Способ получения кристаллов yb @ с @ о @
Изобретение относится к технологии получения кристаллов оксидных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП), содержащих достаточно крупные моноблоки, пригодные для комплексных прецезионных физических исследований в области физики ВТСП, и обеспечивает получение в кристаллах моноблоков размером более 1x1x0,1 мм°. Способ включает нагрев исходных оксидов, взятых в следующем, мол.%: ВаО 28,6-30,143; Y0i,5 6,875-7,7; CuO остальное Нагрев ведут до 960-974, 5°С Затем ведут кристаллизацию из раствора-расплава путем охлаждения со скоростью не выше 4°С/ч. В кристаллах отсутствуют посторонние фазы, Моноблоки могут быть использованы для создания приборов , например сквидов.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (я)s С 30 В 9/12, 29/22
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4475068/26 (22) 18,08,88 (46) 30.10.91. Бюл. М 40 (71) Ленинградский государственный университет (72) С,В.Машкин, А.В.Нардов и M.A.Êóýüìèна (53) 621.315,592(088.8) (56) Baiestrlno G. at al, бгого1 of single
crystalsof the high-temperature
Яирегсонбыс ог УВагСизОьх
"i.Cryst,GrorotL", 1987, v, 85, %4, р,585 — 587. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ
УВ @цзОх (57) Изобретение относится к технологии получения кристаллов оксидных высокотемИзобретение относится к технологии получения кристаллов оксидных высокотемпературныхх сверхпроводников, содержащих достаточно крупные моноблоки, пригодные для комплексных прецезионных физических исследований в области физики высокотемпературных сверхпроводников.
Цель изобретения — получение в кристаллах моноблоков размером более
1х1х0,1 мм .
Пример. Получение кристаллов т Ва2СнэОх проводится при кристаллизации из раствора оксида бария ВаО и оксида иттрия УО>,5 в расплаве оксида меди при снижении температуры. В качестве шихты используют смесь оксидов СиО, ВаО, Y01,в, растиравшихся в агатовой ступке. Перед взвешиванием из оксидов удалялась вода путем их прогрева в вакууме при 200 С е течение одного часа. Точность задания конSU „, 1687649 А1 пературных сверхпроводников (ВТСП), содержащих достаточно крупные моноблоки, пригодные для комплексных прецезионных физических исследований в области физики ВТСП, и обеспечивает получение в кристаллах моноблоков размером более
1х1х0,1 мм". Способ включает нагрев исходных оксидов, взятых в следующем, мол. ;
Ва0 28,6-30,143; YO<,ä 6,875 — 7,7; СиО остальное. Нагрев ведут до 960-974, 5 С. 3атем ведут кристаллизацию из раствора-расплава путем охлаждения со скоростью не выше 4 С/ч. В кристаллах отсутствуют посторонние фазы. Моноблоки могут быть использованы для создания приборов, например сквидов, центрации компонентов в исходной смеси составляла 1 мол. .
Кристаллизацию ведут в тиглях из оксида алюминия, которые устанавливают в муфельную печь и выдерживают для гомогениэации раствора при начальной температуре в течение 6 — 24 ч, Контроль температуры осуществляют с помощью термопары с точностью "-0,5 С. Снижение температуры производят путем программиаованного изменения напряжения, подаю.,егося на нагреватель муфельной печи, Точность поддержания скорости снижения температуры составляет +. 0,2 С/ч, Указанные экспериментальные условия являлись общими для всех проводившихся опытов. От опыта к опыту варьировались лишь следующие параметры: начальная температура раствора, начальная концентрация ВаО в растворе, начальная концентрация YO>,s в растворе, скорость снижения
