Способ изготовления многослойных p-n структур соединений типа aiiibv
Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5
10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.
Похожие патенты:
Способ обработки пластин арсенида галлия // 865057
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии
Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии
Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)
Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646
Способ изготовления монокристаллов // 1083840
