Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем), и может быть использовано для разделения изделий по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на представительной выборке измеряют значение информативного параметра изделия до начала испытаний, после механических воздействий, после воздействий электростатических разрядов (ЭСР) и после температурного отжига, а разделение по надежности осуществляют на основании коэффициента относительного изменения информативного параметра, рассчитываемого по формуле:

,

где Анач, Аэср, Амех, Аотж - измеренные величины информативного параметра в начальном состоянии, после воздействия ЭСР, после механических воздействий, после температурного отжига соответственно. Технический результат направлен на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей диагностических способов. 1 табл.

 

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем), и может быть использовано для разделения изделий по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ [1] разделения полупроводниковых изделий (ППИ), включающий измерение интенсивности шумов до и после внешнего воздействия, а последующий отбор потенциально ненадежных изделий проводят по оценке коэффициентов увеличения интенсивности шумов каждого изделия после не менее 10 термоциклов в диапазоне температур, допустимых по техническим условиям по сравнению с первоначальными значениями.

Недостатком способа является дополнительное измерение интенсивности шумов на специальном оборудовании.

Из техники известно [2], что даже допустимые по техническим условиям (ТУ) предельные механические воздействия (одиночные удары с ускорением 1000g и многократные удары с ускорением 150g) влияют на изменение информативных электрических параметров, ухудшая их.

Предлагаемый способ разделения ППИ по надежности направлен на повышение достоверности и расширения функциональных возможностей диагностических способов.

Способ осуществляют следующим образом. Для представительной выборки ППИ выбирают информативный параметр, например коэффициент усиления, обратный ток, напряжение логического нуля. Осуществляют измерение информативного параметра изделия до, после механического воздействия, после ЭСР и после температурного отжига.

Разделение ППИ по надежности осуществляют на основании значения коэффициента относительного изменения величины информативного параметра, рассчитываемого по формуле:

где Анач, Аэср, Амех, Аотж - измеренные величины информативного параметра до (в начальном состоянии), после воздействия ЭСР, после механических воздействий, после температурного отжига соответственно. Чем ниже значение коэффициента, тем большую нестабильность проявляет информационный параметр ППИ под воздействием внешних дестабилизирующих факторов, тем соответственно ниже его потенциальная надежность.

Потенциал ЭСР выбирают равным предельно допустимому значению по ТУ на конкретный тип изделия. Воздействие осуществляют несколькими импульсами ЭСР положительной и отрицательной полярности. Температурный отжиг ППИ проводят в течение 4-8 ч при максимально допустимой температуре кристалла.

Способ был опробован на 10 интегральных схемах типа КР537РУ13 (статические ОЗУ емкостью 4096 бит, выполненные по КМОП-технологии). В качестве информативного параметра было выбрано выходное напряжение логического нуля U02. Значения U02 до испытаний, после 1000 многократных ударов с ускорением 150g, после воздействия ЭСР с потенциалом 500 В положительной и отрицательной полярности и после температурного отжига, проводимого 6 ч, при температуре 100°C указаны в таблице.

Таблица
Номер ИС Значения U02, мВ К
начальное после механ. после ЭСР после отжига
1 176 182 190 180 0,50
2 193 195 197 195 1,00
3 148 150 161 149 0,09
4 159 163 170 161 0,29
5 197 201 212 200 0,27
6 225 227 240 229 0,31
7 147 149 154 150 0,60
8 168 170 182 169 0,08
9 181 183 191 182 0,13
10 163 167 175 166 0,38

Установим значение критерия 0,1≥K≥0,6. На основании данных, представленных в таблице, видно, что ППИ №2, 7 можно отнести к изделиям, обладающим повышенной надежностью, ППИ №3, 8 можно считать потенциально ненадежными.

Источники информации

1. Патент РФ №2289144, G01R 31/26, 2006.

2. Горлов М.И., А.В.Емельянов, В.И.Плебанович. Электростатические заряды в электронике. - МН.: Бел. Наука. 2006. - 295 С.

Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности, в соответствии с которым производят измерение информативного параметра до и после внешнего воздействия, отличающийся тем, что измерение информативного параметра проводят четыре раза: до, после механических воздействий, после воздействия электростатических разрядов (ЭСР) и после температурного отжига, а разделение по надежности осуществляется на основании коэффициента относительного изменения информативного параметра, рассчитываемого по формуле:
,
где Анач, Аэср, Амех, Аотж - измеренные величины информативного параметра в начальном состоянии, после воздействия ЭСР, после механических воздействий, после температурного отжига соответственно.



 

Похожие патенты:
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения транзисторов повышенной надежности из партии в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации интегральных схем (ИС), и может быть использовано для выделения из партии ИС повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по радиационной стойкости.
Изобретение относится к электронной промышленности и может быть использовано для испытаний и отбраковки полупроводниковых изделий в процессе их изготовления и эксплуатации.

Изобретение относится к электроизмерительной технике, в частности к устройствам для измерения параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) энергии светового излучения в электрическую, и предназначено для автоматизированного контроля солнечных элементов (СЭ), генераторов тока (ГТ) и батарей фотоэлектрических (БФ) при освещении их импульсным ксеноновым излучателем на заводе-изготовителе и в эксплуатирующих организациях.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых изделий (ППИ), а также для анализа изделий, отказавших у потребителя.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для оценки технологии производства изделий электронной техники, например интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, и на входном контроле приборостроительных предприятий.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к устройствам для контроля экспоненциальных вольт-амперных характеристик (ВАХ), и может быть использовано для регистрации коэффициента неидеальности полупроводниковых изделий (ППИ), т.е.

Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано при контроле микросхем и полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к области испытаний изделий электронной техники и может быть использовано для оценки качества и надежности изделий микро- и наноэлектроники, применяемых в аппаратуре с длительными сроками эксплуатации
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых изделий (ППИ), и может быть использовано для отбраковки из партии полупроводниковых изделий, менее стойких к электростатическим разрядам
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых приборов, и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры
Изобретение относится к области контроля и может быть использовано для ускоренного контроля качества изготовления полупроводниковых приборов химическим способом, в частности диэлектрических пленок резистивных компонентов гибридных интегральных схем
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры

Изобретение относится к технологии радиоэлектронной аппаратуры и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых диодов при их производстве

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов после изготовления

Изобретение относится к испытаниям сохраняемости инфракрасного (ИК) многоэлементного фотоприемного устройства (МФПУ), содержащего клеевые соединения в вакуумированной полости, с рабочей температурой фоточувствительных элементов ниже температуры окружающей среды, предназначенного для регистрации ИК-излучения
Наверх