Способ получения монокристаллов с малой величиной остаточных напряжений

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬГЕт ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 ц403226

Союз Советскнх

Соцналнстнческнх

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22.03.71 (21) 1633337 23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 15.05.74 Бюллетень № 18 (45) Дата опубликования описания 09.08.78 (51) М. Ь;л. -

В 01J 17, 00

Государственный комнтет

Совета Министров СССР (53) УДК 548 55 (088.8) по делам изобретений н открытий (72) Авторы изобретения М. С. Каплан, И. В, Смушков, Я. М. Минский и В. Ф. Гончаренко (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ С

МАЛОЙ ВЕЛИЧИНОГ! ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИИ

Изобретение относится к способам получения монокристаллов с малой величинои остаточных напряжений и может быть использовано при производстве монокристаллов, проявляющих достаточную пластичность при температуре T »ж0,5 Т плавления, например, щелочно-галоидных.

Известен способ получения кристаллов с малой величиной остаточных напряжений путем выращивания, отжига, механической обработки и дополнительного отжпга в l130термических условиях при температуре бли: кой к Т плавления.

Нсдостатки известного способа состоят в том, что дополнительный отжиг проводят в условиях высоких температур, близких к температуре плавления, что усложняет и удлиняет процесс.

С целью устранения указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них проводят при температуре or Тп» до (T .,—

100 С) .

Предложенный способ в полтора раза сокращает время проведения процесса, повышает его надежность и упрощает условия проведения отжига.

Пример. Чонокристальную булю из натрия хлористого диаметром 140 мм вы5 сотой 8б мм помещают в печь отжига.

Температуру повышают со скоростью

10%brac до 450 С. При этой температуре кристалл выдерживают 24 часа. Затем температуру сниткают до комнатной со ско10 ростыо 10 /час. Уровень остаточных напряжений в булс 5,4 кг/см- .

Предмет изобретения

Способ получения монокристаллов с ма15 лой величинои остаточных напряжений для выращивания кристаллов с низкотемпературным порогом пластичности (Тг») путем выращивания, отжига, механической обработки и последующей дополнительной

20 термообработкп в изотермических условиях, отлпча ющийся тем, что, с целью уменьшения длительности процесса, упрощения его услоьпй и повышения надежности, дополнительную термообработку про25 водят при температуре от Тл» до 1Т -.,—

100 С) .