Способ изготовления rc-структур с распределенными параметрами
ОП И САНИ Е
ИЗОЬГИт ЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Со1оз Советскими
Социалистическик
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 20.!Х.1970 (¹ 1479334 26-9) Кл. Н 05k 3/14 с присосдипеш!ем заявки ¹
Г1рпоритет
Опубликовано 09.11.1972. Вюл lcieiiь № 7
Дата опубликования они«а!шя 27.I II.1972
Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.3.049.75 (088.8) Авторы изобретеш1я
О. E. Бондаренко, Н. А. Васильева и Э. К. Туфлии
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛ EH ИЯ 1 С-СТРУКТУР
С РАСПРЕДEJIEHHbIMH ПАРАМЕТРАМИ тродом структуры. Получештую систему тантал — пятиокись тантала отжигают в высоком вакууме при температуре 350 С нс менее
1 «ав. В проис««с термообработки происходит
5 сов ршсlicT330I3olllic структуры и удаление з 1;1ги пз пор. Дл«!«с «о скоро«тыо и;шылспия пс !и!лес 1 .."! сек на тсрмообраооглнную иоВсрхпостi> пятиокиси тантала наносят высокоомпый рсзистивный слой, на:!ример, металло10 силн!!ичный. Температура подложки поддерживается постоянной. Напусl. атк!Осфе11ы В рлбочпй обьем пропзводит«я при температуре подл!я ки нс менее 300"C.
Спосоо изготовления RC-структур с распре,1слепными параметрамп, основанный на осаждеп1ш и аподироваиии танталовой пленКИ, ТЕР31000PBOOT130 В ВЛКУУМЕ ПО,IA 1ЕПНОЙ СИ стсмы тантал — пятиокись тантала и последую!.303! Напылсп. 1и верхнего металлического элcl òðодл, от.11,чп!Оп(1шс.1 тем, что, с целью рл ашире:1ия фуикц:!Си!альных возможностей
25 стру тур, в качестве материала верхнего электрод", и«пользу!от высокоомный резпстивный сила!3, например мсталлосилицидньш сплав, напыляемый со скоростью не более, чем
30 1, jcel .
Изооретепие относится к технолог:и производства элементов радиоаппаратуры и AIOжст быть использовано в различных устройствах 13 мш роминиапор ом исполиенш1.
Известен способ изготовления RC-структур с Р л с и 1!с.1с а! с н н ы 31 и I с! Р аl м е т 13 а м и, o c I I 0 I3 3 II I I hl I па ослждг«1ии и лиодировании танталовой пленки, термообработке в вакууме иолу«c!! Iioi системы та!Рвал — пя1иокись тантала и последующем напылении верхнего металлического электрода.
Недостаток RC-структур, изготовленных изВССТИ1Я31 CÏOÑOÎÎМ, CO-ТОПТ В ТОМ, ЧТО ИХ СВОЙ«тва изменяются со временем, ITQ огранпчивлет возможности их применения.
Целью изобретения является расширение функциональных возмо кностей RC-структур.
Это достигается тем, что в качестве материала верхнего электрода используют высокоомпый резистивный сплав, например металлосилицидный сплаг, папылясмый со скоростью не оолее, «ei i 1 Ajcex.
На диэлектрическую подложку катодным
pa«!! ûëåHèåì наносят пленку тантала, затем электрохими«секим анодированием окисляют поверхность та1ггаловой пленки на глубину
31орядка 2000 А, получая диэлектрическое покрытие пятиокиси тантала, а оставшаяся часть пленки тантала служит нижним элекПредмет изобретения
