Способ получения тонкой базы

 

Класс 21г, 11о

Л4 133954

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная грг1тга Л-" 97

A. С. Сущик, А. И. Курносов и Ю. И. Сидоров

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ БАЗЪ|

В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

Заявлено 21 марта 1960 г. за № 658930/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 23 за 1960 г.

Способы получения тонкой базы B полупроводниковых приборах известны. Однако процессы получения тонкой базы при больших размерах полупроводниковых пластин, основанные на известных способах, весьма сложны.

В предлагаемом способе процесс получения тонкой базы при меньших размерах полупроводниковых пластин значительно упрощен.

Предлагаемый спосоо основан на известном факте, что если имеется прослойка некоторого сплава в монолите полупроводникового материала и он помещен в температурное поле с градиентом температуры, перпендикулярным плоскости прослойки, то прослойка будет перемешаться в сторону оольшей температуры при условии, что сама величина температуры достаточна для расплавления сплава. При этом участок полупроводникового материала, через который прошла прослойка (зона расплава), оудет легирован желаемой примесью, если последняя была в составе сплава.

На фиг. 1 (положение а и б ) изображены различные этапы»;юцесса получения тонкой базы для структуры, содержащей один р=п переход, а на фиг 2 (положение а и б) — от структуры, содержащей два р = n перехода.

Для получения тонкой базы в структуре, содержащей один р = и

»срсход (фиг, 1, а и б) на пластину 1, выполненную, например, из кремния р-типа, накладывают пластину 2 из легирующей примеси, »апример силумина, и пластину 3, выполненную из кремния и-типа. Полученную структуру помешают в печь с заданным температурным градиентом (Т ) Т2), направленным в сторону пластинки 8 из кремния и-типа (фиг, 1а). Зная из опыта или соответствующего расчета скорость движения зоны при заданном градиенте, процесс ведут до тех пор, пока зона ра; плава не подойдет на необходимое расстояние (где d — толш»на базы) к границе пластинки 8 из кремния п-типа. Зз№ 133954 тем, не охлаждая композиции ниже точки звтектики (— 577 ), во избежание появления трещин в кремнии при малых величинах d, изменяют направление температурного градиента на обратное (Т2) Т ) и отводят зону расплава в обратном направлении от полученной базы (фиг. 1,o) .

Для получения тонкой базы: структуре, содержащей два р = n перехода (фиг. 2,а и б) на пластину 1, выполненную из кремния р-типа, накладывают HJIBcTHHK) 2 из силумина пластину 3 из кремния и"типа, пластину 4 также из силумина, и, наконец, пластинку 5 из кремния р-типа. Причем желательно, чтобы обращенная в сторону большой гемпературы (Т )Т ) пластинка б из кремния р-типа была тоньше пластины 8 из кремния п-типа на величину d (фиг. 2,а). Помещают полученную структуру в печь с заданным температурным градиентом и ведут процесс до получения необходимой толщины базы d, после чего изменением направления температурного градиента на ооратное отводят зону расплава в пластине 3 из кремния и-типа (зона расплава в пластине 5 из клемния р-типа вышла при описанном процессе на попер:спость пластинки и в обратном направлении двигаться не буде") от полученной тонкой оазы и при необходимости выводят ее наружу (фиг, 2,6).

Предмет изобретения

Способ получения тонкой базы в полупроводниковых приборах, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью упрощения процес са получения зонкой базы при больших размерах полупроводниковых пластин, на пластинку, выполненную, например, из кремния р-типа, накладывают пластинку из легируюшей примеси, например силумина и пластинку, выполненную из кремния п-типа, полученную структуру пом..щают в печь с заданным температурным градиентом, доводят зону расплава до границы пластинки из кремния п-типа и, не охлаждая композиции ниже точки эвтектики, изменяют направление температурного градиента, отводя зону расплава в обратном направлении.