Способ изготовления матричного накопителя

 

Изобретение относится к электронной и вычислительной технике и может быть использовано При создании оперативной памяти искусственного интеллекта. Целью изобретения является упрощение технологии , а также повышение качества и плотности матричного накопителя. Для этого в качестве полупроводникового стекла используют оксидное полупроводниковое стекло (ОСП) следующего состава; СиО- СаО-РзОб, CuO-Te02-V20s. а также ОСП Других составов на основе переходных металлов . Нанесенную на подложку стеклянную фритту оплавляют импульсными лазерным излучением с длиной волны 1,06 мкм и ллйтностью мощности (1,6-3,6) ИО Вт/см2, достаточной для ее проплава на всю глубину без выброса массы. 1 табл., 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

s G 11 С .11/40

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4687539/24 (22) 03,05.89 (46) 23;09.91. Бюл. hh 35 (71) Львовский политехнический институт им. Ленинского комсомола (72) А,А,Новиков и M.Ä.Äèìàí÷åâ (53) 681.327.66 (088.8) (56) Озч1пэКу S..R. Reversible electrical

swltlhlng phenomena in disordered structures .— Phlp Rev. Le ff. v.21, М 20, 1968, р.1450.

Андреев В.П. Репрограммируемые постоянные запоминающие. устройства на основе стеклообразных полупроводников—

M.: Радио и связь, с. 136. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ

Изобретение относится к электронной и вычислительной технике и может быть использовано при создании оперативной памяти искусственного интеллекта.

Целью изобретения является упрощение технологии, а также повышение качества и плотности матричного накопителя.

Способ осуществляют следующим образом.

Между металлическими шинами наносят слой диэлектрика и оксидное полупроводниковое стекло (ОСП), которое обрабатывают лазерным излучением единичных импульсов с длиной волны 1,06 мкм и мощностью 3 1 Вт, достаточной для проплава шликера ОСП на всю глубину без выброса массы . В качестве полупроводникового стекла используются следующие составы оксидного полупроводникового стекла (OCll); CuO СаО-РгОБ, „„SU 1679551 А1 (57) Изобретение относится к электронной и вычислительной технике и может быть использовано при создании оперативной памяти искусственного интеллекта, Целью изобретения является упрощение технологии, а также повышение качества и плотности матричного накопителя, Для этого в качестве полупроводникового стекла используют оксидное полупроводниковое стекло {ОСП) следующего состава: CuO—

СаΠ—.Р20э, Си0-Te02 — VzOg, а также ОСП других составов на основе переходных металлов. Нанесенную на подложку стеклянную фритту оплавляют импульсными лазерным излучением с длиной волны 1,06 мкм и плбтностью мощности (1,6 — 3,6) 10

Вт/см, достаточной для ее проплава на всю глубину беэ выброса массы, 1 табл., 2 ил.

CuO — Te02-V205, а также другие на основе переходных. металлов. Оксидное полупроводниковое стекло обладает высокой химической устойчивостью, низкой токсичностью, высокой температурой плавления, долговечностью. Нанесение слоя стекла производится на воздухе, вручную и не требует использования сложных дорогостоящих приборов и соответствующей им техники безопасности. Лазерным излучением единичными импульсами длиной волны

1,06 мкм и плотностью мощности (1,6-3,6)

40 Вт/см воздействуют на слой оксидного полупроводникового стекла в требуемом . месте. В месте воздействия происходитулетучивание влаги, следов связки.

На фиг.1 представлена последовательность технологических операций по изготовлению матричного накопителя; на фиг.2

1679551 — электрическая схема матричного накопителя.

Пример. На ситалловую подложку наносят термическим напылением контактную полосу металлической (например, хромовой) пленки толщиной 10 мкм (фиг,1, а и б). Затем наносят тонкий слой шликера ОСП состава СиО-ТеО -V20s толщиной 40110 мкм (фиг1, в). После высыхания слоя шликера подложку устанавливают на рабочий столик лазерной установки типа "Квант" и производят обработку композиции единичными импульсами сфокусированного лазерного излучения с длиной волны 1,0 мкм с мощностью 4 Вт, достаточной для проплава»

"шликера на всю глубину беэ выброса массы (фиг,1, r). Столик перемещается с шагом нанесения контактных полос. Облучаются участки слоя шликера, находящиеся над электронным материалом. Затем пластину помещают в напылительную установку и производят напыление второго слоя хромовой пленки (Y-шина), расположенной перпендикулярно к первой хромовой полосе (фиг.1,д). Далее на пластину вновь наносят слой шликера (фиг.1,е), обрабатывают лазерным излучением (фиг.1,ж). Затем наносят слой диэлектрика (например, Sl0z) толщиной 511 мкм (фиг.1,з), в котором методом фотолитографии с последующим травлением изготавливают окно для оголения слоя стекла (фиг.1,и), Сверху наносят хромовый слой второй Х-шины (фиг.1,к). Далее операции повторяют сначала.

В результате электрическую схему (объемного) матричного накопителя можно представить в виде структуры, изображенной на фиг.2. Объемная матричная память может быть расширена по осям Х, Y u Z.

Плотность мощности лазерного излучения, полученного с помощью лазерной установки типа "Квант" при диаметре сфокусированного пятна 0,4 мм, длине вол5 ны 1,06 мкм и мощности излучения 2-4 Вт, составляет 1,6 10 — 3,6 10 Вт/см .

В таблице приведены результаты проводимых исследований по определению оптимального режима обработки лазерным

10 излучением.

Технико-экономическая эффективность изобретения заключается в повышении объема и плотности записи объемной матрицы, а также повышение эксплуатацион15 ных свойств, качества и упрощение технологии за счет применения оксидного полупроводникового стекла и исключения многоразовых операций фотолитографии и травления, что, в свою очередь, приводит к

20 сокращению времени изготовления элементов матричной памяти и улучшению условий труда.

Формула изобретения

25 о

Способ изготовления матричного макопителя, включающий нанесение на подложку слоев диэлектрика и полупроводникового стекла между металлическими шинами с по30 следующей фотолитографией и травлением, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии, увеличения качества накопителя, в качестве полупроводникового стекла наносят слой оксидного

35 полупроводникового стекла и обрабатывают его с помощью импульсного лазерного излучения с длиной волны Ъ1.06 мкм и плотностью мощности (1,6- 3,6)10 Вт /см.".

1679551

l/амжкч им

sureð

И6й/1фй7

Йгюаипйа е) Нан свм бпе,моная Ц Лищь « ф излучении ф игл яика

N Hu r (ь ы«к а и

Cauli

<ЬэлФВ МЯО

Шар ыы рк ) Ачлг«лги«у

Аж Фж и) юг rpnre

Составитель Л;Амусьева

Техред M.Ìîðråíòàë Корректор О.Кравцова

Редактор Г.Гербер

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 3218 Тираж 321 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5