мезопористой наноструктурированной пленки металлооксида, повысить адгезию пленки к поверхности подложки, повысить КПД солнечного элемента при использовании такой пленки в качестве фотоэлектрода для создания металлооксидных сенсибилизированных солнечных элементов. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 пр.

Наверх