Устройство для очистки изделий

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, содержащее ваииу для моюuiero раствора, мембрану,- герметично закрепленную в ванне, и механизм колебаний моющего раствора, отличающееся тем, что, с целью повыщения качества очистки и производительности в работе, механизм колебаний моющего раствора выполнен из двух полумуфт с магнитной связькз, расположенных соосно с двух сторон мембраны , постоянные магниты которых размещены равномерно по окружности с чередование .м N и S полюсов, причем одна из полумуфт снабжена крыльчаткой и установлена в ванне для моющего раствора с возможностью вращения на оси, конец которой закреплен на мембране, а другая полумуфта снабжена приводом вращения. W С5 со 1С о

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„SU„„1069201 уапц Н 05 К 3/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М А ВТОРСМОМ,К СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ь

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21 ) 3215398/18-21 (22) 12.12.80 (46) 23.01.84. Бюл. № 3 (72) Н. Н. Никитин, Г. В. Михалев, К. H. Героев и Ю. Д. Негинский (71) Всесоюзный научно-исследовательский институт электромеханики. (53) 621.7.024 (088.8) (56) l. Авторское свидетельство СССР № 602141, кл. Н 05 К 3 26, 1978.

2. Авторское свидетельство СССР

¹ 880519, кл. В 08 В 3/!О, !979 (прототип). (54) (57) УСТРОИСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ

ИЗДЕЛИЙ, содержащсс ванну для моющего раствора, мембрану, герметично закрепленную в ванне. и механизм колебаний моющего раствора, отличаюи(ееся тем, что, с целью повышения качества очистки и производительности в работе, механизм колебаний моющего раствора выполнен из двух полумуфт с магнитной связью, расположенных соосно с двух сторон мембраны, постоянные магниты которых размещены равномерно по окружности с чередованием М и S полюсов, причем одна из полумуфт снабжена крыльчаткой и установлена в ванне для моющего раствора с возможностью вращения на оси, конец которой закреплен на мембране, а другая полумуфта снабжена приводом вращения.

1069201

4Q

1

Изобретение относится к технике очистки изделий сложной конфигурации и может быть использовано в электротехнической, радиотехнической промышленности, приборостроении и других отраслях народного хозяйства.

Известно устройство для очистки изделий от загрязнений и флюса, содержащее ванну для моющего раствора, щетки, установленные в ванне и привод вращения щеток (1).

Недостатками устройства являются: низкая производительность вследствие того, что наибольшая интенсивность движения раствора находится вблизи щеток, а на периферии ванны резко затухает; очистка происходит по плоскости, поэтому невозможно быстро и качественно произвести очистку изделий сложной конфигурации.

Наиболее близким к изобретению является устройство для очистки изделий, содержащее ванну для моющего раствора, мембрану, герметично закрепленйую в ванне и механизм колебаний моющего раствора (2).

Однако известному устройству присущи следующие недостатки: низкая производительность процесса очистки изделий сложной конфигурации, вследствие того, что моющий раствор перемещается относительно изделия в одном вертикальном направлении, пузырьки воздуха, движущиеся в том же направлении, создают закрытые зонь1 вокруг углублений, впадин и глухих мест на поверхности изделий, затрудняя к ним доступ раствора, наибольшая интенсивность очистки изделий наблюдается вблизи отверстия трубки, подающей сжатый воздух, а с увеличением расстояния от трубки происходит резкое затухание микротечений раствора, наличие отдельной системы подачи сжатого воздуха и размещение электромагнитной катушки возбуждения в моющем растворе усложняет конструкцию.

Цель изобретения — повышение качества очистки и производительности в работе.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для очистки изделий, содержащем ванну для моющего раствора,мембрану, герметично закрепленную в ванне, и механизм колебаний моющего раствора, последний выполнен из двух полумуфт с магнитной связью, расположенных соосно с двух сторон мембраны, постоянные магниты которых размещены равномерно по окружности с чередованием N u S полюсов, причем одна из полумуфт снабжена крыльчаткой и установлена в ванне для моющего раствора с возможностью вращения на оси, конец которой закреплен яа мембране, а другая полумуфта снабжена приводом вращения. ,На чертеже изображено устройство, общий вид.

Устройство содержит ванну 1 моющего раствора, сетчатую корзину 2, имеющую независимые от ванны 1 амортизированные опоры 3 (АКС), поглощающие колебания установки.

Дно ванны 1 представляет собой мембрану 4, выполненную из немагнитного материала, в центре которой имеется ось 5 с фланцем 6, на которую с внутренней стороны ванны 1 установлен подшипник качения 7 и ведомая магнитная полумуфта 8, зафиксированные гайкой 9, а на другом конце оси 5 с противоположной стороны мембраны 4, в воздушной среде с зазором и без контакта с поверхностью мембраны

4 центрируется ведущая магнитная полумуфта 10 и удерживается подшипником скольжения 11, который жестко связан с корпусом ванны 1. Ведущая магнитная полумуфта 10, получающая вращение от привода (не показан) и мембрана 4 с ведомой магнитной полумуфтой 8 — это и есть одновременно и бесконтактный возбудитель колебаний и устройство, придающее моющему раствору вращательное движение.

Ведомая магнитная полумуфта 8 состоит из корпуса крыльчатки 12, четного количества магнитов 13, расположенных равномерно по окружности с чередованием N и S полюсов (количество чередований N и S устанавливается в зависимости от требуемой частоты), и крышки 14, фиксирующей вгагниты, а ведущая магнитная полумуфта 10 аналогична ведомой 8 и состоит из корпуса 15, магнитов 13 и крышки 16.

В ванне выполнено отверстие, закрытое пробкой 17 для слива загрязненного раствора.

Устройство работает следующим образом.

Изделие, подлежащее очистке, укладывают в корзину 2, которую помещают в ванну 1 с моющим раствором и фиксируют на амортизаторах 3. Включают привод, который приводит во вращение ведущую полумуфту 10. Посредством сил магнитного притяжения, действующих между полумуфтами, ведущая полумуфта 10 передает вращающий момент ведомой полумуфте 8, которая начинает вращение. По мере увеличения частоты вращения увеличивается противодействующие моменты, один из которых приложен к ведомой полумуфте 8, расположенной внутри ванны 1, и создается сопротивлением моющего раствора, а другой - к ведущей полумуфте 10, расположенной вне ванны, и создается сопротивлением воздуха. Когда величина противодействующего момента моющего раствора, приложенного к полумуфте 8, превысит предельную для данных полумуфт

8 и 10 величину вращающего момента, созданного магнитной связью, то ведомая магнитная полумуфта 8 продолжает вращение с постоянной частотой, а ведущая магнит1069201

Составитель 3. Яшина

Редактор А. Шандор Текред И. Верес Корректор А. Повх

Заказ 11077!58 Тираж 74,У Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, K — 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патент>, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 ная полумуфта 10 продолжает увеличивать частоту вращения, в этот момент возникает проскальзывание одной магнитной полумуфты относительно другой. При достижении ведущей полумуфтой 10 максималь-, ной частоты вращения от привода устанав 5 ливается номинальное проскальзывание между пол у муфтами. Ведомая полумуфта

8 вращается в том же направлении, что и ведущая полумуфта 10, создавая в ванне с помощью крыльчатки 12 движение мою- 10 щего раствора вокруг очищаемых изделий, а в процессе относительного вращения полумуфты периодически:занимают такое положение, когда против магнитных полюсов ведомой полумуфты 8 находятся или одноименные или разноименные магнитные полюса ведущей полумуфты 10, при этом, вследствие взаимодействия магнитных полюсов полумуфты, возникают силы отталкивания или притяжения, под действием которых мембрана 4 совершает колебательное движение (возвратно-поступательное), т. е. одновременно моющий раствор получает колебания в направлении, перпендикулярном вращению моющего раствора.

Устройство обеспечивает вертикальное колебательное и вращательное перемеши- 25 ванне моющего раствора. Колебания на корзину 2 с изделиями не передаются. Моющий раствор под действием указанных факторов свободно проникает в пространство между элементами и в короткий промежуток времени удаляет из изделия флюс и загрязнение, не воздействуя при этом пагубно на само изделие.

Амплитуду колебания мембраны можно регулировать за счет зазора между магнитными полумуфтами, а частоту колебаний мембраны — числом пар полюсов постоянных магнитов и изменением числа оборотов привода.

Моющий раствор должен активно растворять флюс и загрязнения, не влияя на само изделие. Таким раствором может быть спирто-бензиновая смесь в объемном отношении 1:1.

3а короткий промежуток времени пребывания изделия в устройстве обеспечивается высокое качество чистки. Качество очистки контролируется известными способами. а время очистки устанавливается эмпирически, зависит от конфигурации изделия, плотности монтажа и не превышает 1 мин.

Устройство имеет следующие преимущества по сравнению с базовыми образцами: производительность возрастает на

2-8 раза, получаемые низкие частоты (колебания раствора) не разрушают очишаемые радиоэлементы и их покрытия, совместное колебание и перемешивание моющего раствора резко сокращает время пребывания изделия в нем, что не вызывает разрушение лакокрасочного покрытия.

Высокое качество очистки, производительность и простота изготовления устройства позволяет широко использовать его в производстве радиоэлектронной аппаратуры и других областях народного хозяйства.

Устройство для очистки изделий Устройство для очистки изделий Устройство для очистки изделий 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к способам получения фотошаблонных заготовок (ФШЗ), одного из основных материалов микроэлектроники

Изобретение относится к способам очистки керамических изделий от примесей, в частности к способу очистки поверхности и объема изделий из керамики ВеО от примеси углерода, в том числе подложек для микросхем и мощных резисторов, транзисторов, окон для СВЧ-радаров, каналов газоразрядных лазеров, поверхности и объема вакуумно-плотных изоляторов, применяемых в камерах с магнитным обжатием-МАГО, для получения высокотемпературной замагниченной водородной плазмы
Изобретение относится к электронной промышленности

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных схем
Изобретение относится к способу производства полупроводниковых систем, в частности к вскрытию контактных площадок в печатных платах, шлейфах, микросхемах, изготовленных на основе полиимидной пленки, когда необходимо удаление с контактных площадок адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, где требуется вскрытие контактных площадок для соединения проводящих слоев разных уровней печатных плат
Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению фотошаблонных заготовок, предназначенных для формирования интегральных схем

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и может быть использовано в радиотехнической, электротехнической и приборостроительной промышленности

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности, а именно к очистке печатных плат

Изобретение относится к технологии производства многослойных печатных плат, а именно к устройствам для зачистки контактных поверхностей
Наверх