Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках

Авторы патента:

Епихин Ю.В.

Кузнецов А.С.

Марончук И.Е.

Марончук Ю.Е.

Сушко Б.И.

Тузовский А.М.

H01L21/208 - жидкостным напылением

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев на подложках, включающий сборку в пакет параллельно расположенных пластин, на поверхности которых расположены полупроводниковые подложки, заполнение зазора между подложками раствором-расплавом и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев, диаметр пластин выбирают больше диаметра подложек на величину, по крайней мере в 4 раза большую, чем зазор между подложками.

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы // 940603

Способ получения структур с @ - @ -переходом на основе полупроводников типа @ // 928942

Способ получения селективных эпитаксиальных структур // 919540

Способ получения эпитаксиальных структур (его варианты) // 915668

Способ получения эпитаксиальных p-n-структур // 880170

Способ обработки пластин арсенида галлия // 865057

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия // 830961

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа aiiibv // 826887

Способ получения полупроводниковых структур // 803747

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ эпитаксиального наращивания ограниченно растворимого амфифильного вещества // 2137250

Изобретение относится к прикладной физике и микроэлектронике и может быть использовано при получении моно- и мультислойных структур низкомолекулярных и высокомолекулярных соединений, преимущественно ограниченно растворимого амфифильного вещества (ОРАФВ) из жидкой фазы

Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии // 2297690

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В 5 методами эпитаксии

Способ локальной жидкостной эпитаксии // 2072584

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем

Гетероструктура на основе арсенида - антимонида - висмутида индия и способ ее получения // 2035799

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) двухслойных гетероструктур: арсенид-антимонид-висмутид индия/антимонид индия (InAs1-x-ySbxBiy/InAs1-x-ySbxBiy/InSb) для фотоприемных устройств ИК-диапазона, соответствующего ширине запрещенной зоны (Еg) эпитаксиального слоя (ЭС) менее 0,165 эВ при 77К (или положению края собственного оптического поглощения с>7,5 мкм при 77К)

Способ молекулярно-лучевой эпитаксии // 2038646

Способ получения p-n-структур арсенида галлия // 1009242

Способ изготовления монокристаллов // 1083840

Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas- algaas // 1091766

Способ получения p-n структур соединений типа aiiibv // 1094511