Транзистор с балочными выводами

Изобретение относится к области изготовления транзисторов на основе полупроводниковых материалов, предпочтительно полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия. Транзистор с балочными выводами содержит токопроводящие выводы в виде металлической шины/балки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шины/балки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шины/балки не менее 30 мкм, ширина шины/балки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора. Достигаемый технический результат заключается в улучшении эксплуатационных характеристик транзистора за счет уменьшения длины соединительных металлических токоведущих шин/балок от кристалла транзистора до токоведущих дорожек в интегральной микросхеме до выводов в корпусе или кристаллодержателе, уменьшения количества точек приварки шин/балок к токоведущим дорожкам или к контактным площадкам, уменьшения посадочного места транзистора в интегральной микросхеме, а также повышения надежности работы транзистора за счет маленького размера и соответственно веса полупроводникового кристалла. 2 ил.

 

Изобретение относится к области изготовления транзисторов на основе полупроводниковых материалов.

Из предшествующего уровня техники известен транзистор, изготовленный в виде кристалла, на котором сформированы металлические контактные площадки, не выходящие за пределы кристалла, отличающийся тем, что для монтажа транзистора в интегральную схему его необходимо установить в корпус и контактные площадки с помощью соединительной шины/проволоки приварить к выводам корпуса, при этом длина соединительной шины/проволоки, составляющая сотни микрон, ухудшает параметры транзистора.

Также известен транзистор в виде кристалла, размещенного на кристаллодержателе, при этом контактные площадки с помощью соединительной шины/проволоки приварены к выводам кристаллодержателя, отличающийся тем, что соединительная шина/проволока, длина которой составляет сотни микрон, ухудшает параметры транзистора, посадочное место в интегральной схеме для такого транзистора в десятки раз больше размера кристалла транзистора.

Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, заключается в реализации изделия, отвечающего современным требованиям улучшения эксплуатационных характеристик, возможности замены пришедшего в негодность/несоответствующего предъявляемым требованиям транзистора в монолитных интегральных схемах, в уменьшении размеров интегральных микросхем за счет уменьшения посадочного места транзистора, в простоте монтажа в интегральную микросхему, корпус или кристаллодержатель, в уменьшении материалоемкости.

Поставленная задача решается за счет того, что транзистор содержит токопроводящие выводы в виде металлической шины/балки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шины/балки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шины/балки не менее 30 мкм, ширина шины/балки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора.

Балочные выводы предпочтительно изготовлены по технологии контактных площадок.

Предпочтительно:

- ширина балочных выводов 100 мкм,

- толщина 30 мкм,

- длина, выходящая за пределы кристалла, 300-400 мкм, но не более 500 мкм.

Толщина полупроводникового кристалла составляет предпочтительно 20-30 мкм, но не менее 15 мкм.

Балочные выводы предпочтительно выполнены из золота.

Достигаемый технический результат заключается в комплексном улучшении эксплуатационных характеристик транзисторов за счет уменьшения длины соединительной шины/балки, уменьшения количества точек приварки и/или припайки шины/балки к токоведущим дорожкам, уменьшения размеров микросхемы за счет уменьшения посадочного места для транзистора, в возможности замены несоответствующего/сгоревшего транзистора в интегральной микросхеме.

Изобретение поясняется чертежами, которые не охватывают и, тем более, не ограничивают весь объем притязаний данного технического решения, а являются лишь иллюстрирующими материалами частного случая выполнения.

На фиг. 1 изображен внешний вид транзистора с балочными выводами.

На фиг. 2 изображен поперечный разрез А-А на фиг. 1.

Транзистор с балочными выводами содержит полупроводниковый (п/п) кристалл, на котором сформирована активная часть транзистора и металлические контактные площадки. Балочные выводы, являющиеся продолжением контактных площадок, выходят за пределы п/п кристалла предпочтительно на 300-500 мкм.

Длина и ширина п/п кристалла соответствует минимально необходимым размерам активной части транзистора и размерам контактных металлических площадок. Толщина п/п кристалла составляет предпочтительно 20-30 мкм.

Ширина балочных выводов составляет предпочтительно 100 мкм, толщина - предпочтительно 30 мкм.

Балочные выводы предпочтительно выполнены из золота.

Транзистор с балочными выводами изготавливают следующим образом. На пластине из полупроводникового материала изготавливают транзисторы методом диффузии, химического травления, напыления и гальванического осаждения металла. При напылении и гальваническом осаждении металла формируют металлические площадки, соответствующие форме и суммарному размеру контактных площадок к полупроводниковому кристаллу и балочным выводам. Полупроводниковую пластину с изготовленными транзисторами наклеивают лицевой стороной на носитель, преимущественно сапфировую пластину. Толщину полупроводниковой пластины методом химического травления уменьшают до 20-30 мкм. Изготавливают фоторезистивную маску, закрывающую рабочую часть транзистора. Полупроводниковую пластину по резистивной маске стравливают химическим методом до вскрытия балочных выводов.

Работа транзистора с балочными выводами (ТБВ) осуществляется следующим образом.

Работа транзистора ТБВ в составе интегральной микросхемы достигается посадкой транзистора ТБВ на предусмотренное для него место и приваркой балочных выводов к соответствующим токоведущим дорожкам. Маленькая масса полупроводникового кристалла ТБВ позволяет не приклеивать транзистор к подложке.

Транзистор ТБВ может быть использован в монолитной интегральной схеме взамен несоответствующего/пришедшего в негодность транзистора. Для этого транзистор интегральной схемы необходимо залить изолирующим компаундом, перерезать токоведущие дорожки, посадить на его место транзистор ТБВ и приварить балочные выводы к соответствующим токоведущим дорожкам.

Транзистор ТБВ может работать в исполнении корпусном или на кристаллодержателе. Для этого транзистор ТБВ устанавливается на соответствующее место в корпусе/кристаллодержателе и балочные выводы привариваются к выводам корпуса/кристаллодержателя. Во всех перечисленных выше случаях улучшение эксплуатационных характеристик транзистора ТБВ достигается уменьшением длины токоведущих шин/балок за счет уменьшения размеров полупроводникового кристалла, уменьшением в 2 раза точек приварки шин/балок и соответственно уменьшением переходного сопротивления. Повышается надежность работы транзистора ТБВ за счет маленького размера и соответственно веса полупроводникового кристалла.

Транзистор с балочными выводами, характеризующийся тем, что содержит токопроводящие выводы в виде металлической шины/балки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шины/балки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шины/балки не менее 30 мкм, ширина шины/балки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем. .

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. .

Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления. .

Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. .

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. .

Способ изготовления полупроводникового устройства (50), которое содержит первый элемент (10) и второй элемент (20), присоединяемый к первому элементу, содержит: a) образование (Cu,Ni)6Sn5 на Ni пленке (12), сформированной на первом элементе путем плавления первого припоя Sn-Cu (14), содержащего 0,9 вес.

Использование: для микросхемной сборки. Сущность изобретения заключается в том, что микросхемная сборка содержит соединительную подложку с несколькими расположенными на соединительной подложке полупроводниковыми подложками, прежде всего микросхемами, причем расположенные на контактной поверхности микросхем контактные площадки соединены с контактными площадками на соединительной подложке, причем микросхемы боковой кромкой простираются параллельно, а контактной поверхностью - перпендикулярно контактной поверхности соединительной подложки, причем в соединительной подложке расположены сквозные соединения, которые соединяют расположенные на внешней контактной стороне внешние контакты с выполненными на контактной поверхности соединительной подложки в виде внутренних контактов контактными площадками, причем расположенные смежно боковой кромке контактные площадки микросхем соединены с внутренними контактами соединительной подложки посредством переплавленного запаса припоя.

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении фотоприемных устройств, выполненных в виде гибридных микросхем.

Настоящее изобретение относится к устройству (10) электронной схемы, содержащему: подложку (12), имеющую первую поверхность (12a) и вторую поверхность (12b), электронную схему, часть (16) электрического соединения для обеспечения электрического соединения с электронной схемой и расположенную на первой поверхности (12a) и по меньшей мере один электрический провод (18).

Изобретение относится к устройству (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащему подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки.
Изобретение относится к технологии производства приборов электронной техники. Способ изготовления корпуса микросхемы включает изготовление металлокерамического или металлостеклянного основания с монтажными и контактными металлическими площадками, сборку и пайку металлокерамического основания с металлическими деталями корпуса, нанесение слоя никеля и меди поверх никеля и их последующее спекание в защитной или восстановительной газовой атмосфере с образованием плотного медно-никелевого подслоя, нанесение золота на металлические поверхности в качестве финишного покрытия.

Изобретение относится к области силовых корпусов и более конкретно к вводам, выполненным в этих корпусах. Технический результат - предложение ввода, позволяющего минимизировать риски возникновения мультипакторных эффектов, и обеспечение возможности функционирования ввода при передаче сигналов повышенной мощности.

Изобретение относится к области силовых корпусов и более конкретно к вводам, выполненным в этих корпусах. Технический результат - предложение ввода, позволяющего минимизировать риски возникновения мультипакторных эффектов, и обеспечение возможности функционирования ввода при передаче сигналов повышенной мощности.

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют конфигурацию, соответствующую конфигурации контактных площадок кристалла полупроводникового прибора, и предназначены для непосредственного соединения с последним.
Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей. Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность пленки катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → жидкая капля → кристалл, при этом катализатор выбирают из металлов, образующих с кремнием фазовую диаграмму с вырожденной эвтектикой, причем молярное отношение компонентов газовой фазы поддерживают в интервале 0,01≤n≤0,025. Далее на подложку наносят пленку катализатора не более 2 мкм, а осаждение кристаллизуемого вещества ведут до полного израсходования катализатора. Изобретение позволяет получать острийные нанокристаллы кремния с ультратонкой вершиной (с радиусом кривизны поверхности вблизи вершины менее 50 нм), что обеспечивает их высокую функциональную способность, а относительно толстое основание – хорошую механическую прочность при больших циклических нагрузках и вибрации. 1 ил., 5 пр.

Изобретение относится к области изготовления транзисторов на основе полупроводниковых материалов, предпочтительно полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия. Транзистор с балочными выводами содержит токопроводящие выводы в виде металлической шиныбалки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шиныбалки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шиныбалки не менее 30 мкм, ширина шиныбалки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора. Достигаемый технический результат заключается в улучшении эксплуатационных характеристик транзистора за счет уменьшения длины соединительных металлических токоведущих шинбалок от кристалла транзистора до токоведущих дорожек в интегральной микросхеме до выводов в корпусе или кристаллодержателе, уменьшения количества точек приварки шинбалок к токоведущим дорожкам или к контактным площадкам, уменьшения посадочного места транзистора в интегральной микросхеме, а также повышения надежности работы транзистора за счет маленького размера и соответственно веса полупроводникового кристалла. 2 ил.

Наверх