Раствор для травления стекла

 

Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для селективного травления стекла по отношению к прозрачным проводящим пленкам и . Цель изобретения состоит в повышен И селективности по отношению к пленке InjOjrSnO. Раствор .для травления стекла содержит, г/л: 50-820; 15,14-75,7; вода остальное. Скорость травления термического SiOj 2-45 нм/мин, а селективность по отношению к InjOjtSnO - 120-300 раз. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (5D 4 С 03 С 15 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с

Ф

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4070097/24-33 (22) 22 ° 05.86 (46) 15.01.88. Вюл, ¹ 2 (71) Минский радиотехнический институт (72) П.В.Жагиро, В.А.Живов и П.Г.Сватенко (53) 666.1.05(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 457673, кл, С 03 С 15/00, 1970.

Заявка Японии ¹ 47-6310, кл. 21 В 33, 1972, (54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ СТЕКЛА (57) Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для селективного травления стекла по отношению к прозрачным проводящим пленкам In 0 и In 0>. SnO . Цель изобретения состоит в повышении селективности по отношению к пленке In 0 :SnO . Раствор .для травления стекла содержит, г/л:

ИН Р. 50-820; Н Р04 15, 14-75,7; вода остальное. Скорость травления термического SiO< 2-45 нм/мин, а селективность по отношению к In O ;SnO —

120-300 раз. 1 табл.

1366489

Компонент, показатель

Состав

) г (з (4 ) 5

400 400 50 820 820

Ин F

15,14 75,7 60,5 60,5 75,7

Нзр04. До 1 л До 1 л До 1 л До 1 л До 1 л.

НО

Скорость травления термического SiO, нм/мин

30

30 3,5

Селективность, раз

140

300

120 200

300

Составитель Г.Мурашова

Техред И. Верес Корректор М.Демчик

Редактор Н.Киштулинец

Заказ 6764/22 Тираж 425 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r,Óæãoðîä, ул.Проектная,4

Изобретение относится к технологии оптоэлектронных приборов и может быть использовано для селективного травления стекла по отношению к про- 5 зрачным проводящим пленкам типа In О и In О :SnO<.

Цель изобретения — повышение селективности по отношению к пленке

In Оз. SnO 10

Для составления растворов используют деиониэованную воду марки "А", фтористый аммоний и ортофосфорную кислоту марки х.ч., Пленки In 0 :SnO на кремниевой подложке получают рас- 15 пылением в среде кислорода низкого давления с использованием металлической мишени, содержащей, мас.X: In95, Sn 5

Толщина пленок 80 нм. Для получе- 20 ния термического SiO (кварцевое стекло) используют термическое окисление кремниевых подложек. Толщина термического окисла 0,3-0,8 мкм. Применяют также пленки пиролитического стекла (фосфор-силикатные). В используемых растворах они травятся в 4,5 — 5 раз быстрее, чем термический окисел. ТравI ление контролируют по изменению и исчезновению интерференционных цветов пленок.

Изобретение поясняется на конкретных примерах, которые приведены в таблице.

Технико-экономическими преимуществами изобретения являются ускорение технологического процесса, упрощение

его контроля и повьппение выхода годных в производстве изделий оптоэлектроники.

Формула изобретения

Раствор для травления стекла, включающий фтористый аммоний, фосфорную кислоту и воду, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью повьппения селективности по отношению к плен-. ке In 0>!SnO<, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, г/л:

ИН F 50-820

Н РО„ 15 14-75,7

Вода Остальное