Способ защиты пленочных элементов микросхем
298087
Союз Советски»
Социалистически»
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
МПК Н 05k 3/14
Заявлено 28.111.1969 (№ 1315927/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 11.111.1971. Бюллетень ¹ 10
Дата опубликования описания, 13Л .1971
Комитет по делам изобрвтеиий и открытий при Совете Мииистров
СССР
УДК 621.3.049,75 (088.8) Авторы изобретения
А. С. Косенков, Г. И. Павленко и В. И. Попов „ РС:- .:.."- ;-:, ;;=
Заявитель
СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
МИКРОСХЕМ
Изобретение относится к области радиотехники, а именно к способам защиты пленочных элементов микросхем, например контактных площадок и проводящих шин, от воздействия атмосферы и влаги.
Известен способ защиты контактных площадок на основе меди путем последующего покрытия никелем.
Недостатком известного способа является то, что он не обеспечивает неизменности параметров пленочных резисторов и требует электроннолучевого нагрева навески, что повышает стоимость оборудования.
Цель изобретения обеспечение неизменности параметров пленочных резисторов, упрощение технологического цикла и снижение стоимости готовой продукции, Это достигается тем, что подложку с напыленными пленочными элементами перед покрытием защитным материалом нагревают в вакууме до температуры 393 — 453 К и, регулируя скорость сублимации защитного материала температурой испарителя, производят конденсацию его на защищаемые элементы с одновременным полым отражением от резистивных пленочных элементов микросхем.
Изобретение поясняется чертежом, на котором обозначены медные площадки 1, пленка кадмия 2, резистивные элементы 3, подложка 4.
Микросхему с защищаемыми элементами помещают в вакуумную камеру, нагревают до температуры 393 — 453"K и, управляя скоростью испарения элемента с высокой упругостью паров, например кадмия или цинка, путем регулировки температуры испарителя, добиваются избирательной конденсации элемента только на поверхность защищаемых элементов при полном отражении от неметаллн10 зированных частей подложки и от пленочных резистивных элементов. При этом, ввиду высокой диффузной способности кадмия или цинка, получают полное покрытие всей поверхности пленочного элемента, в том числе и боко1 вых частей
Применяя указанный метод, исключают одну операцию по фотолитографическому травлению покрытия, поскольку элемент конденсируется исключительно на защищаемые эле20 менты.
Проверка метода показала, что при температуре подложки 393 К, расстоянии от испарителя до подложки 0,15 м, скорсти роста около 0,5 нм/сек, температуре пспарителя
25 513"К и давлении остаточных газов не более
1,33322 10 -н/м хорошо воспроизводят покрытие медных площадок блестящей и достаточ но плотной пленкой кадм ня. Ipll этОм на поверхность резистивных элементов на основе
30 состаренного тантала или металло-диэлектри298087
Предмет изобретения
Составитель А, Мерман
Редактор А. В. Корнеев Техред Л. Л. Евдонов Корректор О. С. Зайцева
Заказ 1168(8 Изд. № 514 Тираж 473 Подписное
UHIM1lM Комитета по д лам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4у5
Типография, пр. Сапунова, 2 ческих смесей и на немегаллизированные части подложки покрытие не конденсируют.
Способ защиты пленочных элементов микросхем, например контактных площадок и шин, содержащих также и резистивные пленочные элементы на основе чистых металлов и сплавов, материалом с высокой упругостью пара (например, кадмием или цинком) путем сублимации в вакууме при полном его отражении от диэлектрической поверхности подложки, отличаюшийся тем, что, с целью обеспечения неизменности параметров пленочных резисторов, упрощения технологического цикла и снижения стоимости готовой продукции, подложку с напыленными пленочными элементами перед покрытием защитным материалом нагревают в вакууме до температуры 393—
453 К и, регулируя скорость сублимации защитного материала температурой испарителя, 10 производят конденсацию его на защищаемые элементы с одновременным полным отражением от резистивных пленочных элементов микросхем.
