Способ выращивания монокристаллов дифторида марганца

 

SU 1783037A1

Batch : N0115212

Date : 04/Об/2001

Number of pages : 4

Previous document : SU 1783036A1

Next document : SU 1783038А1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st>s Е 01 Н 5/12 А 46 В 7/08

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСЛАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4883824/11 (22) 22.11.90 (46) 23.12.92. Бюл. ¹ 47 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро "Мосдормаш" и Московский автомобильно-дорожный институт (72) Г.Я.Зуев, Г;А.Литинский, Л.А.Кальнов и

А.Б.Ермилов (56) 1. Карабан.Г;Л. и др. Машины для содержания и ремонта автомобильных дорог и аэродромов. M., Машиностроение, 1975, с.153.

2.Sauubere Wege. Umwelttechnlc heute, ¹7,,1986,,р.544. .. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ДОРОЖНЫХ ПОКРЫТИЙ (57) Использование:,относится к области машин для летнего и зимнего содержания горадских территорий, преимущественно

„, Ц „„1783037 Al типа подметальных машин и скалывателей уплотненного снега. Сущность — содер>кит рабочий орган в виде усеченной в радиальной плоскости симметрии отработавшей ресурс автомобильной шины 7, закрепленной на несущем диске 8 под углом к дорожному покрытию 11. Усеченная автомобильная ши на 7 установлена с наклоном оси вращения вперед и вбок с возможностью воздействия на грунтовые наносы и снег внешним периметром 13, снабжена приводным гидромотором 6 и связана с несущим диском 8 посредством внешних и внутренних радиальных пластин 14 и 15, жестко соединенных шпильками 16 между собой и с несущим диском 8, посредством которых зажаты края верхней части усеченной шины 7. Радиальные пластины 14 и 15 выполнены в виде плоских пружин. 1 з.п. ф-лы. 3 ил.

Способ выращивания монокристаллов дифторида марганца Способ выращивания монокристаллов дифторида марганца Способ выращивания монокристаллов дифторида марганца 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к получению щелочно-галоидных монокристаллов высокой степени чистоты и может быть использовано для получения диспергирующих зле ментов ИК-спектроскопии, сред для записи информации, образцов для фундаменталь ных исследований, а также для очистки монокристаллов от кислородсодержащих примесей

Изобретение относится к получению монокристаллов бромидов и может быть использовано для легирования кристаллов и их использования в фундаментальных исследованиях

Изобретение относится к получению ионных кристаллов, легированных гидридионами , и может быть использовано для получения фотохромных сред, лазерных сред, детекторов светового и ионизирующих излучений

Изобретение относится к способу полг учения монокристаллов хлористого свинца, PbCIa и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике, а также для создания сверхпроводящих материалов на основе PbCla

Изобретение относится к способу получения монокристаллов йодида свинца РЫа и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике,а также для создания сверхпроводящих материалов на основе йодида

Изобретение относится к получению ферромагнитных монокристаллических материалов с гексагональной структурой, применяемых в электронике

Изобретение относится к получению монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников ВТСП, которые могут быть использованы в микроэлектронике и технике низких температур

Изобретение относится к монокристаллическим ферритовым материалам (МКФ), предназначенным для сердечников видеоголовок сверхплотной записи, работающих в диапазоне до 50 МГц

Изобретение относится к способам получения полупроводниковых твердых растворов CuAlxini-xS2, которые могут быть использованы как материалы для изготовления светодиодов для видимой и ультрафиолетовой областей, солнечных элементов

Изобретение относится к литейному производству, преимущественно к технологии получении заготовок из магнитных сплавов с монокристаллической структурой, и позволяет улучшить качество монокристаллов и повысить магнитные параметры

Изобретение относится к электронной технике и позволяет расширить спектральный диапазон пропускания амплитудных фильтров в ближнюю инфракрасную область спектра и сократить толщину фильтра за счет увеличения коэффициента поглощения на краях в видимой области спектра

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов и позволяет получать ориентированные кристаллы цепочной или слоистой структуры с низкой степенью деформации

Изобретение относится к получению кристаллов и позволяет ускорить процесс

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
Наверх