Устройство для стирания информации в перепрограммируемых блоках памяти

 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СТИРАНИЯ ИНФОРМАЦИИ В ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫХ БЛОКАХ ПАМЯТИ, содержащее формирователь адресных сигналов j накопитель, один вход которого подключен к выходу формирователя адресных сигналов,отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства за счет исклю:чения несанкционированного стирания информации, в него введены элемент ИЛИ-НЕ, элемент И, причем входы элемента ИЛИ-НЕ подключены к другим входам накопителя и являются адресными входами устройства, выход элемента ШШ-НЕ соединен с одиим входом элемента И, другой вход которого является управляющим входом устройства, выход элемента И подключен к входу формирователя адресных сигналов. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„Я0„„117344 (si)4 G 11 С 7/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

»СВС»ЮЗВ1»

11,!!, l-441".*,.1

ТЕХЩ! Е . <»„11 a." 1

>@84%073k Ä !

К АВТОРСКОЬй(СВЩ ЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

l1O ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3691083/24-24 (22) 23.01.84 (46) 15.08.85. Бюл. 11! 30 (72) В.П.Чесноков и Ю.В.Марков (53) 681.327.66(088.8) (56) Интегральные микросхемы.

Технический каталог. Изд-во ЦНИИ

"Электроника", 1979, с.29.

Авторское свидетельство СССР

В 955194, кл. Q ll С 7/00, 1982. (54) (57) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СТИРАНИЯ

ИНФОРМАЦИИ В ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМЫХ

БЛОКАХ ПАМЯТИ, содержащее формирователь адресных. сигналов» накопи, тель» один вход которого подключен к выходу формирователя адресных сигналов, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства эа счет исключения несанкционированного стира.ния информации, в него введены элемент ИЛИ-НЕ» элемент И» причем входы элемента ИЛИ-НЕ подключены к другим входам накопителя и являются адресными входами устройства, выход элемента ИЛИ-НЕ- соединен с одним входом элемента И, другой вход которого является управляющим входом устройства, выход элемента

И подключен к входу формирователя адресных сигналов.

1173445

Составитель О.Кулаков

Редактор Ю.Ковач Техред И.Асталош

Корректор Г.Решетник

Заказ 5071/50

Тираж 584 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москвау Ж 35р Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная,4

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам (ЗУ ) на

МНОП транзисторах, и может найти применение при разработке устройств стирания. всего поля памяти в электрически перепрограммируемых блоках памяти (ППЗУ).

Цель изобретения — повьппение надежности. устройства за счет исклю- 10 чения несанкционированного стирания информации.

На чертеже схематически представ.—

- лена блок-схема предлагаемого устройства. 15

Устройство содержит накопитель

1, формирователь 2 адресного сигнала элемент И 3 элемент ИЛИ-НЕ 4, адресные шины 5 и шину 6 управления ° 2О

Выход формирователя 2 сигнала стирания всего поля памяти соединен с входом общего стирания накопителя

1. Входы элемента ИЛИ-НЕ 4 подключены к адресным входам накопителя 25

1, а его выход — к первому входу элемента И 3. Второй вход элемента И 3 является управляющим входом б устройства, а выход элемента И 3 под чен к входу фор рователя - ЗО сигнала стирания всего поля памяти.

Устройство работает следующим образом.

Сигнал запуска стирания всего, поля памяти с шины б поступает на вход логического элемейта И 3. На другой вход логического элемента

И 3 поступает разрешающий сигнал с инверсног выхода логического элемента ИЛИ-НЕ 4, входы которого соединены с адресными шинами. . Разрешение вырабатывается при условии, что на ацресных шинах 5 имеются нулевые сигналы (нулевой адрес ).

Таким образом, с помощью логических элементов ИЛИ-НЕ 4 и И 3 осуществляется дополнительный контроль правильности выработки (формирования) сигнала стирания всего поля памяти (общего стирания ).

В устройствах общего стирания, где этот контроль отсутствует, случайное формирование сигнала стирания может привести как к выходу из строя памяти, так и к несанкционированному ее стиранию.

Уменьшение вероятности выхода из строя памяти и ее несанкционированного стирания приводит к повьппению долговечности и надежности блока памяти, а также к повышению производительности труда за счет уменьшения затрат труда на восстановление ошибочно стертого поля памяти.