Формирователь тока для магнитного запоминающего устройства

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1»j640366

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.01.77 (21) 2441007/18-24 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.12.78. Бюллетень № 48 (45) Дата опубликования описания 30.12.78 (51) М. Кл. -

G 11 С 7,/!00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 628.327.6 (088.8) (72) Автор изобретения

В. В. Михелев (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ТОКА ДЛЯ МАГНИТНОГО

ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть применено для возбуждения токов в адресных или координатных обмотках магнитных запоминающих устройств. 5

Известны формирователи тока для запоминающих устройств. Один из формирователей тока содержит последовательно соединенные импульсный генератор тока, ис- 10 точники напряжения, обмотку куба, между обмоткой куба и одним из источников напряжения включен резистор, точка соединения которого с обмоткой куба соединена через конденсатор с нулевым потенциалом, 15 а через диод — с другим источником напряжения (11.

Недостатком известного устройства является большая потребляемая мощность и наличие дополнительного оборудования. 20

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является устройство, содержащее источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопителя, концы которой через соответствующие диоды соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной связи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напряжения непосредственно и через пер- 30 вичную обмотку трансформатора, втори гная обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора 2.

Недостатком известного устройства является наличие дополнительного источника напряжения, более высоковольтного, чем основной, что усложняет устройство и снижает его надежность.

Целью изобретения является уменьшение оборудования и повышение надежности устройства.

Для этого формирователь тока для магнитного запоминающего устройства содержит резистор и конденсатор, одна обкладка которого подключена к точке соединения одного из диодов и адресной обмотки магнитного накопителя, другая — к точке соединения эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора, другой вывод которого соединен с шиной нулевого потенциала.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит форсирующий транзистор 1, дифференцирующий транзистор 2, источник 3 импульсного тока, адресную обмотку 4 магнитного накопителя, первый диод 5, первый источник напряжения 6, транзистор обратной связи 7, второй диод 8, 640366

3 второй исто вник напряжения 9, резистор 10, конденсатор ll.

Анод первого диода 5 соединен с положи сльным полюсом первого источника напряжения 6 и коллектором форсиру о цсго

1ранзистора 1, катод — через адресную 00мотку 4 с выходом импульсного источника тока 3 и катодом второго диода 8. Змиттер транзистора обратной связи 7 подключен к аноду диода 8, коллектор через первичную обмотку дифферснцирующего трансформатора 2 — к положительному полюсу второго источника напряжения 9, а база— к шине нулевого потенциала.

Вторичная обмотка дифференцирующего трансформатора 2 подключена к эмиттеру и базе форсиру ющего транзистора 1. Одна из обкладок конденсатора 11 подключена к точке соединения первого диода 5 с адресной обмоткой 4 магнитного накопителя, другая — к эмиттеру форсирующего транзистора 1 и через элемент заряда, резистор

10 — к шине нулевого потенциала.

При включении питания конденсатор 11 заряжается через первый диод 5 и резистор

10 до напряжения источника б. В момент включения источника 3 импульсного тока в цепи: источник напряжения б, диод 5, адресная обмотка 4 магнитного накопителя, источник 3 импульсного тока начинает плавно возрастать вследствие индуктивного характера адресной обмотки 4 магнитного накопителя. Напряжение на выходе источника 3 импульсного тока уменьшается в это время настолько, что эмиттерный переход транзистора 7 обратной связи, выполняющий роль фиксирующего диода, отпирается, и часть выходного тока источника 3 импульсного тока ответвляется через диод 8 в транзистор 7, включенный по схеме с общей оазой, при этом в коллекторной цепи по первичной обмотке дифференцирующего трансформатора 2 протекает импульс тока, что вызывает отпирание форсирующего транзистора 1, При отпирании транзистора потенциал на обкладке конденсатора 11, подключенной к эмиттеру форсирующего транзистора 1, становится равным напряжению источника 6, а на обкладке, подключенной к адресной обмотке 4 магнитного накопителя, — сумме напряжений на конденсаторе

11 и источнике 6. Диод б при этом запирается, и ток начинает течь по цепи: источник

6 напряжения, форсирующий транзистор 1, конденсатор 11, адресная обмотка 4 магнитного накопителя, источник 3 импульсного тока, который в данный момент времени находится в насыщении и работает как генератор напряжения. Конденсатор 11 в это время частично разряжается. Так как к адресной обмотке 4 магнитного накопителя в данный момент времени приложено повышенное напряжение, нарастание тока в ней происходит форсированно. При достижении тока в адресной обмотке 4 магнитного накопителя номинального значения, задаваемого источником 3 имну льсного тока, потенциал на его выходе повышается, и ток через эмиттерный переход транзистора обратной связи 7 прекращается. Транзистор запирается, при этом во вторичной обмотке дифферснцирующего трансформатора 2 появляется отрицательный бросок тока, быстро запирающий форсирующий транзистор 1. По10 тенциал на обкладке конденсатора 11 понижается, отпирается диод 5 и ток течет по первоначальной цепи. Конденсатор 11 через диод 5 и резистор 10 вновь подзаряжается до напряжения источника б. Вершина им15 пульса тока в адресной обмотке 4 магнитного накопителя получается плоской, так как при выходе источника 3 импульсного тока из насыщения стабилизируется ток в нагрузке, т. с. в адресной обмотке 4 магнит20 ного накопителя.

Таким образом, форсирующий транзистор

1 находится во включенном состоянии только на период формирования переднего фронта импульса тока. B этот момент времени

25 протекает дополнительно ток через резистор

10, поэтому его параметры выбираются таким образом, чтобы этот ток был незначителен, но конденсатор 11 успевал бы полностью заряжаться до поступления следую30 щего импульса тока.

Вместо резистора 10 может быть применен, например, корректор (стабилизатор тока) или электронный ключ, размываемый на то время, когда включен форсирующий

35 транзистор 1.

Емкость конденсатора 11 выбирается достаточно большой, чтобы он разряжался незначительно за время одного цикла работы устройства.

40 Второй вывод конденсатора 11 через элемент заряда 10 может быть подключен не только к шине нулевого потенциала, но и к другому источнику напряжения, имеющемуся в запоминающем устройстве, при этом

45 напряжение, до которого будет заряжаться конденсатор 11, станет отличным от напряжения источника 6.

Диод 8 служит для защиты перехода эмиттер — база транзистора 7 от выброса напряжения на выходе источника 3 импульсного тока в момент выключения тока и уменьшения паразитной емкости, подключенной к выходу источника.

В качестве второго источника напряже55 ния 9 может быть применен основной низковольтный источник питания логических элементов, имеющийся в любом запоминающем устройстве.

Формула изобретения

Формирователь тока для магнитного запоминающего устройства, содержащий источник импульсного тока, подключенный к адресной обмотке магнитного накопителя, 05 концы которой через соответствующие дио640366

Составитель Л. Амусьева

Техред А. Камышникова Корректор А. Степанова

Редактор Ю. Челюканов

Заказ 2359/10 Изд. № 806 Тира>к 692 Подписное

11ПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К 35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ды соединены с коллектором форсирующего транзистора и эмиттером транзистора обратной связи, коллекторы транзисторов подключены к источникам напряжения непосредственно и через первичную обмотку трансформатора, вторичная обмотка которого подключена к базе и эмиттеру форсирующего транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности формирователя, он содержит резистор и конденсатор, одна обкладка которого подключена к точке соединения одного из диодов и адресной обмотки магнитного накопителя, 6 другая — к точке соединения эмиттера форсирующего транзистора и вывода резистора, другой вывод которого подключен к шине нулевого потенциала и источнику импульс5 ного тока.

Источники информации, принятыс во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Хо 262964, кл. G 11С 11/02, 18.09.68.

10 2. С. Е. Поздняков. «Особенности формирования импульсов тока в магнитных запоминающих устройствах большой емкости», Вопросы радиоэлектроники, сер. ЭВТ, 1971, вып. 5, стр. 115, рис. 1б, в, r.