Подложка дя магнито-пленочного запоминающего устройства

Авторы патента:

РЕНЕ ФЕРНАНД ВИКТОР ЖИРАР

ХУБЕРТ ЛЮСЬЕН ЛУИЗ БАТОН

G11C11/14 - тонкопленочных

ЛИС

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (») 5И880

Союз Советских

Социалистимеских

Республик

К ПАТЕНТУ (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 21.05.71(21) 1655092/18-24 (23) Приоритет вЂ” (32) 26.05.70 (31) 7019135 (ЗЗ) Франция (51) М. Кл 2

0 11С 11/14

Государстаенный комитет

Сонета Министроа СССР по делам изооретений и открытий (43) Опубликовано 25.04.76,Бюллетень № 1 5 (53) УQK (088.8) (45) Дата опубликования описания07.09. 76 (72) Авторы Иностранцы изобретения рене Фернанд Виктор Жирар и Хуберт Люсьен Луиз Батон (Франция) Иностранная фирма

"Сосьете Энцюстриель Хоневел Бюль" (Франция) (71) Заявитель (54) ПОДЛОЖКА ДЛЯ МАГНИТОПЛЕНОЧНОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известна подложка для магнитопленочного запоминающего устройства, содержащая металлический провод, выполненный из меднобериллиевого сплава, с нанесенным на него металлическим слоем.

Однако невысокие механические свойства известной подложки приводят к снижевЂ” нию надежности магнитопленочного запоминающего устройства и его помехоустойчивости.

Предлагаемая подложка отличается тем, что металлический слой выполнен из сплава никеля с оловом, в котором никеля со- 15 держится 2 9-40%.

Это позволяет повысить надежность и помехозащищенность подложки.

На фиг. l схематически изображена предлагаемая подложка, разрез; на фиг. 2 вЂ” 20 схема устройства, используемого для изготовления подложки и для нанесения на последнюю элементов памяти, Подложка l содержит металлический провод 2 малого диаметра, например поряд- 25 ка 60 мк, покрытый слоем 3 из сплава никеля с оловом, причем этот сплав содержит примерно 29-40% никеля. Подложка может быть покрыта магнитным слоем 4 с одноосной магнитной анизотропией для получения элемента памяти, который мовЂ” жет использоваться для изготовления элементов магнитнои памяти с тонкими магнитньтми пленками. Провод 2 выполняют из материала, хорошо проводящего электричество, например серебра, меди, алюминия. В данном случае этим материалом является сплав никеля с бериллием. Слой 3 сплава никеля и олова на провод 2 осаждают электролизом.

Устройство, изображенное на фиг. 2, позволяет не только получить предлагаемую подложку, но также изготовить элементы магнитной памяти, Хотя только часть этого устройства используется для изготовления подложки, устройство описывается полностью, так как подложка интересна именно тем, что ее можно применять для вывЂ” полнения элементов магнитной памяти.

511880

4 протягивании ее блоком 13, используют следящее устройство, позволяющее контролировать разматывание провода. Оно образовано двумя контактными элементами

18 и 19, находяшимися по обе стороны провода 2 и соединенными с обоими входами 20 и 21 электрического блока 22, выходные зажимы 23 которого соединены с зажимами питания двигателя 8 соедин нительными проводами 24.

Блок 9 включает в себя множество ванн 25-30, через которые проходит провод 2. Блок 10 имеет две ванны 31 и

32 и печь 33.

Провод 2, используемый для изготовления подложки 1, сделан из сплава меди и бериллия и имеет диаметр порядка 60 мк.

Этот провод, намотанный BB барабан 5, разматывается с барабана под воздействием ролика 6, смонтированного на валу 7 электродвигателя 8.

Провод 2 вводится в блок 9 обработки.

После обработки провод 2 пропускается через блок 10, предназначенный для получе- 1 ния подложки 1, т.е. провода, покрытого слоем сплава никеля с оловом. Провод, выходяший из блока 10, проходит через электролизную ванну 11, на выходе из которой нов лучают подложку, покрытую тонкой магнит- 15 ной пленкой. Подложка с магнитным покрытием проходит затем в печь 12, где она обрабатывается и отжигается. Протягивание подложки в направлении стрелки через блоки 9 и 10, ванну 1 1 и печь 1 2 обеспечивается блоком 13, снабженным протягивающими роликами 14 и 15 без скольжения.

Далее подложка 1 вводится в блок 16, где измеряются ее физические свойства, и в режущий блок 17.

Для того, чтобы подложка испытывала очень малое механическое натяжение при

Формула изобретения

Подложка для магнитопленочного запоминаюшего устройства, содержашая металлический провод выполненный из меднобериллиевого сплава, с нанесенным на него металлическим слоем, о т л и ч а ю ш ая с я тем, что, с пелью повышения надежности и помехозащищенностц подложки, металлический слой выполнен из сплава никеля с оловом с содержанием никеля

29- 0%511880

Заказ 5959

/ЯЩ "р 723

Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская наб, 4

Подложка дя магнито-пленочного запоминающего устройства

Запоминающее устройство // 500544

Магнитопленочное запоминающее устройство // 496956

Матрица постоянного запоминающего устройства // 491154

Запоминающее устройство // 486375

Способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок // 486374

Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации // 483707

Устройство для записи информации в магнитный тонкопленочный накопитель // 483704

Магнитомодуляционный датчик перемещения // 483022

Матрица памяти // 480113

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)