Ассоциативная ячейка памяти

 

Саюа Фсаатссаа

Социааистичвска

Республик

О П И С А Н И Е нц 605268

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.10.76 (21) 2409231/18-24 (51) М. Кл. - G 11С 11/40 с присоединением заявки .М—

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и отнрытий (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.04,78. Ь1оллетень ¹ 16 (45) Дата опубликования описания 29.04.78 (53) УД1 681.327.66 (088.8) (72) Автор изобретения

Б. В. Барашенков (71) Заявитель ъ, с (54) АССОЦИАТИВНАЯ ЯЧЕИКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной техннкс, в частности к запоминающим устройствам.

Известны ассоциативные ячейки памяти на

МДП-транзистора.;, построенные на основе симметричных схем с обратными связями типа триггера jlJ.

Указанные схемы позволяют хранить третье

«нейтральное» состояние прп соответствующем кодировании состояний симметричных частей схемы.

Недостатки этих ячеек памяти заключаются в сложности ячейки, большой площади подложки, требуемой при ее реализации.

Наиболее близкой к изобретению является ассоциативная ячейка памяти, содержащая первый запоминающий транзистор, сток которого подключен к шине сравнения, затвор— к стоку первого адресного транзистора, исток которого соединен с первой информационной шиной, затвор — с адресной шиной, соединенной с затвором второго адресного транзистора, исток которого подключен к второй информационной шине, сток — к затвору второго запоминающего транзистора, сток которого подсоединен к шине сравнения (2), В такой ячейке информация представлена зарядом, который хранится на конденсаторах, образованны.; емкостями областей стоков (истоков) транзисторов относительно подложки, и обеспечивает наличие управляющих потенциалов на затворах запоминающих транзисторов. Б процессе считывания или поиска информации эти потенциалы остаются неизменными относительно подложки, что при наличии меняющихся потенциалов электродов стоков (истоков) транзисторов приводиг к уменьшению разности потенциалов затвор — исток запоминающих транзисторов и, как следствие, и увеличению сопротивления транзисторов и постоянной времени заряда паразитных емкостей информационных шин, а также к потер амплитуды считываемых сигналов, которая становится особенно значительной при использовании высокопороговых МДП-транзисторов.

Из-за отмеченных недостатков снижается быстродействие ячейки, требуется применение с: ем считывания с повышенной чувствительностью, Целью изобретения — повышение быстродействия ячейки.

Это достигается тем, что ассоциативная ячейка памяти содержит накопительные элементы, включенные соответственно между затвором и истоком первого и второго запоминающих транзисторов, истоки которых подключены к соответствующим информационным шинам.

На чертеже представлена схема предлагае30 мой ячейки.

Ассоциативн))я запомш .яю(иая ячейка содер>кит первьш 1 и второй 2 запо;и;нгио.ц (с (ра I зисторы, Гсрвый О и Второй 4 3,(рс I!L!Г зисторы, вторую (пряму о} i. )i((!>Ор иаичо!и Гю шин3 5, пер«у!о (и)(вс>рс)(м!о}:>H(>(>j> 12 по, шипу 6, шип> 7 ср;!Впс!>и, (,(и: ..О .г, накопительные элеме!> Гы 9, 10.

Работает ячейка слс,(,чоц,):и .;бр;.30.,:.

В режиме записи лог:шсс„ой < !» НЯ !ipя,:у!о

ИНфОРМ21 ИОНН IO ITIHH > L) !Io, .2» t . 51 Ро 3»i: Л:>. гического «О», а иа НH«ñðñ«ó!0 и:форм,!>! (нмlо шину 6 — 1 po«cith лоГI! !»Г (Bit «1 . > 1 fПУЛЬСОМ, ПОдаВа»МЫМ !!2 Ыдрссс! !() ШИПУ 8. >-,— крываются адресныс траи3»ctoj)t,»> ",; -l. чсРЕЗ КОтОРЫС ПРОИСХОДЯТ Зс!75(1 НßKOПИ)СЛ >H!О го элемента 9, выполненного в «:t:L» конлс.!ГЯ— тора, до потенциала лоп)чсской «1» и j)23ðsb? пако:штельио)о элемента 10, Т<>1 жс ш. Н>эги!»liного в виде конденсатора. I!Oicпцпал зат ора запомИНЯ!ОЩСГО Тр2«3НСТОр3 2 !i;>). H!, >(LIPT Blf3cIcEITI» лОГичсскОГО <<О». . р 2знОc ь пО си и,:IалoR

32тВОР3 и lfcTOK2 33tlobtitt( ).<>:!. < <торя 1 — — логической «1».

В рс>КИМС 33ПИСП ЛОГП IССЕОГ> > с(. : I: 2 !1, ) ямую информационную шии; 5 I:o;I .:. ; ";I г

BPHb ЛОГИf»cêoão «О >.. !)tП>< Л )>СО .<(, I IO;Icil!c>С) И>IХ! 1((I) СГ! ) !О LL! II) I>, (1, 01

1<РЫ«2 !ОТС5! <1, (РЕС!lb!(. i P 31!:>!ICTC>P >! 3 1! .1, "j)сз которые происходят заряд пако:1!(гс.и>.шго эл мента 10 до потенциала 1(>гичсской «j» (! )33рЯд I!3 KOI! IITC 1 !> !010 э.! Смш! Т

Зат«ОРЯ 33ИО:.(ИИЯ)ОЩСГО II)ЯПЗИГГO))c! . Р. И

М 3 T 3 И сl !СИ ИС )(ОГПЧ »СКОГО «0>>« . j) c!3!Ii>C 1 I> !10тспЦII2 HОР 2 !! Ii(.."..!Ое;> 30 >и! >!ОПСГI и транзистора 2 -- логи 1»cKo! I «!».

При считывании ипформаци ПЯ и:п);у 7 сравнения поступает имгульс »читы,яипя, который проходит ня пряму(о ииформацш) f«ct» шину 5 или ииверсиу о ии(рорма:!, ..0:и;уlo:Jt:IIIó

6 ЧЕРЕЗ заПОМПИа!Ощнй Тря)135(ГТОр 1 1<ЛИ

33ВПСИХ!ОСТИ ОТ ЗНЯ !СПИЯ ИпфОD",131>1!1 г . P с :1!И— мой на пакопительпо;, элемент. 9 J).7:i 10. 1:роцесс считывания информации II<> пря,(у!о 5

ИНВЕрСНуЮ 6 ПифОрМЯПИОИ.(>I(. ШШ>Ы .Ip:),г ;ГХОдпт ЧЕРЕЗ ЗаПОМПНакщпй трсд>З.I(TOр ):!Лп 2, ОткрытыЙ потенциалом ЛОГII !»<1<ОЙ « !» Мсжл

ИСТОКОМ И 32TBOPO)>,f, ЕОТО;)1>!Й !fPЯКТ!! !СГI:J . меняется в процессе заряд2 иря:.:ой II,7;I,!!)!ВСРСНОЙ HIIQOPXI<71IIIOIIIIHT!; ИIИ I, 0 0;>((i Г!I! I . заст передачу импульса (:игы):.7!>!!я . 3 i;p;:.

М > 10 ИЛИ IIH)3»PC!IX Ю I!I!(!>OP !l lt t ,и::, гй транзистор находится « ер.!Ои области вольт-ампсрио:t характеo!)стик!).

Заряда информац foliEioil ирямои или ш всрГной шины. ГВЯзаниОЙ с If»TOKDAI:Jt>KI)i»10! 0 поминаюшего транзистора 1 ил!.. 2,:rc !..>(пi>— ход!IT. В рсжп,1» Гo?! кс1 <<О» !12 !!р5,((! ) 1 !формацио Hvlo ш(;иу 5 иодl! »ТсН !ш, и)(Г", 10гической «1», 2 на инверсчую I.7 ôoj)èа:и Ои

Нув ШИНУ 6 — — ПОтепцИЯЛ ЛОГИЧС<П<ОГ; «(}», Если ячейка хранит «1», т. с. Наконигсл иы! . элемент 9 заряжен, ня ши:ie 7 cp;TB!te»tis! у.та н2ВЛ:!ВЯ(.1 "51,,1!)ò(.íLL:!2л !0. Пиеской «1:>, i ОотВС ГCTÞ"i!ill ttf> !!Гii c" Л, i (. «Г>ПЯД»ПНЯ <ри Г. ОИСе» < О». т!! е е 21,Япо! и!1>3!Ощий тр3!i3«c T >)>

0 j>b!" ).г..)гг с(г!(->1>саг Г -,!с!. J>: г»;Н>1"..О»

f.:,t0:ÏI:Tp)thLb:j с)Л»М(ii 9;» 3;ipH КЕИ, i!3 И!!>п» г;;> «(<-..!"„:; Г; С, (;1 >.OTC"<»! 1! c!,!, p 2BIIblli. !>, л !О. б, < . Г .).! 3;) я i ï0â )лsl щс. 1 > co(TÎß 1(0 32!. 0i

3И(И<11()и,(сО I >? c!!13H OP c. 1 011 COOTBPТСТВТ (:

i ID Itl! 7>) ci!i .!".! c!Оиске 1).LP°, lя. В г>ежи!

0!ti 1.;» 1; НЯ ),п«) ° )!3:O lt) ();>p f2!I«!1!Iг, ю ! !Пп. 6:!i!. ".с! (Я;!01(. )!ци .!;I;! !7!чсскг>Й << 1:>, 3

>; с) . I t; 5!.,: >,ЧО 1 ())Г)р 313! >,I:OH!>3 fo t >! I! i! < > -- 110 I CЧI .,>! .,< ло! и .сск(по «0>;

}1 o Гч! ч<> . ЕО..IR 51 !(11>:игсльиый элемеl!г 10 з2ðHЖ(>! „:! с! II!II!!" 7 (p" В .<Си;! 51 < ГТЯП 2 «1 IIB3 i (>i

:ю > си.(пал ло" I! с»кои «1:>, Гоотвстст«.по!и; ij

ГПГН<,л",и(ГО:-! >1Яд»ипя пр;! Нопскс <<1> г тяе ес.!<

32.103(lii! 210)ili

5Г>I(Й K;i 1!el!; I!TI! . .p 21:и « 1 >>, 17 С. !! 2T<0)ltiT»;Iblll» Й эл»3:сп- !0; .с 32 )яжc>i. 1 .3 шине 7 ср213исиия

:>05И, ЯС > С;I:i(!! Сit L!i!3,7, Р ЯВП(>! Й 1<МЛ 10, КСЛ ОРЫ и

ООСС! ("! Jl fH! I »5! !! t!(!«0, 5!1 IH (:0(I 051 !I I!i. "21 <>мпii3:OIL>i. I О j! >и:ii!»10ðÿ 1, 1!(!)ро«Одящим 0»1 051!IÈÑ I .

Ci!0T«P I C! H, (1 IIJ 1Т<>Л i Co«:! (и;! 1! I!5J П)) I! iio! I е с << 1 i>

I (Ж!. ;! .,:;: !)(!!);!1! I!5! I!pi! I!01:i 1<С ОГ) LHC ÑÒ«, I >(," (5! i, (>;I;.> !1(>I>, li г > р 5! < 10 I Ii)3(p (Jt)) I< > И ! .

> (1)00312 ЦПО! 1:ыс п(! 1:1>1 1!i! Tct! Пиала .10! :!H»се(>! () (}», ., i) 05ГГ, .::; !Н>тсt! I(tlàë ло 11(ссеîl о

«0»;I; LtftIHC 7 Cp;!HH(иия, обусло«T»ttt;bt)T !ро«ОДЯ!ИИ >! 7)»7()3:! IICМ 32ИО!Ilf!1!! 1 1:;и ) ««)<»иси»!Осг!f От 312>1 ППЯ "и<>и: п(!мо> 1 и:I(j)!!p!Мации и Г(ю: «С.-ств;.е: сип!Ял

L 0!3)12, (сипя:(п !I >10! :Гес «0» или <<1 >.

> I»J1 It) >;! >,1;OP COC I 05! it !С 51>!(ЙЕП !07!Kilo ООСГ

И г< ИП>31 i> 01 " . ГГ 113!!(! . И И с(:!сl !IC C(! IJ>TDДЕ)И!5! fl 2 и):ш(7 ГР:",«:!ш!П)! H Рссж;!МЯх!101!»ê3 «О» Jf «1:

31;>, I<«DO!)«>!J:Is!, ITO 3! О!KC I б Ы ь .IOCT)t; )D< i o

ОТJIO«ÐC .!C:i«btil Ра«Ð;i;0>t;JDK(>tf«IP)IJ,IIÛ>. )Л". !

iСН! О« 9 О В T. Сiii 33III;(Ii, (.!<> Пс< .I 51<.<10 > .г .f I >с )ilt I() 6

С)i>D>IR>t, .)!I!!«! (I!!It! I !i, !! >с>:>!! .i !(013(«CЯ г !.», !! 0 I! И () Т C i!!!!!<. ., )ID)! р;»;1>5! 1(!12 Ko;i (:1ьпь! х элсм(. i! To!=! 9

:.I 1 О (Oñòî ß>и)(:J 211071 JI II Я ю! TII !ран;! «Гтоp0« ! П 3(И<РЫ (! I ., С.IP., )БЯТС И>! 0< III!1!1

IL IfTIH ОГЕ1Ю:t2 I (51 О! tilt )0!!3I;>!IIIOI!ИЬ); IIIII)I )

It Г> I! I « -..х «II i .0;1(. K;i

)17 ". «ЫГ(>К> >1 i;. >! г ТРО,< 3. Тв!(Г >1 )I IIO 3!>О,. и< CÒL! 0 !Òb 3 i.

Г(>.II . .!1 IIIJI ЫС 3)ОИСIIС . ("! Р()I>СТВ(! ПОВIЯ— иlсl!110 1 и j!!)1(",1. (> ". i lтсл;! : Гтl

". > (1)(> ) I -i И > !!"» (> ;, )! H

l г гГ 0.> T Я T".г!31. с> )I:> ИСТОР, CTOK !<ОТС;.,;:",0 );0,IKЛ!О iC1f Е IJJII)!C СРЯ«1!С(. 1!51, ЗЯТВОР .; СГС>К, T!Ñ Î"0 ЯДРЕ(IIÎIO ТРЯНЗИСтО >с!, ИстОК

КО-ОР,! () СОСД!<г(H С;(СРВОЙ Ип()>ОРТ)3>>ИОН(10)1 .I!iit ()Й, 33:«ОР С Lt,(j)PC!IOé III I .!0 f, СОСЛИЕСП.:ой с лап)070м «т(>рого ялрсспо-0 траизистсря, !!сток козорого:1одкл!очен второй ипформа605268

Составитель В. Фролов

Техред Н. Рыбкина

Корректор Е. Хмелева

I ñ;.àõ}:ë ii, Грузова

Заказ 504/20 Изд. ¹ 414 Тираж 734 11O3,IIliCiiOC

141 IO Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

1 l3035, Москва, Я-35. Раугнская наб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2 ционной шине, сток — к затвору второго запоминаюшего транзистора, сток которого под ключен к шине сравнения, отличающаяся тем, что, с целью повышения быстродействия ячейки, она содержит накопительные элементы, включенные соответственно между затвором и истоком первого и второго запоминающих транзисторов, истоки которых подключены к соответствующим информационным ши}i .l it, 1.1сточники информаци;1, принятые во внимание при экспертизе

5 1. Патент СШЛ ¹ 3.490.007, кл. 340 -!73, 1967.

2. Патент СШЛ № 3.701.980, кл. 340 — 173, 1972.