Способ осаждения слоев тугоплавких металлов

Авторы патента:

H01L21 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]

1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.

Раствор для локального травления поликристаллического кремния // 1604094

Изобретение относится к полупроводниковой технологии

Способ изготовления золотоалюминиевых термокомпрессионных соединений // 1604089

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника // 1602291

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушаюпего контроля состояния поверхности образцов, а именно для определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника

Способ получения контактов к кремниевой подложке // 1602279

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к способам получения контактов к кремниевой подложке

Способ изготовления кремниевых структур // 1602275

Способ крепления преимущественно полупроводниковой пластины на кольцевом держателе // 1598778

Изобретение относится к области электроники

Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке // 1598776

Способ изготовления элементов интегральных схем // 1598707

Кассета для транспортирования плоских изделий с двусторонними фасками, преимущественно жестких магнитных дисков // 1598246

Способ формирования пленки карбида кремния на подложке // 2100870

Способ изготовления биполярных полупроводниковых приборов // 2100871

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Способ обработки лавинных диодов // 2100872

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Способ изготовления интегральных схем на моп-транзисторах // 2100873

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ нанесения пленок // 2102814

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных эпитаксиальных структур // 2102815

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Способ легирования твердого тела // 2102816

Способ изготовления полупроводниковых структур // 2102817

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией