Способ изготовления переключающего диода

 

, 1

c-,"-,, Ь вЂ” . .,"!; °,-,р

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 15.VI.1970 (№ 1452235/26-25) М. Кл. Н 011 7/52 с присоединением заявки №

Приоритет—

Гасударственный камитет

Саеета Миннстрае СССР аа делам изабретеннй и аткрьпий

Опубликовано 28.VIII.1973. Бюллетень № 35 УДК 621.382(088.8)

Дата опубликования описания 29.XII.1973

Авторы изобретения

Г. А. Юрлова, Л. А. Егорова, Т. М. Касаткина и А. А. Маслов

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕГО ДИОДА

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых переключателей с S-образной симметричной вольт-амперной характеристикой на основе стеклообразных полупроводников.

Известен способ изготовления переключающего диода на стеклообразном полупроводнике, при котором полупроводник наносят на графитовую подложку термическим вакуумным распылением.

Многокомпонентный стеклообразный полупроводник при вакуумном распылении частично разлагается на составляющие элементы с резко различным давлением паров при температуре напыления, что нарушает в пленке стекла количественное соотношение компонентов, имеющееся в исходном веществе. Кроме того, высоковольтные переключатели на толстых пленках полупроводникового стекла обладают нестабильными вольт-амперными характеристиками из-за плохой адгезии полупроводникового стекла к графиту.

По предлагаемому способу изготовления переключающего диода активные слои полупроводникового стекла получают методом анафореза — электроосаждением частиц полупроводникового стекла из суспензии на положительно заряженный электрод под действием постоянного электрического тока. Дисперсионной средой для суспензии служит ацетон, в котором полупроводниковое стекло находится во взвешенном состоянии в виде частиц меньше 1 мк. Это позволяет сохранить исходный химический состав стеклообразного

5 полупроводника и увеличить адгезию.

Технология изготовления переключателей состоит в следующем: навеску полупроводникового стекла измельчают на вибромельнице и из полученной пас10 ты готовят суспензию плотностью 1,34 гlсм ; на омический контакт прибора осаждают с помощью электричества из суспензии каплевидный слой полупроводникового стекла, толщина которого зависит от величины и време15 ни прохождения тока; электрод со слоем полупроводникового стекла помещают в стеклянный корпус и запаивают в атмосфере аргона; активный слой полупроводникового стекла

20 оплавляют в каплю внешним нагревом и пропусканием импульсов тока.

Напряжение срыва изготовленных таким способом переключателей 100 — 300 в в зависимости от толщины слоя полупроводника.

25 Применение описанной технологии для изготовления переключателей на стеклообразных полупроводниках создает следующие преимущества: возможность изготовления переключателей

30 с точно заданным химическим составом стеклообразного полупроводника;

339243

Составитель A. Кот

Техред E. Борисова

Редактор Б. Федотов

Корректор О. Усова

Заказ 3504(! Изд. № 963 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2 возможность структурирования капли полупроводникового стекла в процессе оплавления подбором теплового и электрического режимов для улучшения временной стабильности параметров переключателей.

Предмет изобретения

Способ изготовления переключающего диода на основе стеклообразных полупроводников путем нанесения слоя полупроводникового стекла на омический электрод, отличаюи ийся тем, что, с целью сохранения исходного химического состава стеклообразного полупроводника и увеличения адгезии, слой наносят из суспензии исходного материала под действием постоянного тока с последующсй термической обработкой,