Состав для удаления фоторезиста на каучуковой основе
Союз Советских
Социалистических
Республик
О П И С А Н И Е в@ урд
НЗОВРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
4 (6l ) Дополнительное к авт. саид-ву —. (22) Заявлено21. 12. 79 . (21) 2857400/18-21 с присоединением заявки М вЂ”. (23) Е)рнорнтет—
Опубликовано 23.09.81. Бюллетень М35
Дата опубликования описания 25 .09 .81 (51)М. Кп.
Н 05 К 3/26 (Ьсударствопэй комитет
СССР во делан иаабретеиий и открытий (53) УД К 621 . 396 . 6 (088.8) (72) Авторы изобретения
О. И. Грачева и В. Н. Гусев е;. 11А тЕВТПО. ггхвичккья 1
Проектно-технологический и научно-исследоват ьскйй инстит т
ыьлиотекА (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА HA КАУЧУКОВОЙ
ОСНОВЕ
Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем.
Известен состав для удаления задубленного негативного фотореэистора на каучуковой основе11) содержащий, г:
Хлористый метилен 26,5
Трихлорэтилен 35
Фенол 19,6
Бутилацетат 6,5
С использованием ультразвуковой обработки время снятия эадубленной пленки с помощью известного состава составляет 20 мин. Однако данным составом при глубокой полимериаации резиста не удается качественно удалить фотореэнст с подложки.
Наиболее близким к предлагаемому составу является состав для удаления фотореэиста яа основе толуола (2).
26
Однако без механического воздействия пленки фотореэиста в толуоле не удаляется, для удаления пленки фоторезиста с помощью механического воздействия требуется не менее 5 ч выдержки пленки в толуоле.
Цель изобретения — сокращение времени удаления фоторезиста.
Поставленная цель достигается тем, что состав для удаления фоторезиста на каучуковой основе, содержащий толуол, дополнительно содержит ксилол и пропилбензол при следующем соотношении компонентов, в об.7:
Толуол 30-40
Ксилол 30-40
Пропилбензол 20-40
Удаление пленки фотореэиста ведут в ультразвуковом поле мощностью 230 Вт при частоте 18,5 кГц и комнатной температуре °
Примеры составов с различным содержанием компонентов приведены н табл. 1.
866793,Таблица 1
Пример, К (1 1 1
Состав
2 3 4 5
45
30
45
35
Пропилбенэол 1 10
40
Укаэанными составми снималась пленка,фотореэиста ФН-ll, задубленная при
120 С в течение 1 ч. Процесс проводился при комнатной температуре в ультразвуковом поле мощностью 230 Вт
Время снятия Состояние поверхносзадубленной пленки ти подложки после фотореэиста, мин фоторезиста
Состав, об. X
Следов фотореэиста ,не обнаружено
15
То же
20
Толуол
Ксилол
Толуол 45
Ксилол 45
Пропилбензол 10
Толуол 40
Ксилол 40
Пронилбензол 20
Толуол 40
Ксилол 35
Пропилбензол 25
Толуол 30
Ксилол 30
Пропнлбензол 40
Толуол 25
Ксилол 25
Пропилбенэол при частоте !8,5 кГц в фарфоровом стакане емкосивю 100 мл.
Полученные результаты испытаний сведены в табл. 2.
Таблица 2
Составитель Э. Довженко
Техред З.Фанта Корректор В. Бутяга
Редактор Н. Пушненкова
Заказ 8105/83 . . . Тираж 892 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
5 866793 6
Время Удаления задубленного фото- что, с целью сокращения времени ударезиста меньше, чем при работе с из- ления фоторезиста, он дополнительно вестными составами. содержит ксилол и пропнлбензол, прн
Оптимальное содержание состава на- следующем соотношении компонентов, ходится в пределах об.X: в об.Х:
Толуол 40. Толуол 30-40
Ксилол 35 Ксилол 30-40
Пропилбензол 25 Пропилбензол 20-40
При повышении количества толуола и Источники информации, ксилола и при снижении пропилбензола 1а принятые во внимание при экспертизе время снятия увеличивается, то же ). Nppe Г. А. Формированйе провосамое наблюдается и при понижении ко- дящих элементов схемы полуаддитиввым личества толуола и ксилола при умень- методом с использованием жидкой фотошении количества пронилбензола. чувствительной композиции ФН-ll." Вопросы радиоэлектроники", Сер. ТПО, вып. 3, l976 с. 60.
Формула изобретения 2. ОСТ 4. ГО.054,028. Микросхемы интегральные, гибридные, тонкоСостав для удаления фоторезнста пленочные,специализированные первой на каучуковой основе, содержащий то- о и второй степени интеграции. Типовые луол, отличающийся тем, технологические процессы. (прототип).
