Элемент памяти

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано ё программируемых постоянных запоминающих устройствах. Цель изобретения - повышение надежности злемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что второй проводящий слой выполнен из материала, не смачивающего поверхность подложки. 3 ил. (Л с: 00 00 со О5 ел 05

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

09) (11) (51) 4 G 11 С 11/40

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

)ОСУДАРСТВЕКНЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3997893/24-24 (22)30.!2,85 (46) 23.09.87, Бюл. В 35 (71) Львовскйй политехиическйй институт им. Ленинского комсомола (72) М.Д.Матвийкив, Ю.В,Юзевич и О.И,Дорош (53) 681.327.66(088.8) (56) Косарев Ю.А., Виноградов С.В.

Электрически изменяемые ПЗУ,-Л.:

Энергоиздат, Ленинградское отд-е, 1985, с.9. (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в нрогфаммируемых постоянных запоминающих устройствах. Цель изобретения - повышение надежности элемейта памяти. Поставленная цель достига ется тем, что второй проводящий слой выполнен из материала, не смачивающего поверхность подложки. 3 ил.

656

Формула изобретения

1339

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть испольэовано при изготовлении программируе-. мых постоянных запоминающих устройств, 5

Целью изобретения является повыше ние надежности элемента памяти за счет устранения возможного самопроизвольного стирания записанной информации. 10

На фиг, 1 представлен элемент памяти; на фиг.2 — элемент, памяти с записанной информацией; на фиг.3 электрическая схема накопителя для постоянного запоминающего устройства, 15

Злемент памяти содержит подложку

1, выполненную, например, из кремния, первую и вторую; проводящие области I

2, образующие контактные площадки, третью проводящую область 3 которая 20 образует перемычку, Третья проводящая область 3 (перемычка). выполнена в виде пленки иэ несмачивающего поверхность кремниевой подложки 1 материала, например легкоплавких припоев, индиевого припоя, а также других материалов, несмачивавающих кремниевую подложку l нанесенных вакуумным напылением на поверхность кремниевой подложки 1. Область 3 электрически 30 связана с областями 2, которые изолированы друг от друга.

Программирование осуществляется следующим образом.

При подаче импульса тока плавкая перемычка — область 3 переходит в жидкое состояние и эа счет несмачиваемости поверхности кремниевой подложки 1 собирается на контактных площадках — областях 2, которые планкая перемычка (область 3) смачивает, Контактные площадки могут быть выполнены из меди, никеля, золота с адгезионным подлоем хрома, нихрома, ванадия, а также других материалов, имеющих высокую адгезию к подложке l.

При этом происходит нарушение электрического соединения между контактными площадками, что соответствует записи логического нуля.

В предлагаемом элементе памяти программирование осуществляется блаrодаря плавлению перемычки, материал которой за счет несмачиваемости поверхности подложки собирается на контактных площадках, прерывая электрическую связь между ними, Злемент памяти, содержащий подложку, первую и вторую проводящие области, расположенные на поверхности подложки> третью проводящую область, расположенную на поверхностях подложки первой и второй проводящих областей, о т л и ч а .ю шийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, третья проводящая область выполнена из материала, несмачивающего поверхность подложк»,.

1339656

Составитель Б, Венков

Техред М.Дидык Корректор М.Пожо

Редактор Н.Лазаренко

Заказ 4232/44 Тираж 589 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

11роизводственно †полиграфическ предприятие, г, Ужгород, ул, Проектная, ч