Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния


Y10S977/84 -
Y10S977/84 -
Y10S977/814 -
Y10S977/814 -
Y10S977/762 -
Y10S977/762 -
Y10S977/70 -
Y10S977/70 -
H01L29/0669 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы
H01L21/02439 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

Владельцы патента RU 2648329:

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт. Изобретение обеспечивает возможность получения ННК с диаметрами от 10 до 100 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих малый разбаланс поперечных размеров. 6 пр.

 

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноструктурированных материалов, предназначено для выращивания на кремниевых подложках по схеме пар → капельная жидкость → кристалл (ПЖК) ННК Si с диаметрами от 10 до 100 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих малый разбаланс поперечных размеров.

В настоящее время известен способ создания регулярно-упорядоченных систем наноразмерных ННК, использующий в своей основе принцип задания одинаковых размеров частиц металла-катализатора. В [Gudiksen M.S., Lieber С.М. Diameter-selective synthesis of semiconductor nanowires // J. Am. Chem. Soc.; (Communication); 2000; 122(36); pp. 8801-8802] в процессе пиролиза моносилана (SiH4+10% Не) с малым разбросом диаметров были выращены ННК с использованием коллоидных частиц Au на поверхности Si-SiO2. Для этого на гладкую подложку из Si-SiO2 осаждали «нанодробинки» Au диаметром 8,4±0,9 нм из раствора коллоидного золота. Затем подложку с осажденными частицами Au помещали в печь. Поперечные размеры нанокристаллов составили: 6,4±1,2 нм; 12,3±2,5 нм; 20,0±2,3 нм и 31,1±2,7 нм. Недостатками способа [Gudiksen M.S., Lieber С.М. Diameter-selective synthesis of semiconductor nanowires // J. Am. Chem. Soc.; (Communication); 2000; 122(36); pp. 8801-8802] является большой разброс по диаметрам выращиваемых кристаллов (5-30%), неравномерность распределения кристаллов по поверхности подложки и невозможность обеспечить идентичность размеров капель коллоидного Au.

Известен способ выращивания регулярных систем ННК Si, описанный в [Патент РФ №2117081, МПК6 С30В 029/62, 025/02 / А.А. Щетинин, В.А. Небольсин, А.И. Дунаев, Е.Е. Попова, П.Ю. Болдырев], в котором маскирование поверхности гладкой кремниевой пластины осуществляется с помощью фотолитографии фоторезистом, а металл-катализатор наносят посредством электрохимического осаждения островков из раствора электролита. Недостатком этого способа является непригодность для создания наноразмерных ННК с диаметрами существенно менее 1000 нм из-за физических пределов применяемых фотолитографических методов, поскольку не удается применяемыми методами фотолитографии в фоторезисте сформировать цилиндрические отверстия диаметрами существенно менее 250 нм. А создание отверстий в фоторезисте с поперечными размерами гораздо менее 250 нм является главным необходимым условием формирования одинаковых по размеру наночастиц металла-катализатора ПЖК-роста наноразмерных нитевидных кристаллов.

Также известен способ выращивания регулярных систем ННК кремния, предложенный в [Патент РФ №2336224, МПК6 С30В 029/62, 025/00 / В.А. Небольсин, А.А. Щетинин, А.И. Дунаев, М.А.Завалишин]. Отличие этого способа состоит в том, что цилиндрические отверстия в фоторезисте создают диаметром менее 250 нм импринт-литографией, островки металла толщиной менее 12,5 нм осаждают из раствора электролита, после чего удаляют фоторезист в 5% - растворе плавиковой кислоты. Недостатками способа является необходимость применения дорогостоящего литографического оборудования, наличие большого количества технологических операций, необходимость прецизионного совмещения элементов при проведении ИМПРИНТ-литографии.

Наиболее близким техническим решением, выбранным нами в качестве прототипа, является способ выращивания ННК полупроводников, предложенный в [Патент РФ №2526066, МПК6 С30В 29162 В82В 3/00 / В.А. Небольсин, А.А. Долгачев, А.И. Дунаев, С.С. Шмакова]. В данном способе перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь пластину Si легируют фосфором до удельного сопротивления 0,008-0,018 Ом⋅см и анодируют длительностью не более 5 мин с подсветкой галогенной лампы в смеси 48%-ного раствора HF и С2Н5ОН (96%) в соотношении 1:1, причем плотность тока анодизации поддерживают на уровне не менее 10 мА/см2, а наночастицы катализатора наносят электроннолучевым напылением пленки металла толщиной не более 2 нм.

Недостатком данного способа является невозможность получения ННК с диаметрами более 10 нм.

Изобретение направлено на получение нитевидных нанокристаллов кремния, имеющих малый разбаланс поперечных размеров. Это достигается тем, что перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла с общим обозначением Me, где Me выбирается из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Ме(NO3)х, где Me - одно из химических веществ ряда Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.

Способ выращивания ННК Si, имеющих диаметры от 10 до 100 нм, осуществляется следующим образом. На поверхность кремниевой пластины с кристаллографической ориентацией (111) электронно-лучевым напылением наносят тонкую пленку Ti. Затем при определенной плотности тока, времени процесса и заданном составе электролита, представляющего собой фторид аммония (NH4F) в этиленгликоле, осуществляется анодирование пленки Ti, являющейся анодом электрохимической ячейки. Таким образом в пленке формируют равномерно распределенные по ее поверхности поры с приблизительно одинаковыми диаметрами порядка нескольких десятков нанометров. В дальнейшем на анодированную поверхность Ti осаждением Ni из раствора заданного состава, при определенной длительности процесса и воздействии на раствор ультразвуком, наносят наночастицы катализатора. Затем подложка помещается в кварцевый реактор, продуваемый водородом, нагревается до температуры роста ННК. В течение нескольких минут в водороде производится сплавление наночастиц металла с подложкой. Затем в газовую фазу подается питающий материал и производится выращивание ННК.

Напыление пленки Ti определяется тем, что титан имеет очень хорошую адгезию к кремнию и при анодировании дает нанопористую структуру, представляющую собой систему равномерно распределенных нанопор или скважин с диаметрами в интервале от 10 до 100 нм в зависимости от времени анодирования. Анодирование Ti представляет собой два параллельных процесса: окисление Ti до TiO2 и селективное растворение TiO2 с образованием нанопор.

Наличие в растворе электролита NH4F является необходимым условием для получения нанопористой структуры пленки TiO2. Ионы F-1 оказывают активирующее действие на поверхность Ti, покрытого оксидным слоем.

Выбор в качестве растворителя для электролита органического этиленгликоля обусловлен необходимостью повышения вязкости раствора, поскольку в водных фторсодержащих средах TiO2 растворяется с большой скоростью.

Поддержание плотности анодного тока в интервале от 5 до 20 мА/см2 и длительности процесса анодирования от 5 до 90 мин определяется тем, что при плотности тока электролиза менее 5 мА/см2 и длительности процесса менее 5 мин нанопористая структура Ti не формируется, а при токе более 20 мА/см2 и времени процесса более 90 мин диаметр пор возрастает до 110-140 нм, что находится за пределами принятого наноразмерного диапазона (1-100 нм), при этом отдельные поры могут объединяться в более крупные кластеры.

Осаждение Me (где Me выбирается из ряда Ni, Ag, Pd) из раствора, имеющего общую формулу Ме(NO3)х, где Me - одно из химических веществ ряда Ni, Ag, Pd; х=1-2) на анодированную поверхность Ti определяется тем, что Ni, Ag, Pd являются эффективными металлами-катализаторами для роста ННК, их можно осаждать только в отверстия нанопор, поскольку пленка TiO2 между порами обладает барьерными свойствами и не позволяет осуществить контакт кремния с металлом-катализатором на всей поверхности пластины, и в результате данного процесса в течение 1-2 мин формируется единственная капля металла-катализатора в объеме каждой поры, позволяющая выращивать из каждой нанопоры единственный ННК. При длительности осаждения менее 1 мин объем осадка недостаточен для формирования единственной капли катализатора, и в последующем капля разбивается на несколько более мелких капель, что приводит к неконтролируемому росту из одной поры нескольких кристаллов. При времени процесса осаждения более 1,5 мин объем осадка Ni превышает объем нанопоры, что также приводит к разбиению капли и росту множественных ННК.

Применение ультразвукового воздействия с мощностью ультразвукового генератора 60 Вт на раствор Me(NO3)x определяется тем, что ультразвук обеспечивает непрерывное перемешивание раствора и разрушение крупных частиц, способствуя тем самым проникновению осадка Me в наноразмерные поры и наиболее плотному их заполнению. Мощность ультразвукового генератора 60 Вт соответствует оптимальной мощности, при которой осуществляются лучшие условия для проникновения металла внутрь нанопор.

Использование предлагаемого способа позволяет существенно облегчить решение проблемы создания наномасштабных устройств на базе ННК. Способ может быть использован в технологиях изготовления солнечных элементов нового поколения на основе модифицированных ННК фотоэлектрических структур, вертикальных полевых транзисторов с оболочковым затвором, оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, чувствительных элементов биологических и химических датчиков и др.

Примеры осуществления способа.

Пример 1.

На исходные пластины Si КДБ (111) электронно-лучевым напылением на установке ВАК 501 наносилась пленка Ti толщиной 500 нм. Затем в течение 5 мин осуществлялось электрохимическое анодирование напыленной пленки в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока составляла 10 мА/см2. В результате, на поверхности кремниевой пластины формировалась нанопористая структура оксидной пленки TiO2 с размерами пор 30-40 нм. После анодирования на поверхность пластины осаждением из 0,1 М раствора Ni(NO3)2 в нанопоры TiO2 наносились частицы Ni с последующей отмывкой в дистиллированной воде и сушкой. Температуру раствора поддерживали в интервале от 273 К до 370 К. Осаждение осуществлялось при воздействии на раствор ультразвуком при мощности источника 60 Вт. Время осаждения составляло 100 с. Подготовленные подложки разрезались и помещались в ростовую печь. В течение 2-10 минут при температуре 900-1100°С осуществлялось сплавление никеля с Si и формировались нанокапли расплава Ni-Si. Затем в газовую фазу подавали SiCl4 при мольном соотношении MSiCl4/MH2=0,008 и выращивали ННК Si. Время выращивания составляло (2-10) минут в зависимости от необходимой длины нанокристаллов. Кристаллы Si имели постоянный по длине диаметр 40±5 нм и длину ~1-2 мкм.

Пример 2.

Выращивание ННК Si проводилось аналогично примеру 1, но в качестве металла-катализатора ПЖК-роста использовалось Ag, осаждаемое из раствора AgNO3. Выращенные ННК имели диаметр, уменьшающийся от основания к вершине от 70-80 нм до 10-20 нм, и длину 0,20-0,25 нм.

Пример 3.

Выполнение изобретения осуществлялось аналогично примеру 1, но в качестве металла-катализатора ПЖК-роста использовался Pd, осаждаемый из раствора Pd(NO3)2. Полученные результаты соответствовали результатам примера 1.

Пример 4.

Выполнение изобретения осуществлялось аналогично примеру 1, но продолжительность электролиза составляла 10 мин. Полученные результаты соответствовали результатам примера 1, но диаметры выращенных нанокристаллов составляли 80-100 нм.

Пример 5.

Выполнение изобретения осуществлялось аналогично примеру 1, но в качестве металла-катализатора ПЖК-роста использовался Pd, осаждаемый из раствора Pd(NO3)2, а величина анодного тока составляла 5 мА/см2. Выращенные ННК имели диаметр 20±0,2 нм и длину ~1,5 мкм.

Пример 6.

Выполнение изобретения осуществлялось аналогично примеру 1, но в газовую фазу подавали тетрахлорид кремния (SiCl4) и тетрахлорид германия (GeCl4) и выращивали ННК твердого раствора SixGe1-x. Соотношение объемных концентраций SiCl4 и GeCl4 составляло 1:1. Полученные результаты соответствовали результатам примера 1.

Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния, включающий подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, отличающийся тем, что перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину кремния наносят пленку титана и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла с общим обозначением Me, где Me выбирается из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - одно из химических веществ ряда Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп.

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в ВЧ и СВЧ устройствах усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре интегральных микросхем различного функционального назначения (например, избирательных усилителях, смесителях, генераторах и т.п.).

Изобретение относится к нанополупроводниковому приборостроению и может быть использовано в устройствах спиновой электроники (спинтроники) в качестве спинового фильтра.

Использование: для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Сущность изобретения заключается в том, что транзистор с металлической базой, содержащий эмиттер, базу из материала с металлической проводимостью и коллектор, при этом между эмиттером и базой сформирован барьер Шотки, эмиттер выполнен из полупроводникового материала с n+-типом проводимости, коллектор - из материала с n-типом проводимости, причем между базой и коллектором размещен тонкий буферный слой из материала с p-типом проводимости, при этом между базой и буферным слоем сформирован омический контакт, а между буферным слоем и коллектором - p-n-переход.

Использование: для изготовления полевых эмиссионных элементов на основе углеродных нанотрубок. Сущность изобретения заключается в том, что прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, содержит полупроводниковую подложку, на поверхности которой сформирован изолирующий слой, катодный узел, расположенный над изолирующим слоем, состоит из токоведущего слоя катодного узла, каталитического слоя и массива углеродных нанотрубок (УНТ), расположенных на поверхности каталитического слоя перпендикулярно его поверхности, опорно-фокусирующую система, состоящая из первого диэлектрического, затворного электропроводящего и второго диэлектрического слоев, содержит сквозную полость, анодный токоведущий слой, расположенный на внешней поверхности второго диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, в котором сформированы сквозные технологические отверстия, катодный узел дополнительно содержит слой проводящего материала, который расположен в сквозной полости на боковой поверхности первого диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, высота углеродных нанотрубок одинакова по всей площади массива, на поверхности массива углеродных нанотрубок расположен слой интеркалированного материала, а токоведущий слой катодного узла и слой проводящего материала катодного узла обладают адгезионными свойствами.

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения тонкого легированного примесью слоя в кремнии для создания мелко залегающих p-n-переходов.

Использование: для изготовления СВЧ полевого транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют создание n+-n-i-типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, при этом после формирования n+-n-i-типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре проводится дополнительное легирование пластины ионами кремния и имплантация в пластину ионов бора, вследствие чего значительно сокращается канал транзистора, а на открытой поверхности n+-n-i-структуры формируется пассивный слабопроводящий слой.

Изобретение относится к области химической технологии высокомолекулярных соединений. .

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для определения заданного уровня тока в диапазоне от 150 мА и выше. .

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к материалам, воздействующим на электромагнитные поля с целью управления ими и их преобразования, и может быть использовано при создании гетероэлектриков с наперед заданными оптическими, электрическими и магнитными характеристиками.

Настоящее изобретение относится к области технологий отображения жидкокристаллическими устройствами и, в частности, к способу изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния, включающему: выращивание буферного слоя и затем слоя аморфного кремния на подложке; нагрев слоя аморфного кремния до температуры выше комнатной и выполнение предварительной очистки поверхности слоя аморфного кремния; использование отжига эксимерным лазером (ELA) для облучения слоя аморфного кремния, предварительно очищенного на предыдущем этапе, чтобы преобразовать аморфный кремний в поликремний.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к области изготовления гетероэпитаксиальных слоев монокристаллического кремния различного типа проводимости и высокоомных слоев в производстве СВЧ-приборов, фото- и тензочувствительных элементов, различных интегральных схем с повышенной стойкостью к внешним дестабилизирующим факторам.

Изобретение относится к системам автоматической очистки солнечных панелей. Устройство очистки солнечной панели, содержащее источник питания, соединенный с солнечной панелью, датчики контроля загрязнения и провода, расположенные на поверхности солнечной панели, отличающееся тем, что провода выполнены с возможностью колебания и переплетены друг с другом в виде решетки, установленной на поверхность солнечной панели, при этом в качестве источника питания используют источник переменного тока, а датчики контроля загрязнения выполнены в виде датчиков натяжения проводов, расположенных по всей внешней грани решетки из проводов.

Изобретение относится к технологии монтажа микроэлектронных компонентов в модули с встроенными в плату компонентами. Технический результат - упрощение процесса изготовления микроэлектронных узлов, увеличение плотности упаковки компонентов, улучшение массогабаритных характеристик сборочного узла.

Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп.

Использование: для создания поворотного устройства позиционирования. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит кольцевой магнитопровод, генерирующий магнитное поле по кольцевому воздушному зазору, по меньшей мере три якоря, каждый из которых включает в себя множество катушек, по меньшей мере частично расположенных в кольцевом воздушном зазоре, и каждый из которых выполнен с возможностью генерирования силы левитации в направлении левитации, ортогональном кольцевому магнитопроводу, и движущей силы в направлении приведения в движение вдоль кольцевого магнитопровода, причем упомянутые якоря расположены в различных угловых положениях вдоль упомянутого кольцевого магнитопровода, и контроллер для подачи токов на упомянутые якоря для индивидуального управления генерированием силы левитации и/или движущей силы посредством упомянутых якорей для осуществления вращательного движения и/или движения качания, и/или поступательного движения упомянутого кольцевого магнитопровода.

Изобретение может быть использовано при пайке многокристальных силовых полупроводниковых приборов в восстановительной или инертной среде. В отверстие многоместной кассеты предварительно вставляют вспомогательную стеклянную втулку и загружают соединяемые детали сборки полупроводникового прибора, выполненные в виде полупроводниковых кристаллов, теплоотводов и выводов.

Настоящее изобретение касается аммиачных композиций, включающих в себя по меньшей мере одно гидроксоцинковое соединение и по меньшей мере два соединения элементов 3-й главной подгруппы.

Изобретение относится к устройству и способу удаления покрытия с подложки. Устройство, предназначенное для удаления покрывающего слоя, в частности фоточувствительной краски, с кромочного участка круглой подложки, имеющей неоднородности вдоль своей окружности, содержит сопло для подачи струи растворителя, приемный элемент для удержания, позиционирования, скольжения и/или регулирования ориентации подложки, поворотный силовой привод для обеспечения поворота приемного элемента и линейный силовой привод и/или линейную направляющую для обеспечения скольжения приемного элемента относительно сопла.

Настоящее изобретение относится к области технологий отображения жидкокристаллическими устройствами и, в частности, к способу изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликремния, включающему: выращивание буферного слоя и затем слоя аморфного кремния на подложке; нагрев слоя аморфного кремния до температуры выше комнатной и выполнение предварительной очистки поверхности слоя аморфного кремния; использование отжига эксимерным лазером (ELA) для облучения слоя аморфного кремния, предварительно очищенного на предыдущем этапе, чтобы преобразовать аморфный кремний в поликремний.

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мАсм2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Mex, где Me - Ni, Ag, Pd; х1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт. Изобретение обеспечивает возможность получения ННК с диаметрами от 10 до 100 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих малый разбаланс поперечных размеров. 6 пр.

Наверх