Способ изготовления запоминающего бистабильного элемента

 

(19)SU(11)548180(13)A1(51)  МПК ⁶    _G11C11/34(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина:

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО БИСТАБИЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА

Изобретение относится к вычислительной технике и автоматике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств. Известно устройство, в котором частично реализуется данный способ. Наиболее близким к описываемому является способ изготовления запоминающего бистабильного элемента с барьером Шотки, сохраняющего информацию при отключении питания, выполненного на эпитаксиальной пленке арсенида галлия. Запоминающий бистабильный элемент имеет два контакта: омический и барьерный. При изготовлении элемента на контакты барьера Шотки подают высокое напряжение в обратном направлении, величину которого изменяют в зависимости от удельного сопротивления эпитаксиальной пленки. Известный способ изготовления запоминающего бистабильного элемента не позволяет получать элементы с заданным сопротивлением в высокопроводящем состоянии и изменять режим изготовления для получения элемента с параметрами, соответствующими логическим уровням других элементов. Целью изобретения является повышение надежности изготовления запоминающего бистабильного элемента с заданными свойствами. Поставленная цель достигается тем, что при изготовлении запоминающего бистабильного элемента, основанном на подаче напряжения в обратном направлении на электроды перехода диодной структуры, перед подачей напряжения облучают переход диодной структуры и затем изменяют величину подаваемого напряжения в зависимости от расстояния между электродами диодной структуры. При этом облучение проводят электронами, протонами и нейтронами с энергией 10⁵ 10⁷ эВ и дозой облучения 10¹⁵ 10¹⁸ эл/см². Запоминающие бистабильные элементы могут быть получены по данному способу на следующих материалах и структурах: стеклообразные полупроводники на основе V₂O₅ P₂O₅, гетеропереходы n (ZnSe)-p (Ge), эпитаксиальные пленки арсенида галлия, структуры кремний-прижимной металлический контакт, структуры металл-кремний-металл. При использовании эпитаксиальной пленки арсенида галлия получают запоминающий бистабильный элемент с сопротивлением в высокопроводящем состоянии 2-7 Ом, а в низкопроводящем 2-4 кОм, тогда как элемент, полученный по известному способу, имеет сопротивление соответственно 2-7 и 50-100 Ом. Полученные по предлагаемому способу элементы обладают высокой воспроизводимостью заданных свойств и сохраняют записанную информацию в диапазоне температур от -250 до +150^оС.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО БИСТАБИЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, основанный на подаче напряжения в обратном направлении на электроды перехода диодной структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления элемента с заданными свойствами, облучают переход диодной структуры и изменяют величину подаваемого напряжения в зависимости от расстояния между электродами диодной структуры. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами, протонами и нейтронами с энергией 10⁵ 10⁷ эВ и дозой облучения 10¹⁵ 10¹⁸ эл/см².