Запоминающая матрица

 

О П И С A Н И E 532133

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Рвсн блин

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22.05.75 (21) 2136444/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.10.76. Бюллетень № 38

Дата опубликования описания 30.09.76 (51) М. Кл. О»С 11(14

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам нзооретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения

Я. М. Беккер и Г. И. Якобсон (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств.

Известны запоминающие матрицы, содержащие цилиндрические магнитные пленки (ЦМП), управляющие обмотки и кипер. Одна из известных запоминающих матриц содержит

ЦМП, которые вставлены в каналы набора адресных обмоток возбуждения, заключенных в сомкнутые с двух сторон крышки (1). На внутреннюю поверхность крышек нанесен ферромагнитный слой, который является основным магнитным шунтом для потока рассеяния. Однако нанесение ферромагнитного слоя увеличивает индуктивность адресных обмоток, что отрицательно сказывается на быстродействии матрицы. Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, которая содержит, как и предложенная, ЦМП, охваченные адресными обмотками, и кипер (2). Однако применение магнитного кипера с целью уменьшения влияния потоков возбуждения соседних запоминающих элементов на информацию в выбранном элементе и повышения плотности записи информации также увеличивает индуктивность адресных обмоток, что приводит к снижению быстродействия матрицы.

Целью изобретения явлеятся повышение плотности записи информации. В описываемой запоминающей матрице это достигается тем, что в ней кипер выполнен из изоляционных шайб, расположенных на ЦМП, торцы шайб покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором.

На фиг. 1 показана описываемая матрица; на фиг. 2 — кипер.

Описываемая матрица содержит ЦМП 1, разрядные шины 2, на которые нанесены

10 ЦМП, адресные обмотки 3, охватывающие

ЦМП, и изоляционные шайбы 4 с магнитным покрытием на торцах, расположенных между адресными обмотками. Шайба выполнена из изоляционного материала с отверсти15 ем, имеющим диаметр, достаточный для свободного прохождения ЦМП. Торцы шайбы покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором а, необходимым для уменьшения индуктивности разрядных шин. Шайбы могут

2Р быть получены прессованием из слоеного материала (пермаллой-диэлектрик-пермаллой) .

Толщина диэлектрика определяется минимально-допустимым расстоянием между адресными шинами. Наружный диаметр шайб

25 превышает диаметр витка адресной обмотки.

Пленочное покрытие торца шайб составляет слой пермаллоя и является основным магнитным шунтом для потока рассеяния. Схема замыкания потока рассеяния от соседних адре30 сов показана на фиг.1 пунктирной линией б.

532133

Формула изобретения

Составитель Ю. Розенталь

Техред Л. Кочемирова Корректор E. Хмелева

Редактор Л. Тюрина

За каз 2132/12 Изд. ¹ 1669 Тираж 723 Г!одппсное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Описываемая матрица без снижения быстродействия обеспечивает повышение плотности записи информации и тем самым уменьшает габариты накопителя ЗУ.

Запоминающая матрица, содержащая цилиндрические магнитные пленки, охваченные адресными обмотками, и кипер, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью повышения плотности записи информации, кипер выполнен из изоляционных шайб, расположенных на цилиндрических магнитных пленках, торцы шайб покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитIbIM зазором.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авт. св. № 329576, М. Кл.2 С 11С 11/14, 1970.

2. Авт. св. № 344503, М. Кл,з С 11С 11/14, 1970.

Запоминающая матрица Запоминающая матрица 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх