Слособ удаления фоторезиста
399089
ОПИСАНИЕ
ИЗОЬЕИТИНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистим вских
Республик .
Зависимое от авт. свидетельства Хо
Заявлено 09. I 11.1972 (№ 1756507/26-9) М. Кл. Н 05k 3/00 с присоединением заявки №
Приоритет
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Опубликовано 27.IX.1973. Бюллетень № 38
Дата опубликования описания 8.1.1974
УДК 771.71:621.3.042.75 (088.8) Авторы изобретения
Н. Ф. Карантиров и Г. Ф. Васильев
Заявитель
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА
Изобретение относится к области технологии производства радиоэлектронных деталей и может быть использовано при изготовлении элементов микросхем.
Известен способ удаления фоторезпста с 5 поверхности радиоэлектронных изделий, в частности элементов микросхем, путем растворения фоторезиста в щелочном растворе.
Недостатком известного способа является загрязнение элементов микросхемы ионами 10 щелочных металлов, например калия, натрия и лития, и разрушение некоторых элементов микросхем, например алюминиевых контактов и проводников, в результате высокой концентрации ионов гидроксила щелочи. 15
С целью устранения разрушения и загрязнения элементов микросхемы по предлагаемому способу растворение фоторезиста осуществляют в водном растворе гидрата гидразина. 20
Предлагаемый способ осуществляется следующим образом.
Изделие, например микросхему, с задубленным слоем фоторезиста помещают рисунком вверх в кипящий водный щелочной раствор, не содержащий ионов щелочных металчов, при концентрации гидроксильных гру пп
5) 10=, например, в азина, разбавленный до 25 крат (в зависи- 30 мости от материала подложки и степени задубленности фоторезиста). Растворение задубленного слоя фоторезиста производят в течение 2 — 5 яин, после чего микросхему извлекают, промывают деионизованной водой и высушивают. Разбавление гидрата гидразина водой (регулируется водородный показатель раствора) производят непосредственно перед удалением задубленного слоя фоторезиста.
Выбор предлагаемого состава для удаления задубленного слоя фоторезиста обусловлен тем, что гидрат гидразина является хорошим понизпрующим растворителем, обеспечивающим постоянное присутствие в растворах на его основе ионов (ОН), способствующих разрушению кислотостойких фоторезистов, например, на основе нафтохинондиазидов. Состав практически не действует на ряд металлов и окислов, например алюминий, медь, олово, тантал, никель, SiOq, Та 05, А1еОз, Я4 х- и др.
Качество поверхности элементов интегральных микросхем после удаления задубленного слоя фоторезиста соответствует требованиям фотолитографии и техническим условиям на упомянутые микросхемы. Контроль качества поверхности элементов микросхем осуществляют с помощью микроскопа NEP-2,, 4ф.
399089
Составитель E. Ковалева
Техред Л, Богданова
Корректоры: О. Кудинова и T. Гревцова
Редактор A. Морозова
Заказ 3611/1О Изд. № 1998 Тираж 755 Подписйое
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
MHH-4, а также измерением электрофизических характеристик микросхемы.
Предмет изобретения
Способ удаления фоторезиста с поверхности радиоэлектронных изделий, в частности элементов микросхемы, путем растворения фоторезиста в щелочном растворе, отличаюи4ийся тем, что, с целью устранения разрушения и загрязнения элементов микросхемы, растворение осуществляют в водном растворе гидрата гидразина.
