Полупроводниковый многослойный переключающий прибор
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Сояетскик
Социалистическик
Респубпнк
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(Й1} Заявлено 260771 (21) 1686081/26-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 05.1078.Áþëëeòåíü № 37 (0 М Кл.
Н 01 L 11/10
Государственный комитет
Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК621.382.3 (088.8) (45) Дата опубликования описания 160878 (72} Авторы изобретения
H.М.Беленьков, А.И.Курносов и Е.Е.Малицкий
Pl) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ
ПЕРЕКЛ10ЧАЮЦИЙ ПРИБОР
Изобретение относится к электронной технике.
Известны полупроводниковые переключающие приборы и устройства, обладающие вольтамперной характеристикой с двумя устойчивыми состояниями и имеющие строго фиксированные напряжения включения.
Однако напряжения включения этих приборов имеют ограниченный диапазон (8-12 В), обусловленный конструктивными особенностями приборов.
Цель изобретения — расширение диапазона напряжений включения.
Это достигается тем, что в предлагаемом полупроводниковом многослойном переключающем приборе в области узкой базы имеется выемка, на дне которой расположен слой противоположного типа проводимости, причем площадь его меньше площади дна выемки, ар-о=переход,. образованный этим слоем и узкой базой, не касается боковых стенок выемки.
На чертеже схематически изображен предлагаемый полупроводниковый переключающий прибор, например, р -П-p- Dтипа. Прибор содержит змиттер 1 с проводимостью Р --типа контакт 2 базу 3 с проводимостью 11 -типа, базу 4 с проводимостью р-типа,эмиттер 5 и -типа, контакт 6, дополнительный слой 7 и -типа, контакт 8 и изолирующее покрытие 9.
Размеры и элвктрофизические характеристики слоев выбирают из условий реализации и необходимых значений рабочих токов и,напряжени1Г.
Принцип работы прибора заключается в следующем.
Для получения величины напряжения включения более 12 В йо управляющему электроду величину поверхностной концентрации р -базы выбирают
10 см, благодаря чему реализуется достаточная эффективность l1 -эмиттера 5, а наличие выемки обеспечивает снижение концентрации в области дна выемки и тем самым увеличивает пробивное напряжениер-П- перехода, образованного р-базой 4 н слоем 7. Из" меняя глубину выемки можно в щиро" ком диапазоне значений менять величину управляющего напряжения.
Для получения значений управляющего напряжения менее 8 В необходи380222
Составитель О.федюкина
Редактор Т.Колодцева Техред Н.Бабурка Корректор Р.Сердюк
Заказ 5463/1 Тираж 960 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 яо поднять поВерхностную: концентрацию p --базы до.нужного значения, а глубину выемки выбрать иэ условия получения достаточной эффективности
З-эмиттера при этом h --эмиттером служит слой 7, а.дополнительным слоем - эмиттер 5. Ь
В рассмотренном примере выбран эпйтаксиально- аланарный вариант структуры, однако это не принципиально и предлагаемая конструкция может быть реализована любыми другими способами. Конструкция обеспечивает возможность получения симметричных характеристик при соответству-.
NUM расположении областей.
Формула .лэобретения .Полупроводниковый многослойный
Переключающий прибор, содержащий полупроводниковый кристалл с последовательно Чередующимися слоями противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона напряжений включения, в области базы
Р-типа проводимости имеется выемка, на дне которой расположен дополнительный слой ?I-типа, причем площадь дополнительного слоя меньше площади дна выемки, а р- П-переход, образованный дополнительным слоем и узкой базой, не касается боковых стенок вйемки.
