Способ изготовления оригинала фототеневой отмывки рельефа

 

Изобретение относится к картографии и позволяет устранить искажения изображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа. Последовательно наращивают слои из жидкой фотополимеризующейся композиции. Отверждение слоев осуществляется путем экспонирования ультрафиолетовыми лучами через негативную маску очередного горизонтального сечения рельефа местности . Эти маски изготавливают с учетом поправок путем изменения масштаба воспроизведения каждой маски. При последующем фотографировании изготовленной рельефной модели при заданных фокусном расстоянии и превышении слоя композиции над основанием модели исключено искажение изображений от центра к краям.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (Н) (51)4003 F 7 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АBTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ ра к краям.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

Il0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3934244/24-10 (22) 10.06.85 (46) 07 Ol 88. Бюл. У (72) А.З.Хаиртдинов, В.В.Петров и С.К.Бесков (53) 621.3.049.7 (088.8) (5e) Авторское свидетельство СССР

1(688917, кл. G 09 В 25/06, 1979. (54) СПОСОБ И31 ОТОВЛЕНИЯ ОРИГИНАЛА

ФОТОТЕНЕВОИ ОТМЫВКИ РЕЛЬЕФА (57) Изобретение относится к картографии и позволяет устранить искажения изображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа. Последовательно наращивают слои из жидкой фотополимеризующейся композиции. Отверждение слоев осуществляется путем экспонирования ультрафиолетовыми лучами через негативную маску очередного горизонтального сечения рельефа местности. Эти маски изготавливают с учетом поправок путем изменения масштаба воспроизведения каждой маски. При последующем фотографировании изготовленной рельефной модели при заданных фокусном расстоянии и превышении слоя композиции над основанием модели исключено искажение иэображений от цент1365035

Изобретение относится к области картографии и может быть испольэова1 но при изготовлении рельефных моделей местности, применяемых для создания оригиналов фототеневой отмывки рельефа.

Целью изобретения является устранение искажений иэображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа, Сущность изобретения заключается в том, что по способу изготовления рельефной модели карты, включающему последовательное наращивание слоев из жидкой фотополимеризующейся композиции, отверждаемых путем экспонирования ультрафиолетовыми лучами через негативную маску очередного горизонтального сечения рельефа местности, негативные маски изготавливаются с учетом поправок путем изменения масштаба воспроизведения каждой маски, величину которого определяют по формуле ш о о масштаб восп1.:оизведения маски i-ro горизонгде

П1

I тального сечения рельефа местности; фокусное расстояние объектива фотоаппарата; масштаб фотографирования нулевого горизонтального сечения; превышение слоя фотополимеризующейся композиции над осно» иh; ем модели. (2) Исходя из формулы зависимости (1) можно определить величину изменения масштаба каждой маски с тем, чтобы при фотографировании изготовленной с их помощью рельефной модели при заданных фокусном расстоянии i u

Центральная проекция имеет свойство искажать изображение при фотографировании объемной модели рельефа от центра к краям на величину. F1, . Величина Pg в каждой точке фотографирования зависит от высоты рельефа h на модели, фокусного расстояния фотоаппарата Г и расстояния от центра снимка до данной точки r превышении слоя композиции над основанием модели h компенсировалась ошибка. Практическое применение формулы (1) выражается в использовании ее для расчета и приведения длин линий

1 ш, (3)

m;

10 где 1 — приведенная длина линии (например, стороны рамки карты); — исходная длина линии (эта о величина постоянная для данной модели рельефа );

m — знаменатель масштаба i-ой

I маски, определяется по формуле (1);

20 m — знаменатель масштаба нулео ного слоя модели (основания), т,е. масштаба фотографирования модели, Способ осуществляют в следующей

25 последовательности, Ца листе пластика со съемным маскирующим слоем с нанесенным иэображением рельефа в виде горизонталей определяется исходная длина линии, нап30 ример сторона рамки карты, 11о формулам (1) и (3) производится расчет приведенных длин линий для каждой маски с учетом проектируемого превышения над основанием, После снятия очередного съемного слоя (начиная с нижнего по высоте) пластик устанавливается в оригиналодержатель фотоаппарата, а на.матовом стекле фотоаппарата изменяя масштаб фотографиро40 вания, добиваются соответствия длины стороны рамки, выбранной в качестве исходной, расчетной приведенной длине. Поочередно фотографируя пластик, получают комплект негативных масок

45 гипсометрических ступеней для изготовления рельефной модели, Для повышения точности изготовления модели пластик со съемным слоем устанавливается в оригиналодержатель, а фото 0 пленка — в пленкодержатель фотоаппа рата по штифтам, для чего в них пробиваются перфорационные отверстия °

При изготовлении рельефной модели маски устанавливаются в копиро55 вальную установку по перфорационным отверстиям с помощью штифтов, Полученная рельефная модель сглаживается для придания естественных форм и окрашивается.

1365035

h1 ш;

fm, где ш;

h4

Составитель Л.Беэпроэванный

Техред И.Попович

Корректор С. Шекмар

Редактор Л.Гратилло

Заказ 6607/40

Подписное

Тираж 442

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r Ужгород, ул.Проектная, 4

При фотографировании с целью получения оригинала фототеневой отмывки рельефа рельефная модель точно уста навливается и закрепляется на ориги5 налодержателе в том же месте, где устанавливался пластик со съемным слоем при его фотографировании при изготовлении масок. Для этого пластик предварительно устанавливается в ори- 10 гиналодержатель по штифтам, а по нему производится ориентирование рельефной модели, Этим достигается идентичность их расположения относительно главной оптической оси фо- 15 тоаппарата, После этого на фотоаппарате устанавливается масштаб фотографирования, соответствующий масштабу фотографирования нулевого слоя модели (основания), и производится 2р фотографирование, Эти условия обеспечивают исключение искажений изображения при фотографировании модели.

Формула из обретения 25

Способ изготовления оригинала фототеневой отмывки рельефа, включающий изготовление рельефной модели путем наращивания слоев из жидкой 30 фотополимериэующейся компознции,отверждаемых посредством экспониронания ультрафиолетовым излучением через негативную маску очередного слоя, соответствующую горизонтальному сечению рельефа местности этого слоя, а также последующее фотографирование модели и фотохимическую обработку фотопленки, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью устранения искажений изображения на оригинале фототеневой отмывки рельефа, негативные маски изготавливают в масштабе, определяемом формулой

1 масштаб воспроизведения маски i-га горизонтального сечения рельефа местности; фокусное расстояние объектива фотоаппарата; масштаб воспроизведения нулевого горизонтального сечения; превышение слоя фотополимериэующейся композиции над основанием модели,

Способ изготовления оригинала фототеневой отмывки рельефа Способ изготовления оригинала фототеневой отмывки рельефа Способ изготовления оригинала фототеневой отмывки рельефа 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении шаблонов для полупроводниковы

Изобретение относится к полиграфии

Изобретение относится к фотографии, в частности к фотополимеризующейся кеомпозиции (ФПК) для изготовления защитного рельефа матрицы гальванопластического наращивания

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет упростить технологию изготовления растров с произвольным шагом

Изобретение относится к полиграфической промьшшенности и позволяет улучшить эксплуатационные характеристики печатной формы путем увеличения силы сцепления при креплении ее на магнитной подставке

Изобретение относится к спектральному приборостроению и позволяет сократить время изготовления копии решетки и повысить ее климатическую устойчивость

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям для сухих пленочных фоторезистов, использующимся в радио- и электротехнической промышленности при производстве печатных плат

Изобретение относится к устройствам для экспонирования светочувствительных материалов и позволяет повысить производительность и расширить класс изготавливаемых плат

Изобретение относится к химико фотографической области и позволяет увеличить адгезию печатающих элементов фотополимерных форм к подложке

Изобретение относится к позитивным фоторезистам и может быть использовано в фотолитографических процессах при изготовлении интегральных схем в микроэлектронике, радиоэлектронике

Изобретение относится к синтезу и использованию нового бифильнорастворимого фотоинициатора радикальной полимеризации фотополимеризующихся композиций (ФПК) 2,2-бис- (3-сульфоксипропилокси)- фенилэтанона нижеприведенной формулы

Изобретение относится к химико-фотографическим фоторезистивным формным материалам, в частности к фотополимеризующимся композициям (ФПК) для изготовления эластичных печатных форм для флексографической печати в полиграфии

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к двухслойным позитивным маскам, применяемым в микроэлектронике для создания приборов и интегральных схем методами субмикронных литографий, с использованием плазмохимического травления функциональных слоев, а также полиорганосиланам, обладающим фоточувствительными свойствами, для их изготовления общей формулы где R1 - этиладамантил, этил(диметиладамантил); R2 - метил, фенил; R3 - метил, фенил, циклогексил; m =2-3000 n = 2-3000; m : n = 16: (0,1-10)

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха

Изобретение относится к фотополимеризующимся композициям на основе ненасыщенных полиэфиров, которые могут быть использованы для изготовления деталей методом лазерно-стимулированной полимеризации (стереолитографии) без доступа воздуха
Изобретение относится к технологии формирования на поверхности материалов рельефных элементов и может найти применение, например, в области полиграфии при изготовлении печатных форм (клише) для высокой печати, а также в других областях техники, где необходимо получение рисунка заданной глубины с субмикронным разрешением структур формируемых рельефных элементов в функциональных (обрабатываемых посредством механического воздействия) слоях изделий
Наверх