Патент ссср 306595

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

306595

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 13.Х.1969 (№ 1367301/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 1I.V1.1971. Бюллетень ¹ 19

Дата опубликовашгя описания 19Х11.1971

МПК Н 05k 3/14

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 539.231.002.5 (088.8) Авторы изобретения

А. А. Алексеюнас, А. А. Рибикаускас и В. Б. Толутис

Институт физики полупроводников АН Литовской ССЧ

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖНЫХ МИКРОСХЕМ

Известен способ получения сложных микросхем с применением проволочной сетки и набора масок.

Цель изобретения — расширение диапазона структур сложной конфигурации.

Для этого, согласно предложенному способу, на проволочную сетку накладывают дополнительную сетку, смещенную под углом к первой, и осуществляют процесс осаждения.

На чертеже изображено устройство для осуществления предложенного способа.

Устройство содержит сетки 1, 2, состоящие из пучков натянутых, строго параллельных, лежащих в одной плоскости проволочек, и маску 8. Сетка 2 наложена на сетку 1 под углом а.

Осажденный слой имеет вид ромбиков 4, соединенных полосками 5 в группы-площадки б сложной конфигурации. Между площадками имеется зазор — пилообразная линия 7, длина которой равна где 1 — длина пилообразной линии между площадками;

1 — длина площадок; а — угол между пересекающимися сетками.

При постоянной длине площадок в зависимости от угла пересечения сеток длина пило. образной линии может превышать длину площадок на порядок и больше, что соответствует уменьшению сопротивления между площадками на порядок и больше.

Предлагаемый способ получения сложных

10 микросхем позволяет в строгом геометрическом порядке покрывать большие площади.

Пилообразная линия зазора по сравнению с прямой линией зазора между площадками намного увеличивает рабочую длину зазора, что

15 позволяет уменьшать длину площадок, т. е. занимаемую ими площадь.

Предмет изобретения

2Q Способ пол ения сложных микросхем, основанный на осаждении пленок через проволочную сетку и набор масок, отличхющийся тем, что, с целью расширения диапазона структур сложной конфигурации, на прово25 лочную сетку накладывают дополнительную сетку, смещенную под углом к первой, и oc)"ществляют процесс осаждения.

306595

Составитель А. Мерман

Тсхрсд Л. Я. Левина

Корректор Г. С. Мухина

Реда ктор Т. 3. Орловская

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1966/3 Изд. № 846 Тираж 473 Подписное

Ц1-1ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4(5

Патент ссср 306595 Патент ссср 306595 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и их конструкции и может быть использовано в приборостроении, радиоэлектронике и других областях техники
Изобретение относится к приборостроительной и электронной промышленности, а именно к изготовлению печатных плат

Изобретение относится к приборостроительной и электронной промышленности, а именно к изготовлению печатных плат
Изобретение относится к приборостроительной и электронной промышленности, а именно к изготовлению печатных плат

Изобретение относится к способу формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к способам изготовления гибридных интегральных схем, и может быть использовано при формировании многослойных металлизационных структур
Наверх