Способ определения теплового сопротивлениятиристоров

 

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕИИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2GGGII

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 2l@, 11(02

42i, 12/05

Заявлено 01. т 1.1966 (№ 1081269,(26-10) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 29.V11.1967. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 14.1Х.1967

МПК Н Oll

G 011<

УДК 621.382.536.6 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Э. Н, Улановский, А. Г. Морозов и И. П. Федоров

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ТИРИСТОРОВ

Предмет изобретения

Известны способы определения теплового сопротивления тиристоров путем их нагрева проходящим током в открытом состоянии, измерения щелевым методом напряжения включения, являющегося температурозависимым параметром, при двух различных значениях температуры окружающей среды и мощности греющего тока и последующего расчета теплового сопротивления по известным зависимостям. Эти способы не обеспечивают определения величины теплового сопротивления центрального р — n-перехода, характеризующего в режиме переключения нагрузочную способность тиристора прямым током. Кроме того, они не позволяют быстро переключать тиристоры с режима нагрева на режим измерения вследствие влияния скорости нарастания напряжения на тиристоре на напряжение его включения, которое используется в качестве температурозависимого параметра, что вносит погрешность в результат измерения.

По предложенному способу выключение тиристора производят при возможно более коротком заднем фронте греющего тока, а включение — при нелинейном, например экспоненциальном, нарастании прямого напряжения на запертом тиристоре. Это позволяет определить величину теплового сопротивления центрального р — n-перехода, характеризующего в режиме переключения нагрузочную способность тиристора прямым током, и повысить точность путем устранения влияния скорости нарастания напряжения на тиристоре.

Способ определения теплового сопротивле10 нпя тиристоров путем их нагрева проходящим током в открытом состоянии, измерения щслевым методом напряжения Вкл!очепия, являгощегося температурозавпспмым параметром, при двух различных значениях темпера15 туры окружающей среды и мощности греющего тока и последующего расчета теплового сьч-,ротивлепия по известным зависимостям, от.ги:Ià(ои ийся тем, что, с целью определения вел»I»;1! ны теплового сопротивления централь20 1юго p — п-перехода, характеризующего в режиме переключегп(я нагрузочпую способность тиристора прямым током, и повышения точности путем устранения влияния скорости нарастания напряжения па тирпсторе, выключе25 иие тиристора производят при возможно более коротком зад lcì фронте греющего тока,а включение — при нелинейном, например экспоненциальном, нарастании прямого напряжения на запертом тиристоре.

Способ определения теплового сопротивлениятиристоров 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх