Раствор для избирательного травления

 

О П И С А Н И Е iц S08850

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15.10.76 (21) 2411535/22-21 с присоединением заявки №вЂ” (51) М. Кл з С 23F 1/02

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.794.422. .7 (088.8) (43) Опубликовано 30.05.78. Бюллетень № 20 (45) Дата опубликования описания 05.05.78 (72) Лвторы изобретения

Л. А. Сучкова и T. В. Руденко (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ

ГооУдаротвениый комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для получения микросхем методом фотолитографии.

Известен раствор для избирательного травления, содержащий компоненты в следующих количествах, л:

Плавиковая кислота 0,1 — 0,2

Лзотная кислота 0,05 — 0,1

Ф тор исть1 и натрий (насыщенный раствор) 0,01 — 0,02.

Сслективное травление тонких пленок, имеющих в качестве защитного слоя позитивные фоторезисты на основе нафтохинондиазидов следует проводить в кислотных травителях при температурах, не превышающих 40—

50 С (1).

Однако применение вышеуказанного травителя сии кает качество получаемых микросхем, так как входящий в состав травильного раствора фтористый натрий при гидролизе образует гидроокись натрия, что приводит к растворению фоторезистов на основе нафтохинондиазидов.

Входящая в состав травителя азотная кислота пассивирует хром, в результате этого резистивный слой трудно поддается травлению при температуре 20 — 40 С.

Увеличсние температуры травления приводит к очень быстрому растрескиванию фоторезиста, а следовательно, к нарушению целостности схемы.

Известен раствор для избирательного травления, преимущественно рсзистпвных пленок, с использование фоторезиста на основе нафтохинондиазидов, содержащий плавиковую

10 и соляную кислоты и воду (2).

Однако известный раствор достаточно агрессивен по отношению к фоторезисту и имеет недостаточно высокую равномерность травления.

15 Цель изобретения — снижение агрессивности раствора по отношению к фоторезисту и повышение равномерности травления достигается тем, что раствор, содержащий плавиковую и соляную кислоты, дополнительно со20 держит двууглекислый аммоний и поверхностно-активное вещество ОП-7 при следующем количественном соотношении компонентов, вес. %:

Плавиковая кислота 5 — 15

25 Двууглекислый аммош;й 2 — 10

Соляная кислота 10 — 30

ОП-7 1 — 5 3ода Остальное

608850

Составитель М. Кузнецова

Техред Л. Гладкова Корректор Т. Добровольская

Редактор Н. Коляда

Подписное

Изд, Ио 429 Тираж 1198

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 685/3

Типография, пр. Сапунова, 2

Пример. Для получения схемного рисунка проводят химическое травление тонкой пленки резистивного сплава, содержащего хром, никель, кремний, толщиной около

1000 А.

В качестве защитного слоя применяется фоторезист ФП вЂ” ПР-7 и травильный раствор, содержащий ингредиенты в следующих соотношениях, в вес. :

Плавиковая кислота 12

Двууглекислый аммоний 8

Соляная кислота 25

ОП-7 2

Вода Остальное.

Травление пленок резистивного сплава в данном растворе производят следующим образом: подложку помещают в травильный раствор, нагретый до 25 30 С; время травления — 15 — 30 с. После травления подложки тщательно отмывают.

При использовании предлагаемого раствора осуществляется полное стравливание металлической пленки и повышается равномерность травления, что приводит к увеличению выхода годных схем.

Формула изобретения

Раствор для избирательного травления, преимущественно резистивных пленок, с использованием фоторезиста на основе нафтохинондиазидов, содержащий плавиковую и соляную кислоты и воду, отлич а ющийся тем, что, с целью снижения агрессивности раствора, по отношению к фоторезисту и повышения равномерности травления, он дополнительно содержит двууглекислый аммоний и поверхностно-активное вещество ОП-7 при следующем количественном соотношении компонентов, вес. %.

Плавиковая кислота 5 — 15

Двууглекислый аммоний 2 — 10

Соляная кислота 10 — 30

ОП-7 1 — 5

Вода Остальное

20 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. ОСТ ЧГО 054028, ред. 2 — 74 «Микросхемы интегральные гибридные тонкопленочные специализированные 1 и II степеней интегра25 ции ТТП».

2. Авторское свидетельство СССР №272635, кл. С 23F 1/08, 1968,