Патент ссср 200013

 

200013

Составитель М. И. Фримштейн

Редактор И. С. Коган Техред Л. Я. Бриккер Корректоры: С. А. Башлыкова и Е. Н. Гудзова

Заказ 2913/10 Тираж 535 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 метром, при двух различных значениях температуры окружающей среды и мощности греющего тока, отличающийся тем, что, с целью определения величины теплового сопротивления центрального р — n-перехода, характеризующего в ждущем режиме напряжение включения тиристора, через тиристор пропускают греющий постоянный ток, меньший тока включения, периодически, со скважн остью более 100, накладывают импульс измерительного тока с амплитудой, не превышающей двух значений тока включения, измеряют напряжение включения тиристдра и поддерживают его постоянными двумя различными значениями температуры окружающей среды и мощности греющего тока, по которым определяют тепловое сопротивление, пользуясь известной зависимостью.

О П И С А Н И Е 2ООО!3

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21тт, 11 02

42i, 12/05

Заявлено 01Х!.1966 (№ 1081268/26-10) с присоединением заявки №

МПК Н 01l

G 011<

УДК 621.382: 536.6 (088.8) Приоритет

Опубликовано 29Х11.1967. Бюллетень ¹ 16

Дата опубликования описания 14.1Х.1967

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Э. Н. Улановский, А. А. Тарасенко, С. Г. Забродский и,!

В. В. Поливанный р . l..

Авторы изобретения

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

ТИРИСТОРОВ

Известны способы определения теплового сопротивления тиристоров путем их нагрева проходящим током и измерения напряжения включения, являющегося температурозависимым параметром, при двух различных значениях температуры окружающей среды и мощности греющего тока. Применяя известные способы, нельзя определить величину теплового сопротивления центрального р — и-перехода, характеризующего в ждущем режиме напряжение включения тиристора.

По предложенному способу при требуемой повышенной температуре среды через тиристор пропускают прямоугольный импульс тока с амплитудой, большей тока включения, и скважностью 10- — 10", тиристор переключается в открытое состояние. При этом фиксируют величину напряжения включения. В этом режиме значительная мгновенная мощность потерь рассеивается только во время переключения тиристора, когда напряжение на нем велико. Так как время переключения тиристора много меньше длительности импульса, которое, в свою очередь, много меньше периода, то рассеиваемой во время переключения мощностью потерь можно пренебречь. Температуру среды снижают на величину Л/ порядка 20=.50 С и при тех же импульсах тока в паузах между ними пропускают постоянный ток 1о, греющий центральный переход тиристор а.

Величину греющего тока подбирают такой, чтобы получить то же значение напряжения включения, что и при первом измерении, что свидетельствует о равенстве температур центрального перехода, и измеряют величину постоянного напряжения Up на тиристоре. Тогда искомое тепловое сопротивление можно определить по формуле:

5t

10 т— о о

Предлагаемый способ измерения свободен

dU от влияния «эффекта» по следующим

15 причинам: при указанной выше величине разности температур требуемая мощность нагрева получается при величинах Up, близких к величине напряжения включения U, для измерения напряжения включения U„, удобно применять пиковый вольтметр с открытым входом. Заряд его емкости в начале импульса тока несколько растягивает передний фронт той части тока, которая идет через тиристор.

Предмет изобретения

Способ определения теплового сопротивления тиристоров путем их нагрева проходящим током и измерения напряжения включения, являющегося температуро-зависимым пара

Патент ссср 200013 Патент ссср 200013 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх