Устройство для проверки парал^етров транзисторов

 

3Î3009

ОПИСАН ИБ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских! лате(„r бИ и

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21а<, 71

Заявлено 20Х.1966 (Ме 1079417/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.IX.1967, Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 20.XII.19á7

МП1х С Оlг

Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров

СССР

УДК 621 317 799 621 382 3 (088.8) LBTopbI изобретения

Н. И. Лебедев и Л. И. Маликова

Заявитель

УСТРОИСТВО ДЛЯ ПРОВЕРКИ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Предложенное устройство относится к контрольно-классификационному оборудованию для транзисторов и может быть применено как в классификаторах транзисторов, так и в других автоматических установках измерения и контроля параметров транзисторов, где возможны случаи неправильной ориентации транзисторов при включении их на измерительные позиции.

Известные устройства, основанные на принципе сравнения коэффициента усиления транзистора по току в прямом и инверсном включениях и содержащие предварительный усилитель, схему «запоминания» результата первого измерения и схему сравнения, обладают недостаточной разрешающей способностью и ограниченным диапазоном сравниваемых значений коэффициента усиления. Указанные ограничения вызваны тем, что включаемый перед схемами «памяти» и сравнения предварительный усилитель имеет ограниченный участок линейности амплитудной характеристики и при достаточно больших сигналах или большом усилении его последние каскады работают в режиме ограничения.

Описанное в заявке предполагаемое изобрегение позволяет создать устройство контроля ориентации транзисторов с повышенной разрешающей способностью и расширенным диапазоном допустимых значений коэффициента усиления у контролируемых транзисторов.

Отличие предлагаемого устройства от известных состоит в применении быстродействующего коммутатора, периодически изменяющего точки подключения эмиттерного и коллекторного контактов измерительной головки между собой и в замене предварительного усилителя, схемы памяти и схемы сравнения усилителем-ограничителем и фазовым детектором, настроенным на частоту коммутации.

На чертеже изображена функциональная схема устройства контроля ориентации транзисторов. Устройство состоит из следующих узлов и деталей: источника постоянного напряжения 1, токозадающего сопротивления в цепи базы 2, измерительной головки 8, служащей для включения контролируемых транзисторов, коммутатора 4, служащего для периодического переключения эмиттер ного и коллекторного контактов измерительной головки, сопротивления нагрузки контролируемых транзисторов 5, усилителя-ограничителя б, фазового детектора 7 и источника питания 8.

Устройство работает следующим образом.

Источник постоянного напряжения 1 и сопротивления 2 образуют в базовой цепи контролируемого транзистора источник тока. Величина напряжения на сопротивлении нагрузки 5 пропорциональна величине базового тока и коэффициенту усиления контролируемого зО транзистора. Поскольку сопротивление в цепи базы 2 выбрано достаточно большим, ток ба203009

Предмет изобретения

Составитель В. Бойко

Техред Л. Я. Бриккер

Корректоры: M. П. Ромашова и Е. Н. Гудзова

Редактор В. В. Сорокин

Заказ 3861/9 Тираж 535 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д 4

Типография, пр. Сапунова, 2

ы для всех контролируемых транзисторов будет одинаковым и напряжение на сопротивлении нагрузки 5 будет зависеть только от коэффициента усиления транзисторов по току.

В результате работы коммутатора 4, осуществляющего с частотой сети переключение эмиттерного и коллекторного контактов измерительной головки 3, на сопротивлении нагрузки 5 выделится переменное напряжение, фаза которого будет зависеть от ориентации транзистора в измерительной головке, Напряжение с сопротивления нагрузки 5 усиливается до необходимой величины усилителем-ограничителем б и поступает на фазовый детектор 7, где преобразуется в напряжение постоянного тока положительной или отрицательной полярности. Уровень ограничения сигнала усилителем б выбирается таким, чтобы не было перегрузки фазового детектора 7.

Устройство для проверки параметров транзисторов, содержащее схему сравнения коэффициентов усиления контролируемых транзисторов в прямом и инверсном включениях, измерительную головку, усилитель-ограничитель и фазовый детектор, отличающееся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и расширения диапазона контролируемых значений коэффициента усиления транзисгоров, между измерительной головкой и нагрузкой включен быстродействующий коммутатор, периодически переключающий эмиттерный и коллекторный контакты измерительной головки и соединенный с усилителем-ограничителем и фазовым детектором.

Устройство для проверки парал^етров транзисторов Устройство для проверки парал^етров транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх