Раствор для локального травления пленок арсенида галлия
I
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Реслублик (lli"5ХЗХ 1 (К АВТОРСКОМУ СВИДИПЛЬСТВУ (6)) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 09.09.74 (21) 2059784/26-21 с присоединением заявки № (51) M. Кл.а
С 23$ 1/02
Гфсударстввннмй комитет
Ваавта Минивтроа СССР
В делам нваврвтвний н аткрмтнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.05.76. Бюллетень № 17 (45) Дата опубликования описания 11.05.76 (53} УДК,621.382,002 (088.8) (72) Авторы изобретения
Е. И. Кершман, Л. И. Максимова и Ю. И. Федоров (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ЛОКАЛЬНОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК
АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Фторид аммония остальное
Изобретение относится к микроэлектронике, в, частности к растворам для травления защищенных слоем фоторезиста протяженных до 800-1000 мкм) элементов в эпитаксиальных пленках G a A S шириной 1,0-1,5 мкм с зазорами между линиями,1,5, 2,0 мкм. Локальное травление защищенных слоев фоторезиста пленок OaA S используется при изготовлении меэа-планарных транзисторов, работающих в СВЧ-ди назоне.
Известен раствор для локал,ного травления пленок арсенида галлия, содержащий плавиковую кислоту и перекись водорода.
Однако травление защищенных слоем фотореюста протяженных (до 300-1000 мкм) элементов в эпитаксиальныхпленках Во AS шириной
1 0.1,5 мкй с зазорами между линиями 1,5-2,0 мкм на глубину 1,0-2,0 мкм не может быть осуществлено ни одним из известных травителей. Либо травитель не являетея полирующим к используемой плоскости (100), либо обладает недопустимо большой скоростью травления (1,0 --„-;; - выше), либо дает Чмкм образный профиль травления с одновременным разрушением пленки фоторезиста, либо обладает диф2 фузионным характером травления 6аА8 с по- вышенной скоростью травления эпитаксиальной пленки вблизи краев защитной маски фоторезиста,, являясь основной причиной отклонения профиля
5 травления по вертикали, либо, наконец, травитель ь гс образует окисные соединения на поверхности Ga о (что недопустимо в меза-планарной технологии) .
С целью обеспечения заданных размеров фигур травления и исключения подтравливания краев пленок, он дополнительно. содержит фторид аммония при следующем соотношении компонентов,об.%»:
Плавиковая кислота 3,8-5,7
Перекись водорода 1,5-26
Раствор обеспечивает получение полированной
20 поверхности дна фигур травления, вертикальный профиль травления при скорости трав ения 0,4 мин в условиях комнатной температуры (20 С) и не разрушает пленки фоторезиста. Травление эпитаксиальМ ных пленок 8mAS проводится в объеме с переме51З117; оральное
Составитель Т. Богдалова
Техред „О. Луговая Корректор С. Болдижар
; Редактор Т. Орловская Заказ 600/48 Тираж 1067 Подлы снос
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам нзобретенн» и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д.4/S
Филнал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4
3 щраиием раствора со скоростью 60 -- . Установоб
MHa . ю лен кинетический 13 характер травления Ca,h Q для. / ваствора предложенного состава, который не дает после проведения процесса травления окисных соединений на поверхности полупроводника. предложенный раствор позволяет контролировать, величину снимаемого зпитаксиального слоя 6w A3 с получением требуемого профиля травления необ. ходимой глубины. Разброс по глубине травления нв пластине с нанесенной зпитаксиальной пленкой 40, я 9 мкм составляет не более 10%.
Формула изобретения . PacTeop для локального травления пленок арсес нида галлия, содержмций плавиковую кислоту и пе рекись водорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения заданных размеров фигур травления и исключения подтравливания краев пленок, он дополнительно содеряаат фторид аммония при следующем соотношении исходных компонентов, об.% /: .
Плавиковая кислота 3,8-5,7
Перекись водорода 15-26
Фторид аммония
