Способ изготовления регистрирующей среды на основе халькогенидного стекла

Авторы патента:

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

G11C11/34 - с применением полупроводниковых приборов

f =н петен-,;; (. A" Н и

onи

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (ts) 775760

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-вувЂ” (22) Заявлено 2706.78 (21) 2658782/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 301080. Бюллетень йо 40

Дата опубликования описания 10. 11. 80 (51)М. Кл з

G 11 С 11/34

H 01 L 12/363

Государственный комнтет

СССР но делам нзобретеннй н открытнй (53) 3 ДК 771 ° 5: 537 ° . 311:33 (088. 8) (72) Авторы изобретения

А.A.Êèêèíåøè, И.И.Туряница и Д.Г.Семак (7f) Заявитель

Ужгородский государственный университет (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕГИСТРИРУЮЩЕЯ

СРЕДЫ HA ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДНОГО СТЕКЛА

Изобретение относится к регистрирующим средам для использования их в системах оптической записи информации. Оно может быть использовано

;.;ля голографической записи, как элемент памяти в системах оптической обработки, а также в других областях современной оптоэлектроники.

Известны способы получения регистрирующих сред-полупроводниковых мате- ® риалов путем их нанесения на подложку в вакууме (1).

Ближайшим известным техническим решением является способ изготовления регистрирующей среды на основе т5 халькогенидного стекла путем нанесения слоя халькогенидного стекла ча подложку напылением в вакууме 2 .

При напылении, в данно.. случае материала Ав S, получается регист- Щ

1 Э рирующий слой, при засветке которого (необходимо освещение светом с

500 нм, н.п. аргоновым лазером) произойдет негативная запись, т. е. засвеченные участки потемнеют, что 25 соответствует сдвигу края пропускания (в длинноволновую область спектра.

Недостаток такой записи состоит в том, что по мере записи слой темнеет и соответственно уменьшается его .Д) пропускание Т в местах попадания света, т. е. толщина слоя, где происходят индуцированные светом изменения коэффициента поглощения А, а также показателя преломления и сильно ограничивается в процессе записи самопоглощением слоя. С другой стороны, прн считывании слой будет засвечиваться и в силу неизменной чувствительности контраст записи будет быстро падать, практически до нуля.

Целью изобре":ения является воэможность получения позитивной записи.

Для достижения цели напыление проО изводится при температуре 600-800 С.

В предложенном способе инициирующую роль в процессе фотозаписи играют электронно-дырочные процессы с участием локализованных состояний в запрещенной зоне халькогенидного стекла. В результате определенных изменений связей происходит изменение ои П стекла. учитывая приготовление слоя в описываемом случае форсированным режимом напыления при высокой температуре, можно предположить связь начальной конфигурации связей, равновесного состояния электронов и дырок с характером записи и величиной изменений и

7757

Формула изобретения

Составитель Е.Артамонова

Редактор Н.Коляда Техред Н.Бабурка

Корректор О.Билак

Заказ 7773/64 Тираж 662

BHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент"-, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Как показали опыты, для стекла

М Я оптимальные температуры испарения, при которых реализуется позитивная запись на получаемых слоях, находятся в пределах 600-800 С, что в два раза превышает обычно применяемые температуры 400 С, при которых получаются слои с негативной чувствительностью.

Край поглощения позитивных слоев сдвинут в длинноволновую область по сравнению с негативными на величину 1©

0,8 мкм, что обеспечивает некотсрую чувствительность на Х =0,633 мкм уже при комнатных температурах при подогреве такого слоя чувствительность на этой длине волны резко возрас- 15 тает и появляется возможность позитивной записи.

На чертеже показана схема квазизамкнутого испарителя, позволяющего производить напыление .при повышенных 2О температурах беэ заметного разбрызгивания вещества.

Он состоит из трубки 1, свернутой из танталовой фольги со щелевым эазором между витками, кварцевого теПлоиэолирующего стержня 2, зажимной муфты 3 и конуса 4, а также медного токоввода 5.

Способ изготовления регистрирующей среды на основе халькогенидного стекла, путем нанесения слоя халькогенидного стекла на подложку напылением в, вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения позитивной записи, напыление осуществляют при температуре 600-800 С.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Холлзнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме . М., Госэнергоиэдат, 1963, с. 561.

2. Регистрирующие среды для голографии, под ред. Кириллова Н.И., Барачевского В.A., Л., Наука, 1975, с. 145-147 (прототип).