Устройство для неразрушающего контроля качества соединений элементов конструкции изделий электронной техники

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для оценки технологии производства изделий электронной техники, например интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, и на входном контроле приборостроительных предприятий. Сущность: устройство состоит из станины, кронштейна, датчика малых перемещений, генератора тока, рычага с соотношением плеч l1/l2=n, усилителя, аналого-цифрового преобразователя, электронно-вычислительной машины, монитора, цифроаналогового преобразователя. Одно плечо рычага соединено с исследуемым изделием, а другое с датчиком малых перемещений. Выход датчика соединен с входом усилителя. Выход усилителя соединен с входом аналогово-цифрового преобразователя, выход которого соединен с электронно-вычислительной машиной. Электронно-вычислительная машина соединена с монитором и с входом цифроаналогового преобразователя, выход которого соединен с генератором импульсов. Технический результат: автоматизация процесса измерений и повышение чувствительности. 1 ил.

 

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для оценки технологии производства изделий электронной техники, например интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, и на входном контроле приборостроительных предприятий.

Известно множество диагностических методов контроля качества и надежности ППИ и устройств для их реализации (НЧ-шум, интегральные ВАХ, m-характеристики и др.). Например, в монографии [1] приведены блок-схемы для реализации таких диагностических способов, как контроль качества полупроводниковых изделий с использованием коронного разряда, диагностика полупроводниковых изделий по производным вольт-амперных характеристик, устройства для реализации метода критических напряжений и др. С помощью вышеперечисленных устройств возможен контроль качества полупроводниковых изделий, но не возможно определить качество соединений кристалл-корпус.

Наиболее близким является устройство, предлагаемое в [2]. Оно состоит из станины с расположенным на ней испытуемым изделием. К кронштейну, жестко связанному со станиной, прикреплен датчик малых перемещений, который своим щупом опирается на корпус исследуемого изделий. Датчик связан электрически с преобразователем и регистратором. Совокупность, состоящая из датчика, преобразователя и регистратора, образует измеритель малых перемещений. Генератор импульсов тока электрически связан с исследуемым изделием и регистратором.

Недостатком предлагаемого устройства является то, что применяется регистратор в виде самописца, и второй недостаток - применение высокочувствительного датчика малых перемещений.

Изобретение направлено на автоматизацию процесса измерений механических связей типа кристалл-корпус и повышение чувствительности измерений.

Это достигается тем, что для анализа измерений применяется электронно-вычислительная машина (ЭВМ) и механический рычаг для увеличения чувствительности измерения малых перемещений.

Сущность изобретения: предлагаемое устройство основано на использовании эффекта возникновения упругой деформации корпуса при резком нагреве одного из элементов конструкции, например кристалла полупроводникового изделия (транзистора или интегральной схемы), величина которой достигает порядка десятых долей микрона. По величине упругой деформации можно сделать вывод о качестве и надежности механической связи кристалл-корпус.

На чертеже изображена блок-схема предлагаемого устройства.

Устройство состоит из станины 1 с расположенным на ней испытуемым изделием 2. К кронштейну 3, который жестко связан со статиной 1, прикреплен рычаг 4 с плечом

где l1, l2 - плечи рычага,

F1, F2 - модули сил, действующих на 1 и 2 плечо соответственно.

n - коэффициент механического усиления.

Ко второму плечу рычага 4 прикреплен датчик малых перемещений 5. Датчик 5 электрически связан с усилителем 6 и посредством аналогово-цифрового преобразователя (АЦП) 7 с ЭВМ 8. ЭВМ 8 связана с монитором 9 и цифроаналоговым преобразователем (ЦАП) 10. При этом ЦАП 10 связан с генератором импульсов 11, который в свою очередь с испытуемым изделием 2, находящимся на станине 1.

Устройство работает следующим образом: с ЭВМ через ЦАП в соответствии с написанной программой подается команда на генератор импульсов 11. Генератор импульсов 11 обеспечивает подачу на изделие 2 импульса тока. При подаче импульса тока полупроводниковое изделие разогревается и по ее корпусу распространяется упругая волна сжатия в случае жесткой механической связи. Перемещения поверхности корпуса через рычаг с плечом усиления n воспринимаются датчиком 5, сигнал которого усиливается усилителем 6, оцифровывается АЦП 7 и поступает в ЭВМ 8, где величина перемещений характеризует качество соединений элементов конструкции контролируемого изделия. Информация при этом выводится на экран монитора.

Источники информации

1. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства, Минск, 1997, 390 с.

2. Авторское свидетельство №911382, кл. G01R 31/26, опубл. 09.03.82.

Устройство для неразрушающего контроля качества соединений элементов конструкции изделий электронной техники, состоящее из станины, испытуемого изделия, кронштейна, датчика малых перемещений и генератора тока, отличающееся тем, что дополнительно введены рычаг с соотношением плеч l1/l2=n, усилитель, аналогово-цифровой преобразователь, электронно-вычислительная машина, монитор, цифроаналоговый преобразователь, причем одно плечо рычага соединено с исследуемым изделием, а другое с датчиком малых перемещений, выход которого соединен с входом усилителя, а выход усилителя - с входом аналогово-цифрового преобразователя, выход которого соединен с электронно-вычислительной машиной, при этом электронно-вычислительная машина соединена с монитором и с входом цифроаналогового преобразователя, выход которого соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с исследуемым изделием.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для контроля экспоненциальных вольт-амперных характеристик (ВАХ), и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий (ППИ), т.е.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при контроле микросхем и полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к технике контроля полупроводников. .

Изобретение относится к области оптических информационных технологий, в частности к методам диагностики динамических параметров лазеров, используемых в волоконно-оптических линиях связи и определяющих скорость передачи импульсно-кодовой информации.

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к технике измерения параметров полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу повышения надежности партий полупроводниковых изделий (ППИ) в процессе серийного производства. .

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам разделения партии интегральных схем (ИС) на надежные и потенциально ненадежные схемы. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к контролю полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя

Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к устройствам для измерения параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) энергии светового излучения в электрическую, и предназначено для автоматизированного контроля солнечных элементов (СЭ), генераторов тока (ГТ) и батарей фотоэлектрических (БФ) при освещении их импульсным ксеноновым излучателем на заводе-изготовителе и в эксплуатирующих организациях
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для испытаний и отбраковки полупроводниковых изделий в процессе их изготовления и эксплуатации

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по радиационной стойкости

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения транзисторов повышенной надежности из партии в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем), и может быть использовано для разделения изделий по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к области испытаний изделий электронной техники и может быть использовано для оценки качества и надежности изделий микро- и наноэлектроники, применяемых в аппаратуре с длительными сроками эксплуатации
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано для отбраковки из партии полупроводниковых изделий, менее стойких к электростатическим разрядам
Наверх