Способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности
Владельцы патента RU 2339964:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU)
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. Сущность: проводят измерения m-характеристик в диапазоне прямого тока (1-100 мА) до и после пропускания импульса тока, с амплитудой в 1,5-3 раза превышающее максимально допустимую по ТУ. Отбор приборов повышенной надежности проводят на основании критерия , где mимп - максимальное значение параметра m после воздействия импульса тока, mисх - максимальное значение параметра m в исходном состоянии. Величину А устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типа приборов. 1 табл.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), и может быть использовано для выделения из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности с высоким уровнем достоверности как в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ контроля качества полупроводниковых приборов с помощью m-характеристик [1], в котором критерий потенциальной надежности приборов имеет значение
1≤m≤2,
т.е. полупроводниковые приборы с данной величиной m-характеристики будут соответствовать по надежности требованиям ТУ.
Недостатком данного способа является невозможность отбора группы приборов с повышенной относительно требований ТУ надежностью. Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей диагностических способов.
Это достигается тем, что m-характеристики полупроводниковых приборов измеряют в диапазоне прямого тока (1-100 мА) до и после пропускания импульса тока с амплитудой в 1,5-3 раза больше максимально допустимого по ТУ.
По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерий для отношения максимальных значений m-характеристик до и после пропускания импульса тока, т.е.
,
где величина А устанавливается на основе статистики.
Способ осуществляется следующим образом. Измеряют m-характеристику p-n переходов выборки приборов в диапазоне прямого тока (1-100 мА) в исходном состоянии. Затем на приборы осуществляют воздействие импульса тока с амплитудой в 1,5-3 раза больше максимально допустимой на переходы база-коллектор и база-эмиттер. Длительность импульса подбирают экспериментально на представительной выборке путем последовательного увеличения с шагом 0,1 с до тех пор, пока не наблюдают отклонение значений параметра m от исходных. Для данного типа приборов длительность импульса составила 0,5 с. После этого производят повторные измерения m-характеристики после воздействия импульса тока и составляют таблицу максимальных значений параметра m. По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерии для отношения максимальных значений m-характеристик 
.
Предложенная методика разделения была апробирована на транзисторах КТ503Б (маломощных кремниевых транзисторах n-p-n-типа).
Максимальные значения измеренных m-характеристик до и после пропускания импульса тока представлены в таблице.
| № прибора | Максимальные значения m-характеристик | | |
| Исходное состояние | Состояние после воздействия импульса тока | ||
| 1 | 1,31 | 1,37 | 1,045 |
| 2 | 1,32 | 1,32 | 1,000 |
| 3 | 1,34 | 1,34 | 1,000 |
| 4 | 1,34 | 1,49 | 1,112 |
| 5 | 1,27 | 1,32 | 1,039 |
| 6 | 1,31 | 1,31 | 1,000 |
| 7 | 1,38 | 1,4 | 1,014 |
| 8 | 1,28 | 1,38 | 1,078 |
| 9 | 1,41 | 1,48 | 1,049 |
| 10 | 1,33 | 1,46 | 1,098 |
Если принять критерий для m-характеристик в случае транзисторов КТ503Б: А=1, то транзисторы №2, 3, 6 будут иметь повышенную надежность.
Источник информации
1. ОСТ 11073.043-75. Приборы полупроводниковые и микросхемы интегральные. Метод контроля качества с помощью m-характеристик.
Способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности с использованием m-характеристик, измеренных в диапазоне прямого тока 1-100 мА, отличающийся тем, что измерение проводят до и после пропускания импульса тока с амплитудой, в 1,5-3 раза превышающего максимально допустимую по ТУ, а отбор приборов повышенной надежности проводят на основании критерия 
, где mимп - максимальное значение параметра m после воздействия импульса тока, mисх - максимальное значение параметра m в исходном состоянии, величину А устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типа приборов.
