Патент ссср 357621

 

35762!

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Olios Советокиа

Социал истичвсиил

Рос отблик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 19.Ч1.1970 (№ 1450786/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 31.Х.,1972. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 25.1.1973

М. Кл. Н ОЦ 9/12

Н 011 39/16

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.383:032.21 (088.8) Авторы изобретения

О, М. Сорокин, В. A. Бланк и Г. А. Лебедева

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФТОРИСТЫХ ФОТОКАТОДОВ

Изобретение относится к способам изготовления фотокатодов, в частности фтористых фотокатодов.

Известны способы изготовления фтористых фотокатодов, чувствительных в области вакуумного ультрафиолета, включающие термическое напыление слоев металлов и фторидов.

Однако в таких способах имеет место нарушение стехиометрии получаемых фотокатодов, из-за чего не удается снизить чувствительность в области длин волн, превышающйх

150 мм.

Предлагаемый способ обеспечивает снижение длинноволновой чувствительности благодаря тому, что слой металла или фторида, заранее напыленный на подложку, фторируют с поверхности до полной стехиометрии фтором, образующимся при разложении фторосодержащего соединения, например вблизи поверхности подложки.

Вакуумный объем, в котором установлена подложка с нанесенным на нее слоем металла (щелочного или щелочноземельного) или фторида одного из этих металлов, откачивают до давления 10 — мм рт. ст. с помощью безмасляного насоса (например, парортутного).

Подложку нагревают до температуры

300+ 10 С, перекрывают откачку и нагревают бюксу с XeF до — 50 С, что приводит к созданию в объеме давления паров XeF 2 — 4 мм рт. ст. Вблизи горячей поверхности подложки происходит разложение (пиролиз) XeF, и атомарный фтор активно реагирует со слоем, 5 компенсируя недостаток в нем фтора. Атомарное состояние фтора резко повышает его активность при фторировании; ксенон, выделяющийся при пиролизе, инертен и не вступает во взаимодействие с веществом слоя. Удобным

10 обстоятельством является и малая температура диссоциации XeF при большой упругости пара.

Фотокатод, полученный по предлагаемому способу, обладает резко пониженной чувстви15 тельностью в длинноволновой области (выше

150 мм), что имеет большое значение для разработки солнечно-слепых фотоприемников, П р ед м ет изобретения

20 Способ изготовления фтористых фотокатодов, чувствительных в дальней ультрафиолетовой области спектра, включающий нагрев напыленных слоев металлов и фторидов, отличающийся тем, что, с целью снижения чувст25 вительности в видимой и ближней ультрафиолетовой области спектра, напыленные слои нагревают до температуры 290 — 310 С и на поверхности этих слоев разлагают пары фторосодержашего соединения, например XeF,