Элемент памяти

 

О П И С А Н-РГ -E

ИЗОБРЕТЕНИЯ

1)))7Г2849

Союз Советских

Сециепистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву 268492 (22) Заявлено 26.09.78 (21) 2667194/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.01.80. Бюллетень № 4 (45) Дата опубликования описания 30.01.80 (51) М. Кл,"G 11С 11/34

Государственный кыитет (53) УДК 681.327.67 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

В. И. Киселев (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к автоматике и, в частности, может быть использовано в цепях с ограниченным потрсблением тока, например в искробезопасных схемах автоматики.

Известен элемснт памяти (1), содержащий тиристор, транзистор, разделительный диод, ограничительны" резисторы и источники высокого и низкого напряжений, причем анод тиристора через резистор подключен к шине источника высокого нагряжения и через разделительный диод и р:зистор к базе транзистора р — и — р-типа, коллектор которого через резистор подключен к управляющему электроду тиристора, а эмиттер — к шине источника низкого напряжения. Известный элемент памяти прн любой нагрузке отличается самой низкой собственной энергоемкостью из всех известных тиристорных устройств подобного назначения.

Недостатком этого устройства является тот факт, что из-за разброса параметров по току выключения тиристоров, нижний предел которого в паспорте тиристоров обычно не ограничивают, при подаче сигнала выключения на базу транзистора тиристор мо кет остаться во включенном состоянии. В этом случае для выключения тиристора требуется дополнительный источнпк сигналов, которьш производит выключение тирпстора по сго анодной цепи, илн необходим отбор тирпсторов по току выключения, )To в схемах, содсря)ащих

5 большое количество элементов памяти, весьма нежелательно.

Цель изобретения — увеличение надежности работы от одного источника сигналоь.

10 Указанная цель достпгастся тем, что в элемент памяти, содержащий тиристор, транзистор, разделительный диод, ограничительный резисторы и источники высокого и низкого напряжений, введены дополни15 тельный транзистор, стабилитрон, конденсатор и ограничительный резистор. При этом коллектор дополнительного транзистора соединен через конденсатор с анодом тиристора и через ограничительный рези20 стор с шиной источника низкого напряжения. База дополнительного транзистора через стабилитрон соединена с базой основного транзистора, а эмиттер дополнительного транзистора — с общей шиной источников питания высокого и низкого напряжений.

На чертеже приведена схема элемента памяти.

Он состоит из тиристора 1, транзисторов

30 2 и 3, разделительного диода 4, ограничи712849 тельных резисторов 5 — 9, конденсатора 10 и стабилитрона 11.

Тиристор 1 питается постоянным напряжением от высоковольтного источника питания, положительный полюс которого подключен к клемме 12, а отрицательный полюс заземлен; питание транзисторов осуществляется от низковольтного источника питания, положительный полюс которого подключен к клемме 13, а отрицательный также заземлен. Смещение на базу транзистора подают от источника фиксированного смещения, положительный полюс которого подключен к шине 14, а отрицательный соединен с положительным полюсом низковольтного источника питания. Управляющий импульс подается от шины 15 управляющих сигналов. Резистор 8 в высоковольтной анодной цепи тиристора при открытом состоянии последнего ограничивает в нем ток до величины, во много раз меньшей тока включения тиристора. Резистор 5, соединяющий базу транзистора 2 через разделительный диод 4 с анодом тиристора, ограничивает базовый ток транзистора (ток тиристора в низковольтных цепях) до величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора.

Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например, газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек, соответствующих току включения и выключения на статической вольтамперной характеристики). Транзистор 3 и конденсатор 10 служат для надежного запирапия тиристора при подаче на базу транзистора управляющего сигнала. Стабилитрон 11 предусмотрен для того, чтобы в исходном состоянии транзистор 3 был закрыт. Напряжение стабилизации стабилитрона должно быть больше напряжения источника, питающего транзистор 2. Это необходимо для того, чтобы в исходном состоянии базовый ток транзистора 2 был равен нулю.

Устройство работает следующим образом.

При подаче управляющего импульса отрицательной полярности на базу транзистора 2 (шина 15), последний отпирается, по коллекторному сопротивлению (резистор 6) в управляющий электрод тиристоl0

35 0

55 ра 1 течет ток, который переводит тиристор в открытое проводящее состояние. На аноде тиристора 1 появляется низкий потенциал общего минуса (земли), и через разделительный диод 4 и резистор 5 течет базовый ток транзистора 2, поддерживающий транзистор в открытом проводящем состоянии, а последний удерживает в проводящем состоянии тиристор 1, и при спаде управляющего сигнала элемент памяти остается в этом новом, устойчивом для него состоянии (состоянии записанной единицы), когда открыты оба коммутирующих элемента — тиристор 1 и транзистор 2. В этом состоянии с анода тиристора снимается высокое напряжение и течет малый ток в высокоомную нагрузку элемента, например, газоразрядный индикатор. Транзистор

3 остается в закрытом состоянии, и конденсатор 10 через резистор 9 заряжается. Выключение тир истора осуществляется импульсом положительной полярности, подаваемым на базу транзистора 2 и через стабилитрон 11 на базу транзистора 3. При этом транзистор 2 запирается и ток управляющего электрода тиристора становится равным нулю. Транзистор 3 открывается, и напряжение конденсатора 10 оказывается приложенным к тиристору в обратном направлении, что приводит к надежному запиранию тиристора.

В элементе памяти амплитуда запирающего сигнала должна быть больше напряжения источника питания транзисторов.

Формула изобретения

Элемент памяти по авт. св. Kо 268492, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности работы от одного источника управляющих сигналов, в него введены дополнительный транзистор, конденсатор, стабилитрон и ограничительный резистор, причем коллектор дополнительного транзистора через ограничительный резистор соединен с шиной источника низкого напряжения и через конденсатор с анодом тиристора, база — с анодом стабилитрона, катод которого соединен с базой основного транзистора, а эммитер — с общей шиной источников питания высокого и низкого напряжения.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Ка 268492, кл. G 11С 11/34, 1968.

712849

72

Составитель Н. Дубровская

Редактор И. Грузова Техред А. Камышникова Корректор Т. Трушкина

Заказ 2797/19 Изд. Хв 134 Тираж 673 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2